半导体测试检测

本专题涉及半导体测试的标准有378条。

国际标准分类中，半导体测试涉及到光电子学、激光设备、光学和光学测量、金属材料试验、集成电路、微电子学、半导体材料、电子元器件综合、辐射测量、电学、磁学、电和磁的测量、半导体分立器件、软件开发和系统文件、真空技术、陶瓷、绝缘材料、工业自动化系统、电子电信设备用机电元件、光纤通信、无机化学、信息技术用语言、电线和电缆、电子设备用机械构件、接口和互连设备、化工产品、整流器、转换器、稳压电源、电工器件、无线通信、输电网和配电网、电工和电子试验、信息技术应用。

在中国标准分类中，半导体测试涉及到半导体发光器件、无机化工原料综合、金属物理性能试验方法、半导体集成电路、激光器件、半金属及半导体材料分析方法、半金属与半导体材料综合、电力半导体器件、部件、光电子器件综合、敏感元器件及传感器、核仪器与核探测器综合、微电路综合、通用电子测量仪器设备及系统、、、、、、半导体光敏器件、元素半导体材料、半导体分立器件综合、其他、特种陶瓷、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品综合、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、半导体整流器件、程序语言、电缆及其附件、电子设备专用微特电机、工业气体与化学气体、电子元器件、半导体三极管、广播、电视发送与接收设备、光通信设备、电子技术专用材料、加工专用设备、数据媒体、电子设备机械结构件、技术管理。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体测试的标准

GB/T 39771.2-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第2部分：测试方法

GB/T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法

GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

国家质检总局，关于半导体测试的标准

GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法

GB/T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法

GB/T 31359-2015 半导体激光器测试方法

GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

GB/T 8446.2-2004 电力半导体器件用散热器 第2部分;热阻和流阻测试方法

GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分;光电子器件测试方法

GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T 4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理

GB/T 6798-1996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理

GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法

GB/T 5201-1994 带电粒子半导体探测器测试方法

GB/T 15136-1994 半导体集成电路石英钟表电路测试方法的基本原理

GB/T 14862-1993 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法

GB/T 14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理

GB/T 14114-1993 半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理

GB/T 14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理

GB/T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理

GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理

GB/T 13974-1992 半导体管特性图示仪测试方法

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

GB/T 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理

GB/T 12843-1991 半导体集成电路　微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理

GB/T 8446.2-1987 电力半导体器件用散热器热阻和流阻测试方法

GB/T 6800-1986 半导体集成音响电路音频功率放大器测试方法的基本原理

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体测试的标准

GB/T 35006-2018 半导体集成电路 电平转换器测试方法

GB/T 14028-2018 半导体集成电路 模拟开关测试方法

GB/T 36005-2018 半导体照明设备和系统的光辐射安全测试方法

GB/T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法

未注明发布机构，关于半导体测试的标准

GB 3442-1986 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理

中国团体标准，关于半导体测试的标准

T/SHDSGY 113-2022 射频前端半导体测试软件

T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

T/GVS 005-2022 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范

T/CASAS 011.1-2021 车规级半导体功率器件测试认证规范

T/CASAS 011.2-2021 车规级半导体功率模块测试认证规范

，关于半导体测试的标准

MSZ 700/23.lap-1965 意法半导体测试焦炭

MSZ 700/24.lap-1965 意法半导体焦炭测试

MSZ 700/27.lap-1962 意法半导体测试闪光定义

MSZ 700/36.lap-1961 煤矿中半导体测试试验

MSZ 700/26.lap-1961 意法半导体测试．快速法测定灰分

MSZ 700/41.lap-1961 意法半导体测试．快速测定硫总量

MNOSZ 700-3.lap-1955 半导体的模型分析测试实验室的样品制备

MNOSZ 700-8.lap-1955 意法半导体测试碳和黄疸

国际电工委员会，关于半导体测试的标准

IEC 60749-20:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20部分:塑料封装Smds的电阻与水分和焊接热的组合效应

