质谱仪二次电子检测

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本专题涉及质谱仪二次电子的标准有94条。

国际标准分类中，质谱仪二次电子涉及到分析化学、金属材料试验、半导体材料、半导体分立器件、电学、磁学、电和磁的测量、食品试验和分析的一般方法、电子元器件综合。

在中国标准分类中，质谱仪二次电子涉及到基础标准与通用方法、半金属及半导体材料分析方法、元素半导体材料、光学计量仪器、电子光学与其他物理光学仪器、半金属与半导体材料综合、、食品卫生、电子元件综合、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、化学助剂基础标准与通用方法、基础标准和通用方法、仪器、仪表综合、电子技术专用材料。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于质谱仪二次电子的标准

GB/T 40129-2021 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪质量标校准

GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法

GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法

GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法

GB/T 39560.6-2020 电子电气产品中某些物质的测定 第6部分：气相色谱-质谱仪（GC-MS）测定聚合物中的多溴联苯和多溴二苯醚

国际标准化组织，关于质谱仪二次电子的标准

ISO 13084:2018 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 用于飞行时间二次离子质谱仪的质谱的校准

ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱分析法.飞行时间二次离子质谱仪用质量标度的校准

ISO 20411:2018 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数动态二次离子光谱法中饱和强度的校正方法

ISO/TS 22933:2022 表面化学分析.二次离子质谱法.模拟离子质谱中质量分辨率的测量方法

ISO 178:1975 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性

ISO 17862:2013 表面化学分析——二次离子质谱法——单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性

ISO 178:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性

ISO 17862:2022 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性

ISO 22048:2004 表面化学分析——静态二次离子质谱信息格式

ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

ISO 14237:2000 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

ISO 17109:2022 表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法

ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法

ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法

ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

日本工业标准调查会，关于质谱仪二次电子的标准

JIS K 0157:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 渡越时间二次离子质谱仪的质量标度的校准

JIS K 0158:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 单离子计数动态二次离子质谱法中饱和强度的校正方法

JIS K 0153:2015 表面化学分析. 二次离子质谱法. 静态二次离子质谱法中相对强度范围的重复性和稳定性

JIS K 0155:2018 表面化学分析 二次离子质谱法 单离子计数时间飞行质量分析仪中强度刻度的线性度

JIS K 0168:2011 表面化学分析.静态二次离子质谱法用信息格式

JIS K 0156:2018 表面化学分析-二次离子质谱法-使用多δ层参考材料的硅深度校准方法

英国标准学会，关于质谱仪二次电子的标准

BS ISO 13084:2018 跟踪更改 表面化学分析 二次离子质谱分析 飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准

BS ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱.飞行时间二次离子质谱用质量标度的校准

BS ISO 20411:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数动态二次离子质谱饱和强度校正方法

BS ISO 17862:2022 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性

BS ISO 22048:2004 表面化学分析 静态二次离子质谱的信息格式

20/30409963 DC BS ISO 17862 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性

BS ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法

20/30409889 DC BS ISO 18114 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定

BS ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

BS ISO 17109:2022 表面化学分析 深度剖析 使用单层和多层薄膜的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率的测定方法...

21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化学分析 深度剖析 使用单一和……的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率测定方法

BS ISO 18114:2021 跟踪更改 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定

法国标准化协会，关于质谱仪二次电子的标准

NF ISO 23830:2009 表面化学分析 二次离子质谱 二次离子静态质谱中相对强度标度的重复性和稳定性

NF X21-070*NF ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度.

NF ISO 14237:2010 表面化学分析 二次离子质谱分析 使用均匀掺杂材料的硅中硼原子的剂量

NF ISO 17560:2006 表面化学分析 二次离子质谱分析 通过厚度分析确定硅中硼的剂量

NF EN IEC 62321-12:2023 电子产品中某些物质的测定 第12部分：同时测定 聚合物中多溴联苯、多溴二苯醚和邻苯二甲酸酯的气相色谱-光谱仪...

NF ISO 23812:2009 表面化学分析 二次离子质谱 使用多三角层状参比材料的硅深度校准方法

美国材料与试验协会，关于质谱仪二次电子的标准

ASTM E1504-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程

ASTM E2695-09 用飞行时间二次离子质谱法说明质谱数据获取的标准指南

ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

ASTM E1635-95(2000) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程

ASTM E1635-06(2019) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程

ASTM E1016-07(2020) 文献描述静电电子光谱仪性质的标准指南

ASTM F1366-92(1997)e1 用次级离子质谱仪测量重掺杂硅基底中氧含量的测试方法

ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

国家质检总局，关于质谱仪二次电子的标准

GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法

GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法

GB/T 25186-2010 表面化学分析.二次离子质谱.由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子

GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法

GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法

GB/T 29785-2013 电子电气产品中六溴环十二烷的测定 气相色谱-质谱联用法

GB/T 32883-2016 电子电气产品中六溴环十二烷的测定 高效液相色谱-质谱法

GB/T 29786-2013 电子电气产品中邻苯二甲酸酯的测定 气相色谱-质谱联用法

GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法

GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法

GB/T 24582-2009 酸浸取.电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

行业标准-电子，关于质谱仪二次电子的标准

SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法

SJ/T 10553-2021 电子陶瓷用二氧化锆中杂质的发射光谱分析方法

SJ/T 10552-2021 电子陶瓷用二氧化钛中杂质的发射光谱分析方法

SJ/T 10552-1994 电子陶瓷用二氧化钛中杂质的发射光谱分析方法

SJ/T 10553-1994 电子陶瓷用二氧化锆中杂质的发射光谱分析方法

SJ/T 10551-1994 电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法

SJ/T 10551-2021 电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法

韩国科技标准局，关于质谱仪二次电子的标准

KS D ISO 22048-2005(2020) 表面化学分析 - 静态二次离子质谱的信息格式

KS D ISO 18114-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法离子注入标准物质相对灵敏度因子的测定

KS D ISO 20341-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法用多δ层标准物质估算深度分辨参数的方法

行业标准-农业，关于质谱仪二次电子的标准

781兽药典 一部-2015 附录目次0400 光谱法0412 电感耦合等离子体质谱法

775兽药典 二部-2015 附录目次 0400 光谱法 0411 电感耦合等离子体质谱法

中国团体标准，关于质谱仪二次电子的标准

T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

T/CIMA 0023-2020 车载式电感耦合等离子体四极杆质谱仪技术要求

国家质量监督检验检疫总局，关于质谱仪二次电子的标准

SN/T 4585-2016 出口食品中甲基砷酸、二甲次胂酸残留量的测定 液相色谱-电感耦合等离子体质谱法

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于质谱仪二次电子的标准

GB/T 33344-2016 电子电气产品中2,4-二硝基甲苯的测定 气相色谱-质谱法

GB/T 34826-2017 四极杆电感耦合等离子体质谱仪性能的测定方法

KR-KS，关于质谱仪二次电子的标准

KS D ISO 17560-2003(2023) 表面化学分析-二次离子质谱分析-硅内硼深度分布测定场法

KS D ISO 14237-2003(2023) 表面下学分析-二次离子质谱分析-硅内均匀添加硼原子浓度的测定方法

国家计量技术规范，关于质谱仪二次电子的标准

JJF 1159-2006 四极杆电感耦合等离子体质谱仪校准规范

行业标准-商品检验，关于质谱仪二次电子的标准

SN/T 2591.2-2010 电子电气产品中邻苯二甲酸酯类物质的测定 第2部分：气相色谱-质谱联用法

行业标准-有色金属，关于质谱仪二次电子的标准

YS/T 980-2014 高纯三氧化二镓杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法