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深度质谱检测

深度质谱检测

发布时间:2025-09-18 00:00:00

中析研究所涉及专项的性能实验室,在深度质谱检测服务领域已有多年经验,可出具CMA和CNAS资质,拥有规范的工程师团队。中析研究所始终以科学研究为主,以客户为中心,在严格的程序下开展检测分析工作,为客户提供检测、分析、还原等一站式服务,检测报告可通过一键扫描查询真伪。

本专题涉及深度 质谱的标准有39条。

国际标准分类中,深度 质谱涉及到分析化学、半导体材料。

在中国标准分类中,深度 质谱涉及到基础标准与通用方法、电子光学与其他物理光学仪器、化学助剂基础标准与通用方法、化学、半金属与半导体材料综合、光学计量仪器。


国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于深度 质谱的标准

GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法

GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法

国家质检总局,关于深度 质谱的标准

GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法

国际标准化组织,关于深度 质谱的标准

ISO 17109-2022 表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法

ISO 22415-2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法

ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法

ISO 12406:2010 表面化学分析——二次离子质谱法——硅中砷的深度剖面分析方法

ISO 23812:2009 表面化学分析——二次离子质谱法——使用多δ层标准物质的硅深度校准方法

ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.使用多δ层参考材料的硅深度校准方法

ISO 20341:2003 表面化学分析——二次离子质谱法——利用多delta层标准物质估算深度分辨率参数的方法

ISO 20341-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法

美国材料与试验协会,关于深度 质谱的标准

ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1162-11 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1162-06 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1438-2006 用次级离子质谱法(SIMS)测量深度掺杂分布界面宽度标准指南

ASTM E1162-2006 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程

ASTM E1438-1991(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度

ASTM E1438-1991(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度

ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

ASTM E1162-1987(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

ASTM E1162-1987(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

英国标准学会,关于深度 质谱的标准

BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法

BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法

BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法

BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法

BS ISO 20341-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法

日本工业标准调查会,关于深度 质谱的标准

JIS K0169-2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法

JIS K0169-2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法

法国标准化协会,关于深度 质谱的标准

NF X21-066-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层参考物质对硅进行深度校准的方法

韩国标准,关于深度 质谱的标准

KS D ISO 20341-2005 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法

KS D ISO 20341-2005 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法

,关于深度 质谱的标准

KS D ISO 20341-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法用多δ层标准物质估算深度分辨参数的方法

澳大利亚标准协会,关于深度 质谱的标准

AS ISO 17560-2006 表面化学分析.次级离子质谱测量法.硅中注入硼的深度分布分析法

AS ISO 17560-2006 表面化学分析.次级离子质谱测量法.硅中注入硼的深度分布分析法

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