本专题涉及外延片的标准有203条。
国际标准分类中,外延片涉及到金属材料试验、半导体材料、电子电信设备用机电元件、航空航天用电气设备和系统、绝缘流体、无机化学、半导体分立器件、术语学(原则和协调配合)、航天系统和操作装置、信息技术应用、医疗设备、航空航天制造用紧固件、紧固件、特殊工作条件下用电气设备、电子元器件综合、食品技术。
在中国标准分类中,外延片涉及到金属物理性能试验方法、元素半导体材料、化合物半导体材料、电子工业生产设备综合、金属化学性能试验方法、半金属与半导体材料综合、半金属及半导体材料分析方法、电子技术专用材料、金相检验方法、半导体分立器件综合、半导体二极管、金属无损检验方法、金属理化性能试验方法、、、、、、导航通讯系统与设备、金融、保险、通信网设备互通技术要求和通信网接口、工业控制机与计算技术应用装置、矫形外科、骨科器械、紧固件、紧固件、电子设备用绝缘零件、信息处理技术综合、半金属、电子元件综合、技术管理、半导体三极管、加工专用设备。
GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
GB/T 14139-2019 硅外延片
GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范
GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
GB/T 35310-2017 200mm硅外延片
GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法
GB/T 30652-2014 硅外延用三氯氢硅
GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底
GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
GB/T 30110-2013 空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法.硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法
GB/T 14139-2009 硅外延片
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
GB/T 14139-1993 硅外延片
GB/T 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法
GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法
GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法
GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
GB/T 14015-1992 硅-兰宝石外延片
GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
GB/T 8758-1988 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB 8758-1988 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片
T/ICMTIA SM006-2021 集成电路线宽65nm-14nm逻辑工艺用300mm P/P-型硅外延片
T/CNIA 0061-2020 硅外延用四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法
T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
IEC 63068-4-2022 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第4部分:使用光学检查和光致发光组合方法识别和评估缺陷的程序
IEC 63229:2021 半导体器件.碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类
IEC 63229-2021 半导体器件.碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类
IEC 63068-3-2020 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法检测缺陷的试验方法
IEC 63068-3:2020 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法检测缺陷的试验方法
IEC 63068-1:2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分:缺陷分类
IEC 63068-1-2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分:缺陷分类
IEC 63068-2:2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分:光学检验缺陷的试验方法
IEC 63068-2-2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分:光学检验缺陷的试验方法
YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定.堆垛层错尺寸法
YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法
YS/T 14-1991 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
YS/T 15-1991 硅外延层和扩散厚度测定.磨角染色法
YS/T 24-2016 外延钉缺陷的检验方法
YS/T 1059-2015 硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法
YS/T 1060-2015 硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定 气相色谱法
SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法
SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片
SJ/T 11275-2002 卧式液相外延系统通用规范
SJ 20514-1995 微波功率晶体管用硅外延片规范
SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针.测试方法
SJ 3242-1989 砷化镓外延片
SJ 3247-1989 同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法
SJ 3244.2-1989 砷化镓、磷化铟衬底与异质结外延层之间晶格失配的测量方法
SJ 2758-1987 同型外延层厚度的红外干涉测试方法
SJ 2377-1983 3CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2379-1983 3CD553型、3CD554型、3CD653型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2376-1983 3CD647型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2382-1983 3CD559型、3CD560型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2380-1983 3CD555型、3CD556型、3CD655型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2381-1983 3CD557型、3CD558型、3CD657型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2378-1983 3CD551型、3CD552型、3CD651型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2293-1983 3DG155型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2288-1983 3DG149型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2278-1983 3DG72型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2279-1983 3DG123型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2287-1983 3DG148型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2277-1983 3DG115型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2281-1983 3DG132型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2284-1983 3DG145型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2285-1983 3DG146型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2282-1983 3DG143型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2271-1983 3DG104型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2286-1983 3DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2290-1983 3DG152型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2292-1983 3DG154型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2283-1983 3DG144型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2276-1983 3DG114型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2273-1983 3DG81型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2272-1983 3DG44型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2291-1983 3DG153型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2275-1983 3DG85型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2274-1983 3DG113型NPN硅外延平面超高频小功率三极管