IEC 60749-20-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20部分:塑料封装Smds的电阻与水分和焊接热的组合效应

IEC 60749-30-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第30部分:在可靠性测试之前对非密封性表面贴装器件进行预处理

IEC 60749-30:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第30部分:在可靠性测试之前对非密封性表面贴装器件进行预处理

IEC 60749-15:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度

IEC 60749-15-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度

IEC 60749-20-1:2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20-1部分:表面贴装装置的处理 包装 标签和运输对水分和焊接热的综合影响敏感

IEC 60749-20-1-2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20-1部分:表面贴装装置的处理 包装 标签和运输对水分和焊接热的综合影响敏感

IEC 60749-18-2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第18部分:电离辐射（总剂量）

IEC 60749-18:2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第18部分:电离辐射（总剂量）

IEC 60749-17-2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第17部分:中子照射

IEC 60749-13-2018 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第13部分:盐气氛

IEC 60749-13:2018 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第13部分:盐气氛

IEC 60749-26-2018 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第26部分:静电放电（ESD）灵敏度测试 - 人体模型（HBM）

IEC 60749-26:2018 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第26部分:静电放电（ESD）灵敏度测试 - 人体模型（HBM）

IEC 62880-1:2017 半导体器件 - 应力迁移测试标准 - 第1部分 - 铜应力迁移测试标准

IEC 62880-1-2017 半导体器件 - 应力迁移测试标准 - 第1部分 - 铜应力迁移测试标准

IEC 60749-43-2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第43部分:Ic可靠性资格认证计划指南

IEC 60749-3:2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第3部分:外部视觉检查

IEC 60749-3-2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第3部分:外部视觉检查

IEC 60749-4-2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法第4部分:潮湿热 稳态 高加速应力测试（HAST）

IEC 60749-6-2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第6部分:高温储存

IEC 62047-28-2017 半导体器件 - 微机电器件 - 第28部分:振动驱动MEMS驻极体能量收集装置的性能测试方法

IEC 60749-44:2016 半导体器件 - 机械和气候测试方法第44部分:中子束照射单事件效应（见）半导体器件测试方法

IEC 60749-44-2016 半导体器件 - 机械和气候测试方法第44部分:中子束照射单事件效应（见）半导体器件测试方法

IEC 62047-16-2015 半导体器件 - 微机电器件 - 第16部分:确定MEMS膜残余应力的测试方法 - 晶片曲率和悬臂梁偏转方法

IEC 62047-17:2015 半导体器件 - 微机电器件 - 第17部分:用于测量薄膜机械性能的膨胀测试方法

IEC 62047-15-2015 半导体器件 - 微机电器件第15部分:Pd和玻璃之间的接合强度测试方法

IEC 62047-17-2015 半导体器件 - 微机电器件 - 第17部分:用于测量薄膜机械性能的膨胀测试方法

IEC 62047-11-2013 半导体器件 - 微机电器件 - 第11部分:用于微机电系统的自由立体材料的线性热膨胀系数的测试方法

IEC 62047-18-2013 半导体器件 - 微机电器件 - 第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法

IEC 62047-18:2013 半导体器件.微型机电器件.第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法

IEC 60749-26-2013 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第26部分:静电放电（ESD）灵敏度测试 - 人体模型（HBM）

IEC 60749-26:2013 半导体器件.机械和气候试验方法.第26部分:静电放电敏感性(ESD)测试.人体模型(HBM)

IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV 半导体器件.机械和气候试验方法.第1部分: 27:静电放电（ESD）灵敏度测试-机器 型号（毫米）

IEC 60749-27-2006+AMD1-2012 CSV 半导体器件.机械和气候试验方法.第1部分: 27:静电放电（ESD）灵敏度测试-机器 型号（毫米）

IEC 62047-9 CORR 1:2012 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试

IEC 62047-9 Corrigendum 1:2012 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试

IEC 62047-13-2012 半导体器件 - 微机电器件 - 第13部分:测量MEMS结构的粘合强度的弯曲和剪切型测试方法

IEC 62047-12-2011 半导体器件 - 微机电器件 - 第12部分:使用谐振器振荡的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法

