本专题涉及功率场效应晶体管的标准有21条。
国际标准分类中，功率场效应晶体管涉及到半导体分立器件、电子设备用机械构件。
在中国标准分类中，功率场效应晶体管涉及到半导体分立器件综合、场效应器件、微波、毫米波二、三极管。
美国国防后勤局，关于功率场效应晶体管的标准
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管
DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅单块 操作增强器,四列微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 硅单块 操作放大器,低功率高输出驱动器,结型场效应晶体管输入,直线式微型电路
DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 硅单块 操作增强器,微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 硅单块 操作增强器,双微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅单块 单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路
英国标准学会，关于功率场效应晶体管的标准
BS IEC 60747-8-2001 分立半导体器件和集成电路.场效应晶体管.电源转换场效应晶体管测量方法中附加功率、特性和amds
行业标准-电子，关于功率场效应晶体管的标准
SJ 50033/81-1995 半导体分立器件.CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/80-1995 半导体分立器件.CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
国际电工委员会，关于功率场效应晶体管的标准
IEC 60747-8-2-1993 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第2节:外壳额定功率放大场效应晶体管空白详细规范
，关于功率场效应晶体管的标准
JUS N.R1.373-1980 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．小功率信号晶体管
JUS N.R1.391-1979 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．功率管
JUS N.R1.390-1979 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．小功率信号晶体管
