可见光半导体检测

本专题涉及可见光 半导体的标准有499条。

国际标准分类中，可见光 半导体涉及到光电子学、激光设备、光学和光学测量、分析化学、医疗设备、环境试验、半导体分立器件、集成电路、微电子学、音频、视频和视听工程、开放系统互连(OSI)、天文学、大地测量学、地理学、光纤通信、标准化总则、信息技术应用、电子电信设备用机电元件、电子元器件综合、密封件、密封装置、半导体材料、词汇、陶瓷、农业和林业、无机化学、长度和角度测量、辐射测量、电灯及有关装置、物理学、化学、金属矿、电工器件、网络、塑料、消防、橡胶和塑料制品、微处理机系统、电阻器、机器、装置、设备的特性和设计、表面处理和镀涂、电子显示器件。

在中国标准分类中，可见光 半导体涉及到半导体发光器件、无机化工原料综合、半导体光敏器件、半导体集成电路、其他、、供气器材设备、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、光电子器件综合、激光器件、电子技术专用材料、微电路综合、视频、脉冲系统设备、测绘综合、半导体分立器件综合、物性分析仪器、光通信设备、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、医用超声、激光、高频仪器设备、可靠性和可维护性、物理学与力学、电子光学与其他物理光学仪器、半导体分立器件、敏感元器件及传感器、其他电真空器件、电真空器件综合、电工材料和通用零件综合、基础标准和通用方法、电源综合、半金属与半导体材料综合、特种陶瓷、载波通信设备、农药管理与使用方法、无机盐、电子测量与仪器综合、其他日用品、半导体整流器件、医用光学仪器设备与内窥镜、光学计量、计算机开放与系统互连、合成材料综合、连接器、医疗器械、广播、电视发送与接收设备、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、电阻器、稀有金属及其合金分析方法、电力半导体器件、部件、催化剂、标准化、质量管理、光学测试仪器、电化学、热化学、光学式分析仪器、安装、接线连接件。

行业标准-电子，关于可见光 半导体的标准

SJ 2684-1986 半导体发光(可见光)器件外形尺寸

SJ 50033/109-1996 半导体光电子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管.详细规范

SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉

SJ 20642-1997 半导体光电模块总规范

SJ 20786-2000 半导体光电组件总规范

SJ 2218-1982 半导体光敏二极管型光耦合器

SJ 2219-1982 半导体光敏三极管型光耦合器

SJ 20072-1992 半导体分立器件.GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器.详细规范

SJ 2220-1982 半导体达林顿型光耦合器

SJ 2558-1984 SM1～18型半导体发光数码管

SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法

SJ 2247-1982 半导体光电子器件外形尺寸

SJ 2749-1987 半导体激光二极管测试方法

SJ 2750-1987 半导体激光二极管外形尺寸

SJ 2214.1-1982 半导体光敏管测试方法总则

SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法

SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

SJ/T 11856.3-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片

SJ 2355.1-1983 半导体发光器件测试方法.总则

SJ 2215.1-1982 半导体光耦合器测试方法总则

SJ/T 11856.2-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片

SJ 50033.40-1994 GT11型半导体硅NPN光敏晶体管详细规范

SJ 50033/4-1994 半导体分立器件.GP和GT级GF 111型半导体红色发光二极管详细规范

SJ 50033/6-1994 半导体分立器件.GP和GT级GF 411型半导体绿色发光二极管详细规范

SJ 50033/5-1994 半导体分立器件.GP和GT级GF 311型半导体黄色发光二极管详细规范

SJ 50033/3-1994 半导体分立器件.GP、GT和GCT级GH21、GH22和GH23型半导体光耦合器详细规范

SJ 2214.10-1982 半导体光敏二、三极管光电流的测试方法

SJ 20642.5-1998 半导体光电模块GH82型光耦合器详细规范

SJ 20642.4-1998 半导体光电模块GH81型光耦合器详细规范

SJ 20642.6-1998 半导体光电模块GH83型光耦合器详细规范

SJ/T 11402-2009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范

SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法

SJ/T 11401-2009 半导体发光二极管产品系列型谱

SJ 50033/111-1996 半导体光电子器件GTI6型硅NPN光电晶体管详细规范

SJ/T 10435-1993 半导体电阻应变计总规范(可供认证用)

