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溅射检测

溅射检测

发布时间:2025-09-18 00:00:00

中析研究所涉及专项的性能实验室,在溅射检测服务领域已有多年经验,可出具CMA和CNAS资质,拥有规范的工程师团队。中析研究所始终以科学研究为主,以客户为中心,在严格的程序下开展检测分析工作,为客户提供检测、分析、还原等一站式服务,检测报告可通过一键扫描查询真伪。

本专题涉及溅射的标准有106条。

国际标准分类中,溅射涉及到长度和角度测量、有色金属、分析化学、真空技术、术语学(原则和协调配合)、有色金属产品、半导体材料、表面处理和镀涂、电子显示器件、电学、磁学、电和磁的测量、消防、杀虫剂和其他农用化工产品、粒度分析、筛分、无损检测、电子管、流体系统和通用件、泵。

在中国标准分类中,溅射涉及到基础标准与通用方法、轻金属及其合金、基础标准与通用方法、真空技术与设备、电子光学与其他物理光学仪器、、稀有高熔点金属及其合金、、、金属物理性能试验方法、化学助剂基础标准与通用方法、稀有轻金属及其合金、贵金属及其合金、金属无损检验方法、重金属及其合金、化学、电磁计量、物理学与力学、农药、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、、电真空器件综合、电子技术专用材料、半导体分立器件综合、半金属与半导体材料综合、光学计量仪器、其他生产设备、泵、加工专用设备。


国家质检总局,关于溅射的标准

GB/T 31227-2014 原子力显微镜测量溅射薄膜表面粗糙度的方法

GB/T 29658-2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材

GB/T 29557-2013 表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量

GB/T 25755-2010 真空技术.溅射离子泵.性能参数的测量

GB/T 20175-2006 表面化学分析.溅射深度剖析.用层状膜系为参考物质的优化方法

国际标准化组织,关于溅射的标准

ISO 14606-2022 表面化学分析.溅射深度轮廓.使用分层系统作为参考材料的优化

ISO/TR 15969-2021 表面化学分析 - 深度分析 - 溅射深度的测量

ISO 22415-2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法

ISO 14606:2015 表面化学分析 - 溅射深度分析 - 使用分层系统作为参考材料的优化

ISO 14606-2015 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法

ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

ISO 17109:2015 表面化学分析 - 深度分析 - X射线光电子能谱法中的溅射速率测定方法 俄歇电子能谱和二次离子质谱法使用单层和多层薄膜的溅射深度分析

ISO/TR 15969-2001 表面化学分析 深度描述 溅射深度测量

ISO/TR 15969:2001 表面化学分析——深度剖面——溅射深度的测量

ISO/TS 13762-2001 粒度分析 小角度X射线溅射法

ISO 14606-2000 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法

中国团体标准,关于溅射的标准

T/ICMTIA TG0011-2022 集成电路用高纯铝及铝合金溅射靶材

T/ZZB 1790-2020 铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备

T/ZZB 0093-2016 集成电路用高纯钛溅射靶材

工业和信息化部,关于溅射的标准

YS/T 1358-2020 磁记录用铁钴钽合金溅射靶材

YS/T 1357-2020 磁记录用铬钽钛合金溅射靶材

YS/T 1124-2016 磁性溅射靶材透磁率测试方法

美国材料与试验协会,关于溅射的标准

ASTM E1634-11(2019) 溅射坑深度测量的标准指南

ASTM E1438-11(2019) 用SIMS测量溅射深度剖面中界面宽度的标准指南

ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM F3192-16 用于通硅通孔(TSV)Mettalization的高纯度铜溅射靶的标准规范

ASTM F3166-16 硅通孔(TSV)金属化用高纯钛溅射靶的标准规范

ASTM F1709-97(2016) 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范

ASTM E1634-11 溅射坑深度测量的标准指南

ASTM E1162-11 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1438-11 用SIMS测量溅射深度剖面中界面宽度的标准指南

ASTM E1634-2011 测量溅射坑深度的标准指南

ASTM F1709-97(2008) 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范

ASTM F2113-01(2007) 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南

ASTM E1634-02(2007) 溅射坑深度测量的标准指南

ASTM E1438-06 用SIMS测量溅射深度剖面中界面宽度的标准指南

ASTM E1162-06 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1162-2006 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程