IEC 62047-12:2011 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法

IEC 60749-30 Edition 1.1:2011 半导体器件的机械和环境试验.第30部分:非密封表面安装设备可靠性测试前的预处理

IEC 62047-10-2011 半导体器件 - 微机电器件 - 第10部分:MEMS材料的微柱压缩测试

IEC 60749-40-2011 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第40部分:使用应变仪的电路板级跌落测试方法

IEC 62047-9:2011 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试

IEC 60749-7-2011 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第7部分:内部水分含量测量和其他残留气体的分析

IEC 60749-30 AMD 1:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第30部分:先于可靠性测试的非密封性表面贴装设备的预处理

IEC 60749-21-2011 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第21部分:可焊性

IEC 60749-29-2011 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第29部分:闩锁测试

IEC 60749-34-2010 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第34部分:电力循环

IEC 60749-15-2010 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度

IEC 60749-34:2010 半导体器件.机械和环境测试方法.第34部分:电力循环

IEC 62374-1-2010 半导体器件 - 第1部分:金属间时间相关介质击穿（Tddb）测试

IEC 62415-2010 半导体器件 - 恒流电迁移测试

IEC 62416:2010 半导体器件 - Mos晶体管上的热载体测试

IEC 62416-2010 半导体器件 - Mos晶体管上的热载体测试

IEC 62417-2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfets）的移动离子测试

IEC 62418-2010 半导体器件 - 金属化应力空隙测试

IEC 60749-20-1-2009 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20-1部分:表面贴装装置的处理 包装 标签和运输对水分和焊接热的综合影响敏感

IEC 60749-20-2008 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20部分:塑料封装Smds的电阻与水分和焊接热的组合效应

IEC 60700-1 AMD 2:2008 高压直流电(HVDC)电力传输用半导体闸流管阀.第1部分:电气测试

IEC 60749-38-2008 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第38部分:具有存储器的半导体器件的软错误测试方法

IEC 60749-37-2008 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第37部分:使用加速度计的板级跌落测试方法

IEC 62526-2007 标准测试接口语言（stil）用于半导体设计环境

IEC 60191-6-16-2007 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:BGA、LGA、FBGA和FLGA用半导体测试和老化插座词汇表

IEC 62374-2007 半导体器件 - 栅极介质膜的时间依赖介质击穿（tddb）测试

IEC 62047-2-2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第2部分:薄膜材料的拉伸测试方法

IEC 60749-27-2006 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第27部分:静电放电（esd）灵敏度测试 - 机器型号（mm）

IEC 60749-35-2006 半导体器件 - 机械和气候测试方法第35部分:塑料封装电子元件的声学显微镜

IEC 60749-27:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电(ESD)灵敏度测试.机器模型(MM)

IEC 60749-30-2005 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第30部分:在可靠性测试之前对非密封性表面贴装器件进行预处理

IEC 60749-33-2004 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第33部分:加速耐湿性 - 无偏压高压灭菌器

IEC 60749-24-2004 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第24部分:加速耐湿性 - 无偏差

IEC 60749-23-2004 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第23部分:高温工作寿命

IEC 60749-27:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电灵敏度测试.机器模型

IEC 60749-14-2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第14部分:终端的鲁棒性（引线完整性）

IEC 60749-25-2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第25部分:温度循环

IEC 60749-17-2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第17部分:中子照射

IEC 60749-19-2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第19部分:模具剪切强度

IEC 60749-16-2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第16部分:粒子撞击噪声检测（PIND）

IEC 60749-18-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第18部分:电离辐射（总剂量）

IEC 60749-22-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第22部分:粘结强度

IEC 60749-8-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第8部分:密封

IEC 60749-31-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第31部分:塑料封装器件的易燃性（内部诱导）

IEC 60749-1-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第1部分:总则

IEC 60749-32-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第32部分:塑料封装器件的易燃性（外部诱导）