SJ 2355.5-1983 半导体发光器件测试方法.法向光强和半强度角的测试方法

SJ/Z 3206.13-1989 半导体材料发射光谱分析方法通则

SJ 50033/101-1995 GJ1325半导体激光二极管组件详细规范

SJ 50033/35-1994 GH30型半导体高速光耦合器详细规范

SJ/Z 9011.3-1987 光敏器件的测试 第3部分：用于可见光谱的光电导管的测试方法

SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法

SJ/T 11856.1-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片

SJ 50033/112-1996 半导体光电子器件.GD3251Y型光电二极管详细规范

SJ 2355.6-1983 半导体发光器件测试方法.光通量的测试方法

SJ 50033/113-1996 半导体光电子器件.GD3252Y型光电二极管详细规范

SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法

SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法

SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法

SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法.总则

SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范

SJ 20642.3-1998 半导体光电模块GD83型PIN-FET光接收模块详细规范

SJ 20644.1-2001 半导体光电子器件 GD3550Y型PIN光电二极管详细规范

SJ 20644.2-2001 半导体光电子器件 GD101型PIN光电二极管详细规范

SJ 20642.2-1998 半导体光电模块GD82型PIN-FET光接收模块详细规范

SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则

SJ 2214.2-1982 半导体光敏二极管正向压降的测试方法

SJ 2214.7-1982 半导体光敏三极管饱和压降的测试方法

SJ 20957-2006 大功率半导体激光二级管阵列通用规范

SJ 20786.1-2002 半导体光电组件.CBGS2301微型双向光电定位器.详细规范

SJ 50033/136-1997 半导体光电子器件.GF116型红色发光二极管详细规范

SJ 50033/143-1999 半导体光电子器件.GF1120型红色发光二极管详细规范

SJ 50033/137-1997 半导体光电子器件.GF216型橙色发光二极管详细规范

SJ 20642.1-1998 半导体光电模块GD81型DIN-FET光接收模块详细总规范

SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件.第2部分:测量方法

SJ 50033/139-1998 半导体光电子器件.GF4111型绿色发光二极管详细规范

SJ 50033/138-1998 半导体光电子器件.GF318型黄色发光二极管详细规范

SJ 50033/58-1995 半导体光电子器件GF413型绿色发光二极管详细规范

SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范

SJ 50033/142-1999 半导体光电子器件.GF4112型绿色发光二极管详细规范

SJ 50033/57-1995 半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范

SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范

SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范

SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法

SJ 2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法

SJ 20074-1992 半导体集成电路Jμ8305A型可编程外设接口详细规范

SJ 1102-1976 反向阻断型普通半导体闸流管（普通可控整流器）

SJ 50033/99-1995 半导体光电子器件.GF511型橙/绿双色发光二极管详细规范

SJ 20642.7-2000 半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范

SJ/T 11817-2022 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范

SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法

SJ 2215.14-1982 半导体光耦合器入出间绝缘耐压的测试方法

SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法

SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法

SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法

SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法

SJ 2215.12-1982 半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法

SJ 50033/114-1996 半导体光电子器件.GD3283Y型位敏探测器详细规范

SJ 2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法

SJ 2215.13-1982 半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法

SJ 2355.4-1983 半导体发光器件测试方法.结电容的测试方法

SJ 20075-1992 半导体集成电路Jμ8309A型可编程中断控制器详细规范

SJ 50597/57-2003 半导体集成电路.JW584/JW584A型可编程电压基准.详细规范

SJ 50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

SJ 20073-1992 半导体集成电路Jμ8304型可编程定时计数器详细规范

SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法

SJ 2355.3-1983 半导体发光器件测试方法.反向电流的测试方法

SJ 2355.2-1983 半导体发光器件测试方法.正向压降的测试方法

SJ 50033/140-1999 半导体光电子器件 3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

SJ 1619-1980 半导体管电视广播接收机用中频变压器及可调线圈

SJ 20305-1993 半导体集成电路JW723型多端可调精密稳压器详细规范

SJ 50033/110-1996 半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范

SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法

SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法

SJ 53930/1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范

SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法

SJ/T 10947-1996 电子元器件详细规范 FG341052、FG343053型半导体绿色发光二极管

SJ 2214.9-1982 半导体光敏二、三极管脉冲上升、下降时间的测试方法

SJ 2658.2-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向压降测试方法

SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法

SJ/T 10436-1993 半导体电阻应变计空白详细规范评定水平E(可供认证用)

SJ/T 31489-1995 半导体分立器件制造业产品可比单位产量能源消耗定额

SJ/T 10878-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CW723型多端可调稳压器（可供认证用）

