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GB/T 41765-2022   碳化硅单晶位错密度的测试方法

GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

发布时间:2025-09-18 00:00:00

中析研究所涉及专项的性能实验室,在GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法服务领域已有多年经验,可出具CMA和CNAS资质,拥有规范的工程师团队。中析研究所始终以科学研究为主,以客户为中心,在严格的程序下开展检测分析工作,为客户提供检测、分析、还原等一站式服务,检测报告可通过一键扫描查询真伪。

国家标准《碳化硅单晶位错密度的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司。

主要起草人彭同华 、佘宗静 、娄艳芳 、王大军 、赵宁 、王波 、郭钰 、杨建 、李素青 。

基础信息

标准号:  GB/T 41765-2022

发布日期:  2022-10-14

实施日期:   2023-05-01

标准类别:  方法

中国标准分类号:  H21

国际标准分类号:   77.040

77 冶金
77.040 金属材料试验

归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:  国家标准化管理委员会

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