国家标准《硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、锡华润上华科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。
主要起草人骆红 、潘文宾 、杨素心 、赵扬 、赵而敬 、张佳磊 、李慎重 、黄黎 、严琴 、黄宇程 、皮坤林 。
全部代替GB/T 14146-2009
标准号： GB/T 14146-2021
发布日期： 2021-05-21
实施日期： 2021-12-01
全部代替标准： GB/T 14146-2009
标准类别： 方法
中国标准分类号： H21
国际标准分类号： 77.040
| 77 冶金 |
| 77.040 金属材料试验 |
归口单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门： 国家标准化管理委员会
全部代替 GB/T 14146-2009
20181807-T-469 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
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20065633-T-469 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
20021944-T-610 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
20063926-T-339 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
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