IEC 60748-23-2-2002 半导体器件 - 集成电路 - 第23-2部分:混合集成电路和薄膜结构 - 制造线认证 - 内部目视检查和特殊测试

IEC 60749-11-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第11部分:温度快速变化 - 双流体浴法

IEC 60749-4-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法第4部分:潮湿热 稳态 高加速应力测试（HAST）

IEC 60749-2-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第2部分:低气压

IEC 60749-13-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第13部分:盐气氛

IEC 60749-6-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第6部分:高温储存

IEC 60749-3-2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第3部分:外部目视检查

IEC 60747-5-3:1997 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法

IEC 60759-1983 半导体X射线能谱仪的标准测试程序

美国材料与试验协会，关于半导体测试的标准

ASTM D4325-20 非金属半导体和电绝缘橡胶胶带的标准测试方法

ASTM D6095-12(2018) 用于挤出交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率的纵向测量的标准测试方法

ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

ASTM E1161-95 半导体和电子元件的放射性的测试方法

工业和信息化部，关于半导体测试的标准

YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法

SJ/T 11706-2018 半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法

SJ/T 11702-2018 半导体集成电路 串行外设接口测试方法

SJ/T 10805-2018 半导体集成电路 电压比较器测试方法

SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南

SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法

贵州省地方标准，关于半导体测试的标准

DB52/T 1104-2016 半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法

行业标准-电子，关于半导体测试的标准

SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法

SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法

SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法

SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

SJ/T 10804-2000 半导体集成电路.电平转换器测试方法的基本原理

SJ/T 10805-2000 半导体集成电路.电压比较器测试方法的基本原理

SJ 20787-2000 半导体桥式整流器热阻测试方法

SJ 20788-2000 半导体二极管热阻抗测试方法

SJ/T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法

SJ/T 10427.2-1993 半导体集成电路音响电路中频放大器测试方法的基本原理

SJ/T 10427.1-1993 半导体集成电路音响电路调频变频器测试方法的基本原理

SJ/T 10402-1993 半导体集成音响电路自动选曲电路.测试方法的基本原理

SJ/T 10400-1993 半导体集成音响电路图示均衡电路.测试方法的基本原理

SJ/T 10401-1993 半导体集成音响电路马达稳速电路.测试方法的基本原理

SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法

SJ 2749-1987 半导体激光二极管测试方法

SJ 2757-1987 重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法

SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法

SJ 2355.3-1983 半导体发光器件测试方法.反向电流的测试方法

SJ 2355.6-1983 半导体发光器件测试方法.光通量的测试方法

SJ 2355.2-1983 半导体发光器件测试方法.正向压降的测试方法

SJ 2355.5-1983 半导体发光器件测试方法.法向光强和半强度角的测试方法

SJ 2355.4-1983 半导体发光器件测试方法.结电容的测试方法

SJ 2355.1-1983 半导体发光器件测试方法.总则

SJ 2215.11-1982 半导体光耦合器脉冲、上升、下降、延迟、贮存时间的测试方法

SJ 2214.7-1982 半导体光敏三极管饱和压降的测试方法

SJ 2215.14-1982 半导体光耦合器入出间绝缘耐压的测试方法

SJ 2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法

SJ 2214.2-1982 半导体光敏二极管正向压降的测试方法

SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法

SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法

SJ 2214.9-1982 半导体光敏二、三极管脉冲上升、下降时间的测试方法

SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法

SJ 2215.13-1982 半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法

SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法

SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法

SJ 2215.1-1982 半导体光耦合器测试方法总则

SJ 2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法

SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法

SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法

SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法

SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法

SJ 2214.10-1982 半导体光敏二、三极管光电流的测试方法

SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法

SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法

SJ 2214.1-1982 半导体光敏管测试方法总则

SJ 2215.12-1982 半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法

SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法

SJ 2065-1982 半导体器件生产用扩散炉测试方法

SJ 1488-1979 反向阻断型高频半导体闸流管额定高频通态平均电流IT的测试方法

SJ 1267-1977 半导体器件用散热器在自然空气冷却状态下的热阻测试方法

SJ/T 10880-1996 半导体集成音响电路立体声解码器测试方法的基本原理

SJ 2658.7-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射通量的测试方法

SJ/T 10736-1996 半导体集成电路 HTL电路测试方法的基本原理

SJ/T 10800-1996 半导体集成接口电路读出放大器测试方法的基本原理

SJ/T 10803-1996 半导体集成接口电路线电路测试方法的基本原理

SJ/T 11006-1996 半导体电视集成电路行场扫描电路测试方法的基本原理

SJ/T 10741-1996 半导体集成电路 ＣＭＯＳ电路测试方法的基本原理

SJ/T 10801-1996 半导体集成接口电路磁芯存储器驱动器测试方法的基本原理

SJ/T 10879-1996 半导体集成音响电路音频前置放大器测试方法的基本原理

SJ/T 11007-1996 半导体电视集成电路视频信号和色信号处理电路测试方法的基本原理

SJ/T 10735-1996 半导体集成电路 TTL电路测试方法的基本原理

SJ 2658.13-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率温度系数的测试方法

SJ 2658.9-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射强度空间分布和半强度角的测试方法

SJ/T 11004-1996 半导体电视集成电路图象通道电路测试方法的基本原理

SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理

SJ/T 10740-1996 半导体集成电路 双极型随机存储器测试方法的基本原理

SJ/T 10882-1996 半导体集成电路线性放大器测试方法的基本原理

SJ/T 10804-1996 半导体集成接口电路电平转换器测试方法的基本原理

SJ/T 10881-1996 半导体集成音响电路电平指示驱动器测试方法的基本原理

SJ/T 10737-1996 半导体集成电路 ECL电路测试方法的基本原理

SJ/T 11005-1996 半导体电视集成电路伴音通道电路测试方法的基本原理

SJ/T 10818-1996 半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理

SJ 2658.5-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法

SJ 2658.2-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向压降测试方法

SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法

SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法

SJ 2658.11-1986 半导体红外发光二极管测试方法.脉冲响应特性的测试方法

SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法

SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法.总则

SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法

SJ 2658.8-1986 半导体红外发光二极管测试方法.法向辐射率的测试方法

SJ 2658.10-1986 半导体红外发光二极管测试方法.调制宽带的测试方法

SJ/T 10806-1996 半导体集成接口电路显示驱动器测试方法的基本原理

SJ/T 10739-1996 半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理

SJ/T 10802-1996 半导体集成接口电路外围驱动器测试方法的基本原理

SJ/T 10805-1996 半导体集成接口电路电压比较器测试方法的基本原理

德国标准化学会，关于半导体测试的标准

DIN 50451-3-2014 半导体工艺用材料测试. 液体中痕量元素测定. 第3部分: 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 测定高纯度硝酸中的31种元素

DIN 50451-6-2014 半导体工艺用材料测试. 液体中痕量元素测定. 第6部分: 测定含有氢氟酸的高纯度氟化铵溶液蚀刻混合物和高纯度氟化铵溶液 (NH4F) 中的36种元素

DIN EN 62047-12-2012 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法(IEC 62047-12-2011).德文版本EN 62047-12-2011

DIN EN 60749-30-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第30部分:可靠性测试前非密封表面安装设备预处理(IEC 60749-30-2005+A1-2011).德文版 EN 60749-30-2005+A1-2011

DIN 50451-5-2010 半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.第5部分:在每千克微克和每千克豪微克范围之内的痕量元素测定用样品和样品制备装置的材料选择及其适用性试验指南

DIN 50451-4-2007 半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.用电感耦合等离子体质谱测定法测定纯净水中34中微量元素

DIN 50450-9-2003 半导体工艺材料测试.载气和掺杂气体杂质测定.第9部分:用气相色谱法测定气态氯化氢中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氢和C<下标1>-C<下标3>-烃类含量