ASTM E1636-04 用扩展逻辑函数分析描述溅射深度剖面界面数据的标准实施规程

ASTM E684-2004 固体表面溅射深度仿形加工用大直径离子束的电流密度近似测定的标准规程

ASTM E1636-2004 用扩展的逻辑函数分析描述溅射深度剖面接口数据的标准规程

ASTM F1709-97(2002) 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范

ASTM E1634-94(1999) 溅射坑深度测量的标准指南

ASTM E1634-02 溅射坑深度测量的标准指南

ASTM E1634-2002(2007) 溅射焰口深度测量标准导则

ASTM E1634-2002 溅射焰口深度测量标准导则

ASTM F2113-01e1 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南

ASTM F2113-01 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南

ASTM E684-95(2000) 固体表面溅射深度成形用大直径离子束电流密度近似测定的标准实施规程

ASTM F1512-94(2003) 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

ASTM F1238-95(2003) 微电子用难熔硅化物溅射靶的标准规范

ASTM F1238-95(1999) 微电子用难熔硅化物溅射靶的标准规范

ASTM F1512-94(1999) 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

ASTM E1636-94(1999) 用扩展逻辑函数分析描述溅射深度剖面界面数据的标准实施规程

ASTM F1367-98(2003) 薄膜用铬溅射靶的标准规范

ASTM F1367-98 薄膜用铬溅射靶的标准规范

ASTM F1367-1998(2011) 薄膜设备用铬溅射极的标准规范

ASTM F1709-1997(2016) 电子薄膜应用的高纯钛溅射靶的标准规格

ASTM F1709-1997(2008) 电子薄膜用高纯度钛溅射靶机的标准规范

ASTM F1709-1997(2002) 电子薄膜用高纯度钛溅射靶机的标准规范

ASTM F1709-97 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范

ASTM F1238-1995(2003) 微电子设备用耐熔硅化物溅射电极

ASTM F1238-1995(2011) 微电子设备用耐熔硅化物溅射电极的标准规范

ASTM E1634-1994(1999) 溅射焰口深度测量标准导则

ASTM F1512-1994(1999) 溅射目标的粘结评定用超声波C-扫描标准规程.垫板组件

ASTM F1512-1994(2011) 溅射目标垫板部件的超声波C扫描粘结评估的标准操作规程

ASTM F1512-1994(2003) 溅射目标垫板部件的超声波C扫描粘结评定标准规程

ASTM E1438-91(2001) 用SIMS测量溅射深度剖面中界面宽度的标准指南

ASTM E1438-91(1996) 用SIMS测量溅射深度剖面中界面宽度的标准指南

ASTM E1438-1991(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度

ASTM E1438-1991(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度

ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1162-1987(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

ASTM E1162-1987(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

ASTM F3192 - 16 用于通硅通孔(TSV)Mettalization的高纯度铜溅射靶的标准规范

英国标准学会,关于溅射的标准

BS ISO 14606-2015 表面化学分析.溅射深度剖面测定.采用作为参考材料的成层系统最优化

BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

BS ISO 14606-2001 表面化学分析.溅射深度剖面测定.采用作为参考材料的成层系统最优化

BS ISO 14606-2000 表面化学分析.溅射深度剖面测定.采用作为参考材料的成层系统最优化

行业标准-有色金属,关于溅射的标准

YS/T 1024-2015 溅射用钽靶材

YS/T 1025-2015 电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材

YS/T 893-2013 电子薄膜用高纯钛溅射靶材

YS/T 935-2013 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南

YS/T 837-2012 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

YS/T 819-2012 电子薄膜用高纯铜溅射靶材

,关于溅射的标准

GOST 5.1807-1973 GIN-0.5-1M型离子溅射泵.认证产品质量要求

GOST 5.413-1970 BP-150供电的粒状冷却二极管型离子溅射泵NMDO-01-01(NORD-100).认证产品质量要求

行业标准-机械,关于溅射的标准

JB/T 4081-2011 真空技术 溅射离子泵

JB/T 8945-2010 真空溅射镀膜设备

JB/T 8945-1999 真空溅射镀膜设备

JB/T 2965-1992 溅射离子泵性能测试方法

JB/T 4082-1991 溅射离子泵.技术条件

JB/T 4081-1991 溅射离子泵.型式与基本参数

法国标准化协会,关于溅射的标准

NF X21-062-2008 表面化学分析.溅射深度剖析.层状膜系作为参考物质的优化方法

韩国标准,关于溅射的标准

KS D ISO 14606-2003 表面化学分析.溅射深度剖面测定.作为参考材料的层系统最优化

德国标准化学会,关于溅射的标准

DIN 28429-2003 真空技术.溅射离子泵验收规范

行业标准-电子,关于溅射的标准

SJ 1780-1981 普通二极型溅射离子泵.技术条件

SJ 1781-1981 溅射离子泵.试验方法

SJ 1779-1981 普通二极型溅射离子泵.参数系列

SJ/T 31066-1994 3180型溅射台完好要求和检查评定方法

澳大利亚标准协会,关于溅射的标准

AS ISO 14606-2006 表面化学分析.溅射深度剖析.用层状膜系为参考物质的优化方法

检测资质
CMA认证

CMA认证

CNAS认证

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