半导体具有各向检测

本专题涉及半导体具有各向的标准有65条。

国际标准分类中，半导体具有各向涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、整流器、转换器、稳压电源、电池和蓄电池、电学、磁学、电和磁的测量。

在中国标准分类中，半导体具有各向涉及到信息处理技术综合、半导体集成电路、半导体整流器件、电力半导体器件、部件、半导体分立器件综合、电子测量与仪器综合。

PL-PKN，关于半导体具有各向的标准

PN M66630-1988 锻造工具．安装有梨形导向装置的修边模．半成品

PN M66633-1990 锻造工具．安装有对称导向装置的修边模．半成品

SE-SIS，关于半导体具有各向的标准

SIS SEN 43 32 00-1973 半导体装置．标准测量/调查 瑞典标准具有国际建议的有效性

PH-BPS，关于半导体具有各向的标准

PNS IEC 62258-5:2021 半导体模具产品.第5部分：有关电模拟的信息要求

英国标准学会，关于半导体具有各向的标准

BS IEC 60747-18-3:2019 半导体器件 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性

18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 半导体器件 第18-3部分 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性

22/30458390 DC BS EN 61674 Ed.3.0 医疗电气设备 用于 X 射线诊断成像的具有电离室和/或半导体探测器的剂量计

美国国防后勤局，关于半导体具有各向的标准

DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 硅单片,有明沟输入的六位反向器,改进型氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-90686-1999 硅单片,TTL可兼容输入,装有明沟输出的六位反向器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 硅单片,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 硅单片,TTL兼容输入,装有施米特触发器的六位倒向器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的正向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的反向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92196 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位双向收发器/锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93115 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向可连续控制存取网络,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93116 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向可连续控制存取网络,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-04228-2004 硅单片互补晶体管-晶体管逻辑电路,装有预先装置及脉冲计时器,双向二进制计算器的高级氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-89708 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态反向输出的双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92184 REV B-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92185 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92186 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92194 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位双向收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有8位奇偶发生器/校验器的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92199 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的十位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-93127 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向线路驱动器及可连续控制存取网络,氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位收发器及锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-92267 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的20位正向缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92240 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向明沟输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92243-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位反向双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92259 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92268 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的20位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93141 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出及奇偶发生器/校验器的9位可锁存收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-94587 REV B-1999 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入及串联继电器的16位正向缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向八位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92228-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的十位总线接口锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92211 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92232-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92273 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93020-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92270 REV D-1997 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92272 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及正向三态输出的16位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-92282-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93025-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的八位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路

法国标准化协会，关于半导体具有各向的标准

NF ISO 16525-6:2014 粘合剂 - 具有各向同性导电性的粘合剂的测试方法 - 第 6 部分：抗摆式冲击性能的测定

BE-NBN，关于半导体具有各向的标准

NBN-HD 405.2-1994 火中电缆试验．第2部分：有关导体或绝缘电缆的试验，后者垂直方向上具有芯线

德国标准化学会，关于半导体具有各向的标准

DIN 41776:1983 静态电源转换器.蓄电池充电用具有I特性曲线的半导体整流器.要求

DIN 41776:1983-01 静态电源转换器；用于电池充电的具有I特性的半导体整流设备；要求

DIN 41774:1987 静态功率转换器.铅酸蓄电池充电用具有W特性的半导体整流器设备.要求

DIN 41773-2:1982 静态功率转换器.用于镍/镉蓄电池充电用具有IU特性曲线的半导体整流设备.要求

DIN 41775:1979-04 静态电源转换器；用于镍/镉和镍/铁电池充电的具有“W”特性的半导体整流器设备，要求

DIN 41773-1:1979 静态功率变流器.第1部分:铅酸蓄电池滴流充电用具有 IU 特性的半导体整流器设备指南

DIN 41775:1979 静态电源转换器.用于镍/镉和镍/铁蓄电池充电用具有W特性曲线的半导体整流设备.要求

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于半导体具有各向的标准

PQC 8 ISSUE 1-1996 半导体光电器件空白详细规范：具有光电晶体管输出评估级别类别 I II 或 III 的环境或外壳额定光电耦合器