DIN 50451-3-2003 半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.第3部分:用电感耦合等离子体质谱法测定硝酸中铝(AL)、钴(Co)、铜(Cu)、钠(Na)、镍(Ni)和锌(Zn)的含量

DIN 50451-2-2003 半导体工艺材料测试.液体中痕量元素测定.第2部分:用等离子感应发射分光光度测定法测定氢氟酸中钴(Co)、铬(Cr)、铜(Ca)、铁(Fe)和镍(Ni)的含量

英国标准学会，关于半导体测试的标准

BS EN 60749-26-2014 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)

BS ISO 14605:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源

BS EN 62047-18-2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法

BS EN 60749-29-2011 半导体装置.机械和气候耐受性试验方法.闩锁效应测试

BS ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源

BS EN 60749-34-2010 半导体器件.机械和环境测试方法.动力循环

BS IEC 62526:2007 半导体设计环境用标准测试接口语言(STIL)的扩展标准

BS EN 60191-6-16-2007 半导体器件的机械标准化.球栅阵列封装(BGA),栅格阵列(LGA),栅阵列(FBGA)和距基板栅格阵列(FLGA)用老化插座和半导体测试的术语表

BS EN 62047-3-2006 半导体器件.微机电设备.拉伸测试的薄膜标准试样

BS EN 60749-27-2006+A1-2012 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.机器模型(MM)

BS EN 60749-27-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.机器模型(MM)

BS EN 60749-26-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)

BS EN 60749-30-2005 半导体器件.机械和气候试验方法.第30部分:可靠性测试之前非气密表面安装器件的预调试

日本工业标准调查会，关于半导体测试的标准

JIS C5630-12-2014 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法

JIS R1750-2012 精细陶瓷.室内光环境下测试半导体光催化材料用光源

JIS C5630-6-2011 半导体器件.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳测试方法

JIS C5630-2-2009 半导体器件.微型机电器件.第2部分:薄膜材料的拉伸测试方法

JIS C5630-3-2009 半导体器件.微型机电器件.第3部分:拉伸测试用薄膜标准试样

法国标准化协会，关于半导体测试的标准

NF B44-105-2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源

NF C96-050-10-2012 半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩测试

NF C96-050-12-2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第12部分: 使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法.

NF C96-050-9-2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第9部分: 微机电系统硅片的硅片键合强度测试.

NF B44-103-2011 细瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).测试半导体光催化材料所用的紫外光源.

NF C96-022-19/A1-2011 半导体装置抗机械及气候影响性能的测试方法.第19部分:晶片抗切强度.

NF C96-022-15-2011 半导体器件.机械和环境测试方法.第15部分:引脚插入式封装设备的耐钎焊温度.

NF C96-022-27-2006 半导体装置.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电(ESD)灵敏度测试.机器模型(MM)

NF C96-022-26-2006 半导体装置.机械和气候试验方法.第26部分:静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)

NF C53-225-1985 直流高压电力传输用半导体电子管的测试

国际标准化组织，关于半导体测试的标准

ISO 14605:2013 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).室内照明环境用测试半导体光电材料光源

ISO 10676:2010 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法

ISO 27447:2009 精细陶瓷.(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法

韩国标准，关于半导体测试的标准

KS L ISO 10676:2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法

KS L ISO 27447:2011 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法

KS C 6520-2008 半导体工艺零件的等离子耐磨性测试

KS C IEC 60749-34:2006 半导体器件.机械和环境测试方法.第34部分:电力循环

KS C IEC 60747-5-3:2004 半导体分立器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测试方法

KS C 6565-2002 半导体加速度传感器的测试方法

行业标准-邮电通信，关于半导体测试的标准

YD/T 2001.2-2011 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法

YD/T 701-1993 半导体激光二极管组件测试方法

欧洲电工标准化委员会，关于半导体测试的标准

EN 62047-9-2011 半导体器件.微型电机装置.第9部分:微型电机系统(MEMS)硅片的硅片键合强度测试

EN 62418-2010 半导体器件.金属压力空隙测试

EN 60749-27-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电(ESD)灵敏度测试.机器模型(MM)IEC 60749-27-2006

