硅的衍射峰位检测

本专题涉及硅的衍射峰位的标准有54条。

国际标准分类中，硅的衍射峰位涉及到半导体材料、化工产品、分析化学、耐火材料、建筑材料、橡胶和塑料用原料、空气质量、焊接、钎焊和低温焊、声学和声学测量、道路工程、集成电路、微电子学、铁路建筑。

在中国标准分类中，硅的衍射峰位涉及到轻金属及其合金分析方法、、冶金辅助原料矿、基础标准与通用方法、硅质耐火材料、催化剂基础标准与通用方法、混凝土、集料、灰浆、砂浆、水泥、水泥混合材与外加剂、炭黑、化学试剂综合、大气环境有毒害物质分析方法、工业防尘防毒技术、金属无损检验方法、标准化、质量管理、微电路综合、半导体集成电路。

工业和信息化部，关于硅的衍射峰位的标准

YS/T 1160-2016 工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法

中国团体标准，关于硅的衍射峰位的标准

T/CASAS 014-2021 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法

国际标准化组织，关于硅的衍射峰位的标准

ISO 19950:2015 主要用于铝生产的氧化铝. α氧化铝含量的测定. 采用X射线衍射净峰面积的方法

ISO 16258-1:2015 工作场所的空气. 采用X射线衍射分析可吸入结晶二氧化硅. 第1部分: 直接过滤法

ISO 16258-2:2015 工作场所的空气. 采用X射线衍射分析可吸入结晶二氧化硅. 第2部分: 间接分析法

英国标准学会，关于硅的衍射峰位的标准

BS ISO 19950:2015 主要用于铝生产的氧化铝. α氧化铝含量的测定. 采用X射线衍射净峰面积的方法

BS ISO 24173:2009 微束分析.使用电子反向散射体衍射的方位测量准则

BS EN 12698-2:2007 和碳化硅耐熔制品结合的氮化物的化学分析.射线衍射(XRD)法

23/30446996 DC BS EN ISO 21068-4 含有碳化硅、氮化硅、氮氧化硅和塞隆的原材料和耐火制品的化学分析第4部分：X射线衍射方法

BS 7706:1993 裂纹探测、定位及尺寸用超声时间损耗衍射技术的校正及确定指南

23/30468479 DC BS EN 1793-4 草案 道路交通降噪装置 确定声学性能的测试方法 第4部分：固有特性 声衍射的原位值

GSO，关于硅的衍射峰位的标准

GSO ISO 19950:2021 主要用于生产铝的氧化铝 α 氧化铝含量的测定 使用 X 射线衍射净峰面积的方法

BH GSO ISO 19950:2022 主要用于生产铝的氧化铝 α 氧化铝含量的测定 使用 X 射线衍射净峰面积的方法

法国标准化协会，关于硅的衍射峰位的标准

NF T25-111-3:1991 碳纤维-织构和结构-第3部分：X 射线衍射的方位角分析

NF B49-422-2*NF EN 12698-2:2008 氮化物结合碳化硅耐火材料的化学分析.第2部分:X射线衍射(XRD)法.

NF ISO 16258-2:2015 工作场所空气 通过 X 射线衍射测定结晶二氧化硅的可吸入部分 第2部分：间接分析方法

NF ISO 16258-1:2015 工作场所空气 X 射线衍射法测定结晶二氧化硅的可吸入部分 第1部分：直接过滤分析方法

NF S31-301-4*NF EN 1793-4:2015 道路交通降噪装置 确定声学性能的试验方法 第4部分：固有特性 声音衍射的原位值

NF EN 16272-4:2017 铁路应用 - 轨道 - 降噪装置 - 确定声学性能的测试方法 - 第 4 部分：固有特性 - 条件下声衍射的原位值...

NF F90-272-4*NF EN 16272-4:2017 铁路应用 轨道 声屏障和作用于空气声传播的相关装置 确定声学性能的试验方法 第4部分：固有特性 直接声场下声音衍射的原位值