SJ 2658.13-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率温度系数的测试方法

SJ 2658.7-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射通量的测试方法

SJ 2658.10-1986 半导体红外发光二极管测试方法.调制宽带的测试方法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于可见光 半导体的标准

GB/T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法

GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范

GB/T 39771.2-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第2部分：测试方法

GB/T 21548-2021 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法

GB/T 36628.3-2019 信息技术 系统间远程通信和信息交换 可见光通信 第3部分：高速可见光通信媒体访问控制和物理层规范

GB/T 4937.21-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性

GB/T 36628.2-2019 信息技术 系统间远程通信和信息交换 可见光通信 第2部分：低速窄带可见光通信媒体访问控制和物理层规范

GB/T 39771.1-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第1部分：要求与等级分类方法

GB/T 24370-2021 纳米技术 镉硫族化物胶体量子点表征 紫外-可见吸收光谱法

英国标准学会，关于可见光 半导体的标准

BS IEC 60747-5-4:2022 半导体器件-光电器件 半导体激光器

BS IEC 60747-5-4:2006 半导体器件.分立器件.光电器件.半导体激光器

BS EN 61207-7:2014 气体分析仪性能表示. 可调半导体激光器气体分析仪

BS EN 61207-7:2013 气体分析器性能表示. 可调谐半导体激光气体分析器

BS EN IEC 63287-1:2021 半导体器件 通用半导体鉴定指南 IC 可靠性鉴定指南

PD IEC TR 61292-9:2023 光放大器 半导体光放大器(SOA)

19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4 半导体器件 第5-4部分 光电器件 半导体激光器

BS IEC 62951-4:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性半导体器件基材上柔性导电薄膜的疲劳评估

23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. 半导体器件 第 5-4 部分 光电器件 半导体激光器

BS EN IEC 60747-5-5:2020 半导体器件 光电器件 光电耦合器

BS IEC 62951-5:2019 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性材料热特性测试方法

BS IEC 62951-7:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法

BS EN 62007-2:2000 光纤系统半导体光电器件.测量方法

BS IEC 62951-6:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性导电薄膜方块电阻的测试方法

BS EN 62943:2017 用于多媒体应用的可见光信标系统

BS IEC 60747-14-10:2019 半导体器件 半导体传感器 可穿戴式葡萄糖传感器的性能评估方法

BS IEC 62951-1:2017 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性基板上导电薄膜的弯曲测试方法

BS EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件.测量方法

14/30297227 DC BS EN 62880-1 半导体器件 半导体器件的晶圆级可靠性 铜应力迁移测试方法

BS ISO 17915:2018 光学和光子学 传感用半导体激光器的测量方法

BS EN 60747-5-5:2011 半导体器件.分立器件.光电器件.光电耦合器

BS EN 62007-1:2000 光纤系统半导体光电器件.基本额定值及特性

BS IEC 60747-18-4:2023 半导体器件 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器噪声特性评估方法

BS IEC 62951-3:2018 半导体器件 柔性和可拉伸的半导体器件 膨胀情况下柔性基板上薄膜晶体管特性的评估

BS IEC 62951-9:2022 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 一晶体管一电阻（1T1R）电阻式存储单元的性能测试方法

BS IEC 60747-18-2:2020 半导体器件 半导体生物传感器 无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的评估流程

BS IEC 60747-18-5:2023 半导体器件 半导体生物传感器 通过光入射角评估无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的光响应特性的方法

PD IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件 光电器件 发光二极管 LED效率测试方法

BS IEC 62951-8:2023 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性电阻存储器的拉伸性、柔性和稳定性的测试方法

20/30409285 DC BS IEC 63284 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关导通应力可靠性的可靠性测试方法

BS EN ISO 11985:1998 眼科光学.接触镜.暴露于紫外线和可见光辐射的老化(体外法)

BS IEC 60747-5-1:1998 分立半导体器件和集成电路.光电器件.概述

BS EN 60747-5-1:1998 半导体分立器件和集成电路 光电器件 总则

BS EN 60747-5-1:2001 半导体分立器件和集成电路.光电器件.总则

BS IEC 60747-18-3:2019 半导体器件 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性

BS IEC 60747-18-1:2019 半导体器件 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器校准的测试方法和数据分析

BS EN 60749-21:2011 半导体装置.机械和气候耐受性试验方法.可焊性

BS EN IEC 60749-12:2018 半导体器件.机械和气候试验方法.振动,可变频率

BS IEC 62951-2:2019 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性器件电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压的评价方法

