本专题涉及红外 发射峰的标准有26条。
国际标准分类中，红外 发射峰涉及到光电子学、激光设备、半导体分立器件。
在中国标准分类中，红外 发射峰涉及到红外器件、半导体发光器件、光电子器件综合、半导体二极管。
国家质检总局，关于红外 发射峰的标准
GB/T 18904.1-2002 半导体器件 第12-1部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
工业和信息化部，关于红外 发射峰的标准
SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温
SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻
行业标准-电子，关于红外 发射峰的标准
SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率
SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量
SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数
SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽
SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则
SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容
SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角
SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间
SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽
SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流
SJ 53930/1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范
SJ 50033/110-1996 半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范
SJ 50033/41-1994 GR9414型半导体红外发射二极管详细规范
SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法
国家军用标准-总装备部，关于红外 发射峰的标准
GJB 33/15-2011 半导体光电子器件.BT401型半导体红外发射二极管详细规范
国际电工委员会，关于红外 发射峰的标准
IEC 60747-12-1:1995 半导体器件 第12部分:光电子器件 第2节:纤维光学系统和子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
欧洲电工电子元器件标准，关于红外 发射峰的标准
EN 120002-1992 空白详细规范.红外发射二极管、红外发射二极管陈列
，关于红外 发射峰的标准
STAS 12258/6-1987 光电半导体器件．红外发射二极管术语和基本特性