行业标准-化工，关于硅的衍射峰位的标准

HG/T 6149-2023 加氢催化剂及其载体中二氧化硅晶相含量的测定 X射线衍射法

美国材料与试验协会，关于硅的衍射峰位的标准

ASTM C1365-98 用X射线粉末衍射分析测定硅酸盐水泥和硅酸盐水泥熔渣的阶段比例的标准试验方法

ASTM C1365-98(2004) 用X射线粉末衍射分析测定硅酸盐水泥和硅酸盐水泥熔渣的阶段比例的标准试验方法

ASTM C1365-06(2011) 用X射线粉末衍射分析法测定硅酸盐水泥和硅酸盐水泥熔渣阶段比的标准试验方法

ASTM C1365-06 用X射线粉末衍射分析法测定硅酸盐水泥和硅酸盐水泥熔渣阶段比的标准试验方法

ASTM D4926-06(2011) 用X-射线粉末衍射法对含硅和铝矾土的触煤剂中伽马铝矾土含量的标准试验方法

ASTM D4926-89(1994)e1 用X射线粉末衍射法测定含硅和氧化铝催化剂中γ-氧化铝含量的标准试验方法

ASTM D4926-89(2001) 用X-射线粉末衍射法对触煤剂中含硅和铝矾土的触煤剂中伽马铝矾土含量的试验方法

ASTM D4926-06 用X-射线粉末衍射法对触煤剂中含硅和铝矾土的触煤剂中伽马铝矾土含量的试验方法

ASTM D4926-15 采用X射线衍射法对含硅和铝矾土的催化剂和催化剂载体中伽马铝矾土含量的标准试验方法

ASTM D4926-20 通过X射线粉末衍射的含有二氧化硅和氧化铝的催化剂和催化剂载体中的γ氧化铝含量的标准测试方法

欧洲标准化委员会，关于硅的衍射峰位的标准

EN 12698-2:2007 氮化物结合碳化硅耐火材料的化学分析.第2部分:X射线衍射(XRD)法

EN 1793-4:2015 道路交通降噪装置.测定声学性能的试验方法.第4部分：固有特性-声衍射的原位值

德国标准化学会，关于硅的衍射峰位的标准

DIN EN 12698-2:2007 氮化物结合碳化硅耐火材料的化学分析.第2部分:X射线衍射(XRD)法

DIN EN 1793-4:2015-05 道路交通降噪装置-测定声学性能的试验方法-第4部分：固有特性-声衍射原位值

DIN EN 1793-4:2023 道路交通降噪装置 测定声学性能的试验方法 第4部分：固有特性 声衍射原位值

DIN EN 16272-4:2016 铁路应用 轨道 声屏障和作用于空气声传播的相关装置 声学性能测定的试验方法 第4部分：固有特性 直接声场下声音衍射的原位值

国家质检总局，关于硅的衍射峰位的标准

GB/T 32698-2016 橡胶配合剂 沉淀水合二氧化硅粒度分布的测定 激光衍射法

美国国防后勤局，关于硅的衍射峰位的标准

DLA SMD-5962-96584 REV B-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅

DLA SMD-5962-96584 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅

DLA SMD-5962-06238 REV B-2009 微电路、数字、先进的 CMOS 抗辐射、具有三态输出的 8 位通用移位/存储寄存器、单片硅

DLA SMD-5962-96585 REV B-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、TTL 兼容输入、单片硅

DLA SMD-5962-89932 REV E-2006 硅单片,8位高速耐辐射的增值直流/交流转变器,线性微型电路

DLA SMD-5962-95746 REV C-2009 微电路、数字、高速 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入的 8 位通用移位寄存器，单片硅

DLA SMD-5962-90985 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有使能功能的 8 位幅度比较器、单片硅

DLA SMD-5962-96577 REV B-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、用于计数器的前瞻进位发生器、TTL 兼容输入、单片硅

DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 硅单片耐辐射可编程序脉冲相位差节拍缓冲器的氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-02508 REV D-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持和三态输出的 16 位总线收发器、单片硅

DLA SMD-5962-05211 REV C-2012 微电路，数字，抗辐射，低压 CMOS，带总线保持的 16 位 D 型锁存器，串联输出电阻器和三态输出，单片硅

SCC，关于硅的衍射峰位的标准

BS DD 174:1988 用于缺陷定位和尺寸测量的超声波飞行时间衍射 (TOFD) 技术的校准和设置指南

DIN EN 1793-4 E:2014 道路交通降噪装置 确定声学性能的测试方法 第4部分：固有特性 声衍射原位值 草案

AENOR UNE-EN 16272-4:2017 铁路应用 通过声学屏障和作用于声音空中传播的相关装置 确定声学性能的测试方法 第4部分：内在特征 衍射原位值...

丹麦标准化协会，关于硅的衍射峰位的标准

DS/CEN/TS 1793-4:2004 道路交通降噪装置 确定声学性能的试验方法 第4部分：固有特性 声音衍射的原位值

未注明发布机构，关于硅的衍射峰位的标准

ASTM RR-D32-1027 1989 D4926-通过X射线粉末衍射测定催化剂和含有二氧化硅和氧化铝的催化剂载体中γ-氧化铝含量的标准测试方法