BS IEC 63284:2022 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关可靠性测试方法

BS IEC 60747-5-8:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法

BS PD ISO/TS 17466:2015 在镉硫胶体量子点表征中使用紫外-可见吸收光谱法

PD ISO/TS 17466:2015 使用紫外-可见吸收光谱表征镉硫族化物胶体量子点

BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法

18/30350443 DC BS EN 60747-5-5。半导体器件。第 5-5 部分。光电器件。光电耦合器

19/30392174 DC BS EN 60747-5-6 半导体器件 第5-6部分 光电器件 发光二极管

BS IEC 60747-5-3:1998 分立半导体器件和集成电路.光电器件.测量方法

BS EN 60747-5-3:1998 半导体分立器件和集成电路 光电器件 测量方法

BS EN 60747-5-3:2001 半导体分立器件和集成电路.光电器件.测量方法

BS EN 62007-1:2009 光纤系统用半导体光电子器件.基本等级和特性的规范模板

BS EN 62007-1:2015 光纤系统用半导体光电子器件.基本等级和特性的规范模板

BS IEC 60747-5-13:2021 半导体器件 光电子设备 LED封装的硫化氢腐蚀试验

BS 6493-1.5:1992 半导体器件 离散设备 光电器件的建议 第 5 节：光电器件的建议

17/30355780 DC BS EN 60747-18-2 半导体器件 第18-2部分 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的评估流程

21/30432234 DC BS IEC 60747-18-4 半导体器件 第18-4部分 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器噪声特性评估方法

20/30423207 DC BS EN IEC 62951-9 半导体器件 柔性且可拉伸的半导体器件 第9部分 一管一电阻（1T1R）电阻式存储单元性能测试方法

BS CECC 20000:1983 电子元器件质量评定协调体系.总规范.半导体光电和液晶器件

BS IEC 60747-5-15:2022 半导体器件-光电器件 发光二极管 基于电反射光谱的平带电压测试方法

21/30432238 DC BS EN IEC 60747-18-5 半导体器件 第18-5部分 半导体生物传感器 通过光入射角评估无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的光响应特性的方法

BS QC 720100:1991 电子元器件质量评估协调体系.半导体器件.光电子学器件分规范

BS EN 120000:1996 电子元器件质量评定协调体系.光电子和液晶半导体器件总规范

BS IEC 62830-8:2021 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 低功率电子产品用柔性和可拉伸超级电容器的测试和评估方法

18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 半导体器件 第18-3部分 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性

韩国科技标准局，关于可见光 半导体的标准

KS D 2717-2008(2018) 紫外-可见-近红外吸收光谱法评价单壁碳纳米管烟灰的金属/半导体比

KS C 6942-1999 光纤传输用半导体激光模块通则

KS C 5212-1981(2002) 可靠性保证单个半导体器件公理

KS C 5212-1981 可靠性保证单个半导体器件公理

KS C 6943-1999 光纤传输用半导体激光模块测定方法

KS C IEC 62951-1:2022 半导体器件.柔性和可拉伸半导体器件.第1部分:柔性衬底上导电薄膜的弯曲试验方法

KS C IEC 60747-14-10:2022 半导体器件.第14-10部分:半导体传感器.可穿戴葡萄糖传感器的性能评估方法

KS C 5218-1983 确保MOS数码半导体集成电路的可靠性(门)

KS C 5210-1980 确保数码半导体集成电路可靠性的通则

KS C 7202-1990 保证可靠性的模拟半导体集成电路通则

KS C 5210-1980(2020) 一般规则可靠性ASSURED数字半导体集成电路

KS C IEC 62007-2:2003 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法

KS C 5218-1983(2013) 可靠性确保互补MOs数字半导体集成电路（门）

KS C 7202-1990(2021) 有可靠性保证的模拟半导体集成电路通则

KS C IEC 60747-5:2020 半导体器件分立器件第5部分:光电器件

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KS C IEC 60749-21:2005 半导体器件.机械和气候试验方法.第21部分:可焊性

KS C IEC 60749-21:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第21部分:可焊性

KS C IEC 62007-1:2003 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:基本额定值及特性.

