本专题涉及测量 纳米 制造的标准有25条。
国际标准分类中，测量 纳米 制造涉及到物理学、化学、电池和蓄电池、电子元器件综合、长度和角度测量。
在中国标准分类中，测量 纳米 制造涉及到物理学与力学、电子元件综合。
国际电工委员会，关于测量 纳米 制造的标准
IEC TS 62607-9-1:2021 纳米制造.关键控制特性.第9-1部分:可追踪的空间分辨纳米级杂散磁场测量.磁力显微镜
IEC TS 62607-9-1-2021 纳米制造.关键控制特性.第9-1部分:可追踪的空间分辨纳米级杂散磁场测量.磁力显微镜
IEC TS 62607-5-3:2020 纳米制造关键控制特性第5-3部分:薄膜有机/纳米电子器件电荷载流子浓度的测量
IEC TS 62607-5-3-2020 纳米制造关键控制特性第5-3部分:薄膜有机/纳米电子器件电荷载流子浓度的测量
IEC TS 62607-4-2-2016 纳米制造关键控制特性第4-2部分:纳米电能存储阴极纳米材料的物理特性密度测量
IEC TS 62607-4-2:2016 纳米制造关键控制特性第4-2部分:纳米电能存储阴极纳米材料的物理特性密度测量
IEC/TS 62607-4-2-2016 纳米制造. 关键控制特性. 第4-2部分: 纳米电能储存. 阴极纳米材料的物理特性, 密度测量
IEC TS 62607-6-4-2016 纳米制造关键控制特性第6-4部分:石墨烯谐振腔表面电导测量
IEC TS 62607-6-4:2016 纳米制造关键控制特性第6-4部分:石墨烯谐振腔表面电导测量
IEC/TS 62607-6-4-2016 纳米制造. 关键控制特性. 第6-4部分: 石墨稀. 利用谐振腔的表面电导测量
IEC TS 62607-4-3:2015 纳米制造.关键控制特性.第4-3部分:纳米电能存储.纳米材料的接触和涂层电阻率测量
IEC TS 62607-4-3-2015 纳米制造.关键控制特性.第4-3部分:纳米电能存储.纳米材料的接触和涂层电阻率测量
IEC/TS 62607-4-3-2015 纳米制造. 关键控制特性. 第4-3部分: 纳米电能存储. 用于纳米材料的接触和涂层电阻率测量
IEC TS 62607-5-1:2014 纳米制造关键控制特性第5-1部分:薄膜有机/纳米电子器件载流子传输测量
IEC TS 62607-5-1-2014 纳米制造关键控制特性第5-1部分:薄膜有机/纳米电子器件载流子传输测量
IEC/TS 62607-5-1-2014 纳米制造.关键控制特性.第5-1部分:薄膜有机/纳米电子设备.载体运输测量
，关于测量 纳米 制造的标准
GOST R 8.592-2009 国家测量统一性保证体系.单晶硅纳米级救济措施.几何形状,线性尺寸规格及制造材料要求
GOST R 8.592-2009 国家测量统一性保证体系.单晶硅纳米级救济措施.几何形状,线性尺寸规格及制造材料要求
GOST R 8.628-2007 国家测量统一性保证体系.单晶硅纳米级救济措施.几何形状,线性尺寸及制造材料的选择要求
英国标准学会，关于测量 纳米 制造的标准
BS PD IEC/TS 62607-6-4-2016 纳米制造. 关键控制特性. 石墨稀. 利用谐振腔的表面电导测量
BS PD IEC/TS 62607-4-3-2015 纳米制造. 关键控制特性. 纳米电能存储. 用于纳米材料的接触和涂层电阻率测量
BS PD IEC/TS 62607-4-3-2015 纳米制造. 关键控制特性. 纳米电能存储. 用于纳米材料的接触和涂层电阻率测量
BS PD IEC/TS 62607-5-1-2014 纳米制造. 关键控制特性. 有机薄膜/纳米电子器件. 载波传输测量