EN 60749-39-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元器件用有机材料湿气扩散率和水溶率的测试 IEC 60749-39-2006

行业标准-有色金属，关于半导体测试的标准

YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

美国国防后勤局，关于半导体测试的标准

DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的寄存的总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的18位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-95614-1995 先进双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线无线电收发机扫描测试装置,三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

DLA SMD-5962-91746-1994 硅单块 倒转三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91726-1994 硅单块 三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

美国国家标准学会，关于半导体测试的标准

ANSI/IEEE 1450.1:2005 半导体设计环境用标准测试接口语言(STIL)(IEEE Std. 1450-1999)扩展的标准

美国电气电子工程师学会，关于半导体测试的标准

IEEE 1450.1:2005 半导体设计环境用标准测试接口语言的扩展(STIL)(IEEE Std 1450-1999)

IEEE 660:1986 半导体存储器测试图语言

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半导体测试的标准

JEDEC JESD22-B108A-2003 表面装贴半导体仪器的共面性测试

JEDEC JEP140-2002 半导体珠状温度测试

JEDEC JESD66-1999 半导体闸流管电涌保护设备分级认证和特征测试的瞬时电压抑止器标准

JEDEC JESD57-1996 重离子辐射中半导体设备的单粒子效应测量的测试规程

JEDEC JESD390A-1981 半导体逻辑闸控微电路噪声安全系数标准测试程序

政府电子与信息技术协会（US-GEIA改名为US-TECHAMERICA)，关于半导体测试的标准

GEIA SSB-1.004-1999 失败率测试 附件SSB-1 军事,航空航天和其他方面用塑料包裹微型电路和半导体指南

GEIA SSB-1.002-1999 环境测试和相关失败机制 附件SSB-1,军事,航空航天和其他方面用塑料包裹微型电路和半导体指南

澳大利亚标准协会，关于半导体测试的标准

AS/NZS 1660.2.5-1998 电缆、包皮和导体的测试方法 绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳 1kV以上电缆的特定方法

AS/NZS 1660.2.3-1998 电缆、包皮和导体的测试方法 绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳 PVC和卤素热塑性塑料材料的特定方法

AS/NZS 1660.2.2-1998 电缆、包皮和导体的测试方法 绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳 人造橡胶、XLPE和XLPVC材料的特定方法

行业标准-航天，关于半导体测试的标准

QJ 3044-1998 半导体集成电路数/模转换器和模/数转换器测试方法

QJ 2660-1994 半导体集成电路.开关电源脉宽调制器测试方法

QJ 2491-1993 半导体集成电路运算放大器测试方法

QJ 1460-1988 半导体集成电路宽带放大器测试方法

QJ 257-1977 半导体TTL集成数字电路测试方法

QJ 259-1977 半导体集成稳压电源测试方法

QJ 1528-1988 半导体集成电路时基器测试方法

QJ 1526-1988 半导体集成电路运算放大器特殊参数测试方法

QJ 260-1977 半导体集成相敏整流电路测试方法

QJ/Z 32-1977 半导体集成比较放大器测试方法

行业标准-机械，关于半导体测试的标准

JB/T 6307.3-1992 电力半导体模块测试方法.整流管三相桥

JB/T 6307.1-1992 电力半导体模块测试方法.整流管臂对

JB/T 6307.2-1992 电力半导体模块测试方法.整流管单相桥

JB/T 6307.4-1992 电力半导体模块测试方法.双极型晶体管臂和臂对

JB/T 6307.5-1994 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥

台湾地方标准，关于半导体测试的标准

CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法

CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法

CNS 6802-1980 半导体逻辑闸微电路噪声界限之测试程序

CNS 5751-1980 电子组件与半导体应用之陶质视在密度测试法

美国电子元器件、组件及材料协会，关于半导体测试的标准

ECA CB 5-1-1971 半导体热驱散设备的推荐测试程序 CB5的附录

ECA CB 5-1969 半导体热驱散设备的推荐测试程序