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KS C IEC 60747-5:2004 半导体分立器件和集成电路第5部分:光电子器件

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KS C IEC 60749-12:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第12部分:振动、可变频率

KS C IEC 60748-2-11:2002 半导体器件.集成电路.第2-11部分:数字集成线路.可擦可编程只读存储器

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GJB 33/18-2011 半导体光电子器件 GO417型双向半导体光电耦合模拟开关详细规范

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GJB 8120-2013 半导体光电模块通用规范

GJB 3519-1999 半导体激光二极管总规范

GJB 33/15-2011 半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范

GJB 8119-2013 半导体光电子器件通用规范

GJB 2146A-2011 半导体发光二极管器件通用规范

GJB 8190-2015 飞机外部照明用半导体固体光源通用规范

GJB 33/20-2011 半导体光电子器件 GH302型光电耦合器详细规范

GJB 33/22-2011 半导体光电子器件 GO103型光电耦合器详细规范

GJB 33/21-2011 半导体光电子器件 GD310A系列光电耦合器详细规范

GJB 33/23-2011 半导体光电子器件 GH3201Z-4型光电耦合器详细规范

GJB 33/19-2011 半导体光电子器件 GH302-4型光电耦合器详细规范

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国际电工委员会，关于可见光 半导体的标准

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IEC 63287-1:2021 半导体器件 通用半导体鉴定指南 第1部分：IC 可靠性鉴定指南

IEC TR 61292-9:2013 光放大器第9部分:半导体光放大器

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IEC TR 61292-9:2023 光放大器.第9部分:半导体光放大器（SOA）

IEC 61207-7:2013/COR1:2015 气体分析仪性能表示. 第7部分: 可调半导体激光器气体分析仪; 勘误表1

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IEC 62951-6:2019 半导体器件.柔性和可拉伸的半导体器件.第6部分:柔性导电薄膜片电阻的试验方法

IEC 62951-1:2017 半导体器件. 柔性和可伸缩半导体器件. 第1部分: 柔性基板上导电薄膜的拉伸试验方法

IEC 62951-5:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第5部分:柔性材料热特性的试验方法

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IEC 60747-5-7:2016 半导体设备. 第5-7部分: 光电设备. 光电二极管和光电晶体管

IEC 60747-5-6:2016 半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管

IEC 60747-5-6:2021 半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管

IEC 62007-2:1997 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法

IEC 60747-5-6:2021 RLV 半导体器件第5-6部分:光电子器件发光二极管

IEC 60747-5-5:2020 半导体器件第5-5部分:光电子器件光电耦合器

IEC 62951-8:2023 半导体器件.柔性和可拉伸半导体器件.第8部分:柔性电阻存储器的可拉伸性、柔性和稳定性的试验方法

IEC 62951-3:2018 半导体器件 - 柔性和可拉伸半导体器件 - 第3部分:凸出下柔性基板上薄膜晶体管特性的评估

IEC 62951-9:2022 半导体器件 柔性可伸缩半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻（1T1R）电阻式存储单元的性能测试方法

IEC 62007-2:1999 纤维光学系统用半导体光电器件 第2部分:测量方法

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IEC 60747-5-5:2013 半导体器件.分立器件.第5-5部分:光电器件.光电耦合器

IEC 60747-18-4:2023 半导体器件.第18-4部分:半导体生物传感器.无透镜CMOS光子阵列传感器噪声特性的评估方法

IEC 60747-18-5:2023 半导体器件.第18-5部分:半导体生物传感器.通过光入射角对无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的光响应特性的评估方法

IEC 60749-21:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第21部分:可焊性

IEC 60749-21:2005 半导体器件.机械和气候试验方法.第21部分:可焊性

IEC 60749-21:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第21部分:可焊性

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IEC 62007-1:1999 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性.

IEC 60747-5-5:2007 半导体装置.分立装置.第5-5部分:光电子装置.光电耦合器

IEC 62007-2:2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件第2部分:测量方法

IEC 60747-18-1:2019 半导体器件第18-1部分:半导体生物传感器无透镜CMOS光子阵列传感器校准的试验方法和数据分析

IEC 60747-5-5:2007+AMD1:2013 CSV 半导体器件分立器件第5-5部分:光电器件 设备-光电耦合器

IEC 60747-18-3:2019 半导体器件.第18-3部分:半导体生物传感器.带射流系统的无透镜CMOS光子阵列传感器组件的流体流动特性

IEC 63284:2022 半导体器件.氮化镓晶体管用电感负载切换的可靠性试验方法

IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法

IEC 62951-2:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压的评估方法

IEC 60747-5-8:2019 半导体器件第5-8部分:光电子器件发光二极管发光二极管光电效率试验方法

IEC 60749-12:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第12部分: 振动,可变频率

IEC 60749-12:2002/COR1:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第12部分:振动、可变频率

IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法

IEC 62007-1/AMD1:1998 光纤系统用半导体光电器件.第1部分:基本额定值及特性.修改件1

IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件第5-12部分:光电子器件发光二极管LED效率的试验方法

IEC 60747-5:1992 半导体器件.分立器件和集成电路.第5部分:光电子器件

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GB 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范

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GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范

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GB/T 7509-1987 半导体集成电路微处理器空白详细规范(可供认证用)

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T/QGCML 1407-2023 半导体光伏制造用双套管密封装置

T/CZSBDTHYXH 001-2023 半导体晶圆缺陷自动光学检测设备

T/CESA 1266-2023 半导体集成电路 光互连接口技术要求

T/ZSA 47-2020 电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法

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GOST 21934-1983 半导体光电式和光接收辐射接收机式装置.术语和定义

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GOST 17772-1988 半导体光电探测器和光电接收器.光电参数和测定特性的测量方法

GOST R 59740-2021 光学和光子学 用于测定低浓度物质的半导体激光器 测量特性的方法

GOST 19834.3-1976 半导体辐射器.辐射能量相对光谱分布和辐射光谱宽度测量方法

GOST R 59607-2021 光学和光子学 半导体光电探测器 光电和光接收器件 测量光电参数和确定特性的方法

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NF EN 62943:2017 用于多媒体应用的可见光信标系统

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NF S11-698:1998 眼科光学.隐形眼镜.暴露于紫外线和可见光辐射的老化现象(体外法)

NF ISO 14605:2013 技术陶瓷 在室内照明环境中测试半导体光催化材料的光源

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NF EN IEC 60749-12:2018 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 12 部分：振动、可变频率

NF C96-005-1/A1*NF EN 60747-5-1/A1:2002 分立半导体器件和集成电路 第 5-1 部分：光电器件 总则

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未注明发布机构，关于可见光 半导体的标准

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德国标准化学会，关于可见光 半导体的标准

DIN EN 61207-7:2015-07 气体分析仪性能表达第7部分：可调谐半导体激光气体分析仪

DIN EN IEC 63287-1:2020-06 半导体器件 通用半导体鉴定指南 第1部分：LSI 可靠性鉴定指南

DIN EN 62943:2018-01 用于多媒体应用的可见光信标系统

DIN V VDE V 0884-10:2006 半导体器件.可靠绝缘的磁性电容耦合器

DIN IEC/TR 61292-9:2013 光放大器.第9部分:半导体光放大器(SOAs)(IEC 86C/1109/CD-2013)

DIN 5032-9:2015-01 光度测定 第9部分：非相干发射半导体光源的光度量的测量

DIN EN 61207-7:2015 气体分析器性能表示.第7部分:可调谐半导体激光气体分析器(IEC 61207-7-2013);德文版本EN 61207-7-2013

DIN 5032-9:2015 光度测定. 第9部分: 非相干发射的半导体光源的光度量的测量

DIN EN 60749-21:2012-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分：可焊性

DIN EN 153000:1999 总规范.分立的压力触点功率半导体装置(资格认可)

DIN EN 62007-2:2009-09 用于光纤系统应用的半导体光电器件-第2部分：测量方法

DIN EN 62943:2018 多媒体应用的可见光信标系统(IEC 62943-2017);德文版本EN 62943-2017

DIN 4000-20:1988 第20部分:光电子半导体元件用物品特性表格设计

DIN 50455-2:1999-11 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 第2部分：正性光刻胶光敏性的测定

ES-UNE，关于可见光 半导体的标准

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UNE-EN IEC 63287-1:2021 半导体器件 通用半导体资格指南 第1部分：IC 可靠性资格指南

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UNE-EN IEC 60747-5-5:2020 半导体器件 第5-5部分：光电器件 光电耦合器

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UNE-EN 60747-5-5:2011 半导体器件 分立器件 第5-5部分：光电器件 光电耦合器

UNE-EN 60749-21:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分：可焊性

UNE-EN 62007-2:2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件 第2部分：测量方法

UNE-EN IEC 63287-2:2023 半导体器件 可靠性鉴定计划指南 第2部分：任务概况概念

行业标准-医药，关于可见光 半导体的标准

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DLA MIL-S-19500/372 A VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，晶闸管（可控整流器），硅类型 2N4199 至 2N4206

DLA MIL-S-19500/372 A VALID NOTICE 2-2004 类型2N4199到2N4206型硅晶闸管(可控整流器)半导体装置

DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路

DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-86864-1988 可编程逻辑设备互补金属氧化物半导体可擦除数字微型电路

DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 硅单片,电可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 硅单片可编程间隔计时器,氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-77045 REV E-1987 硅单片可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 硅单片,电可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA MIL PRF 19500/572C B VALID NOTICE 1-2011 半导体器件，二极管，发光，类型 1N6493、1N6494、1N6495、1N6500、1N6501 和 1N6502，JAN 和 JANTX

DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 硅单片,宽带增益可变扬声器,氧化物半导体线性微型电路

DLA MIL-S-19500/419 VALID NOTICE 3-2011 半导体器件、晶闸管（可控整流器）、硅类型 2N3027 至 2N3032 以及 TX2N3027 至 TX2N3032

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DS/EN 60747-5-5:2011 半导体器件 分立器件 第 5-5 部分：光电器件 光电耦合器

DS/EN 153000:1999 总规范：分立式压力接触功率半导体器件（资质认可）

DS/EN 60749-21:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第21部分：可焊性

DS/EN 62007-2:2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件 第2部分：测量方法

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DS/EN 60747-5-1/A2:2002 分立半导体器件和集成电路 第 5-1 部分：光电器件 总则

DS/EN 60747-5-1/A1:2002 分立半导体器件和集成电路 第 5-1 部分：光电器件 总则

DS/EN 60747-5-1:2002 分立半导体器件和集成电路 第 5-1 部分：光电器件 总则

欧洲电工标准化委员会，关于可见光 半导体的标准

EN IEC 63287-1:2021 半导体器件 通用半导体鉴定指南 第1部分：IC 可靠性鉴定指南

EN 61207-7:2013 气体分析仪性能的表达 第7部分：可调谐半导体激光气体分析仪

EN 62943:2017 用于多媒体应用的可见光信标系统

EN IEC 60747-5-5:2020 半导体器件 第 5-5 部分：光电器件 光电耦合器

EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法

EN 60749-21:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第21部分:可焊性

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美国通用公司（北美），关于可见光 半导体的标准

GM GM84M-1993 铁素体和珠光体的(Arma钢)可锻铁铸件.见GM11M

GM GM85M-1993 铁素体和珠光体的(Arma钢)可锻铁铸件.见GM11M

GM GM86M-1993 铁素体和珠光体的(Arma钢)可锻铁铸件.见GM11M

GM GM88M-1993 铁素体和珠光体的(Arma钢)可锻铁铸件.见GM11M

CZ-CSN，关于可见光 半导体的标准

CSN 35 8761-1973 半导体设备．光电晶体管光电二极管．光电流测量

CSN 35 8762-1973 半导体设备．光电晶体管光电二极管．暗电流测量

CSN 35 8851-1987 半导体光电子器件．参数的术语；定义和字母符号

CSN 35 8804-1985 广泛使用的设备的半导体光电子器件．一般规范

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RO-ASRO，关于可见光 半导体的标准

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STAS 12258/7-1987 光电半导体器件．光电池术语和基本特性

STAS 12258/2-1984 光电半导体装置．光电二极管术语和基本特性

STAS 12258/4-1986 光电半导体设备．发光二极管术语和主要特性

STAS 12258/5-1986 光电半导体．设备显示．术语和基本特性

STAS 12258/1-1984 光电半导体器件总体基本参数的总术语和命名

STAS 12123/4-1984 半导体设备可变电容二极管电气特性的测量方法

STAS 12258/6-1987 光电半导体器件．红外发射二极管术语和基本特性

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ISO 15632:2021 微光束分析.带半导体探测器能量发散X射线分光仪的仪器规范

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ISO 15632:2002 微光束分析.带半导体探测器的能量发散X射线分光仪的仪器规范

行业标准-邮电通信，关于可见光 半导体的标准

YD/T 701-1993 半导体激光二极管组件测试方法

YD/T 1687.1-2007 光通信用高速半导体激光器组件技术条件 第1部分：2.5Gbit/s致冷型直接调制半导体激光器组件

YD/T 1687.2-2007 光通信用高速半导体激光器组件技术条件 第2部分：2.5Gbit/s无致冷型直接调制半导体激光器组件

YD/T 2001.2-2011 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法

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IN-BIS，关于可见光 半导体的标准

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IS 1885 Pt.7/Sec.6-1984 电工词汇 第7部分半导体器件 第6节：光电器件

IS 3700 Pt.11-1984 半导体器件的基本额定值和特性 第11部分发光二极管

PH-BPS，关于可见光 半导体的标准

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JIS C 7310:1979 有可靠性保证的数字半导体集成电路通则

JIS C 7410:1981 有可靠性保证的模拟半导体集成电路通则

JIS R 1750:2012 精细陶瓷.室内光环境下测试半导体光催化材料用光源

JIS C 7312:1982 有可靠性保证的互补MOs数字半导体集成电路

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KS C IEC 60747-14-10-2022 半导体器件.第14-10部分:半导体传感器.可穿戴葡萄糖传感器的性能评估方法

KS C IEC 60747-5-2020 半导体器件分立器件第5部分:光电器件

KS C IEC 62007-2-2003(2023) 光通信系统用半导体光电元件-第2部分:测量方法

KS C IEC 60749-21-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第21部分:可焊性

KS C IEC 62007-1-2003(2023) 光通信系统用半导体光电元件-第一部分:重要等级及特性

美国国家标准学会，关于可见光 半导体的标准

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ANSI/UL 2360-2004 半导体器械构造用塑料的可燃性能测定的试验方法

ANSI/IEEE 592:2007 高压电缆接头和可拆分连接器用暴露半导体护套的标准

BS EN IEC 63287-2:2023 半导体器件 可靠性鉴定计划指南任务概况概念（英国标准）

国家药监局，关于可见光 半导体的标准

YY/T 1751-2020 激光治疗设备 半导体激光鼻腔内照射治疗仪

SE-SIS，关于可见光 半导体的标准

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CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于可见光 半导体的标准

EN 62007-2:2000 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法

EN 60749-21:2005 半导体器件.机械和气候试验方法.第21部分:可焊性

EN 62007-1:2000 用于光纤系统应用的半导体光电器件第1部分：基本额定值和特性

美国电信工业协会，关于可见光 半导体的标准

TIA-455-128-1996 FOTP 128 半导体激光器阈值电流的测定程序

TIA-455-128-1996(2014) FOTP 128 半导体激光器阈值电流的测定程序

行业标准-农业，关于可见光 半导体的标准

NY/T 1860.5-2016 农药理化性质测定试验导则 第5部分：紫外/可见光吸收

NY/T 1860.5-2010 农药理化性质测定试验导则.第5部分:紫外/可见光吸收

河北省标准，关于可见光 半导体的标准

DB13/T 5120-2019 光通信用 FP、 DFB 半导体激光器芯片直流性能测试规范

立陶宛标准局，关于可见光 半导体的标准

LST EN 153000-2001 通用规范 分立式压接功率半导体器件（资质认可）

LST EN IEC 60747-5-5:2020 半导体设备 第 5-5 部分：光电设备 光电耦合器（IEC 60747-5-5:2020）

LST EN 60747-5-5-2011 半导体器件 分立器件 第 5-5 部分：光电器件 光电耦合器（IEC 60747-5-5:2007）

LST EN 62007-2-2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件 第2部分：测量方法（IEC 62007-2:2009）

美国材料与试验协会，关于可见光 半导体的标准

ASTM E463-14a 通过硅钼酸盐可见分光光度法测定荧光体中二氧化硅的标准测试方法

美国电气电子工程师学会，关于可见光 半导体的标准

IEEE 592-2007 高压电缆接头和可拆分连接器用暴露半导体护套

IEEE 592-1990 高压电缆接头和可分离绝缘连接器的外露半导体护套

PL-PKN，关于可见光 半导体的标准

PN-EN IEC 60747-5-5-2021-04 E 半导体器件 第5-5部分：光电器件 光电耦合器（IEC 60747-5-5:2020）

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于可见光 半导体的标准

JEDEC JESD77C-2009 分立半导体和光电器件的术语、定义和字母符号

JEDEC JESD77D-2012 分立半导体和光电器件的术语、定义和字母符号

JEDEC JEP148A-2008 基于物理失效风险和机会评估的半导体器件可靠性鉴定

JEDEC JEP148B-2014 基于物理失效风险和机会评估的半导体器件可靠性鉴定

广东省标准，关于可见光 半导体的标准

DB44/T 1639.1-2015 半导体照明标准光组件总则 第1部分 层级划分

美国保险商实验所，关于可见光 半导体的标准

UL 2360-2000 半导体器件制造用塑料可燃性特征测定的试验方法

欧洲标准化委员会，关于可见光 半导体的标准

PD CEN/TS 16599:2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定

CWA 17857:2022 用于将光纤耦合到红外半导体激光器的基于透镜的适配器系统

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于可见光 半导体的标准

IEEE 1131-1987 锗半导体伽马射线光谱仪的标准低温恒温器端盖尺寸