SJ 2294-1983 3DG156型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2289-1983 3DG151型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 1841-1981 3CK100型PNP硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1842-1981 3CK110型PNP硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1825-1981 3DK21型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1828-1981 3DK53型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1846-1981 3CK120型PNP硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1830-1981 3DK101型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1826-1981 3DK100型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1834-1981 3DK104型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1833-1981 3DK103型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1827-1981 3DK6型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1831-1981 3DK28型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1838-1981 3DK29型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1840-1981 3DK14型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1839-1981 3DK108型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1832-1981 3DK102型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1844-1981 3CK112型PNP硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1829-1981 3DK5型NPN硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1843-1981 3CK111型PNP硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1848-1981 3CK130型PNP硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1845-1981 3CK113型PNP硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1847-1981 3CK121型PNP硅外延平面小功率开关三极管
SJ 1549-1979 硅外延片(暂行)
SJ 1471-1979 3CG103型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1478-1979 3CG121型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1468-1979 3CG100型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1550-1979 硅外延片检测方法
SJ 1479-1979 3CG122型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1474-1979 3CG112型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1481-1979 3CG131型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1485-1979 3CG170型PNP硅外延平面高频小功率高反压三极管
SJ 1482-1979 3CG132型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1475-1979 3CG113型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1472-1979 3CG110型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1470-1979 3CG102型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1473-1979 3CG111型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1484-1979 3CG160型PNP硅外延平面高频小功率高反压三极管
SJ 1477-1979 3CG120型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
SJ 1483-1979 3CG140型PNP硅外延平面高频小功率低噪声三极管
SJ 1476-1979 3CG114型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 1486-1979 3CG180型PNP硅外延平面高频小功率高反压三极管
SJ 1480-1979 3CG130型PNP硅外延平面高频小功率三极管
SJ 777-1974 3DD68型和3DD69型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 801-1974 3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管
SJ 773-1974 3DD62和3DD63型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 791-1974 3DG122型NPN硅外延平面高频小功率三极管
SJ 765-1974 3DD50和3DD51型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 800-1974 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管
SJ 769-1974 3DD56和3DD57型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 794-1974 3DG141型NPN硅外延平面高频小功率低噪声三极管
SJ 789-1974 3DG120型NPN硅外延平面高频小功率三极管
SJ 790-1974 3DG121型NPN硅外延平面高频小功率三极管
SJ 775-1974 3DD65型和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 799-1974 3DG170型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管
SJ 787-1974 3DG111型NPN硅外延平面高频小功率三极管
SJ 784-1974 3DG102型NPN硅外延平面高频小功率三极管
SJ 788-1974 3DG112型NPN硅外延平面高频小功率三极管
SJ 795-1974 3DG142型NPN硅外延平面高频小功率低噪声三极管
SJ 779-1974 3DD71型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 785-1974 3DG103型NPN硅外延平面高频小功率三极管
SJ 783-1974 3DG101型NPN硅外延平面高频小功率三极管
SJ 781-1974 3DD73型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 767-1974 3DD53型和3DD54型NPN型硅外延平面低频大功率三极管
SJ 771-1974 3DD59和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ/T 31110-1994 AMV-1284型硅外延炉完好要求和检查评定方法
SJ/Z 1610-1980 硅外延片缺陷图集
SJ/T 31111-1994 AMC-7811/21型桶式外延炉完好要求和检查评定方法
BS ISO 22672:2011 空间数据和信息传输系统.航天链路外延(SLE).未来空间包服务规范
BS CWA 15748-31-2011 金融服务(XFS)接口规范外延.发布3.10.XFS MIB专用定义.识别卡装置MIB 3.10
BS CWA 15748-29-2011 金融服务(XFS)接口规范外延.发布3.10.XFS MIB专用定义.识别卡装置MIB 3.10
BS 9364 N013-1979 小功率硅P-N-P型开关晶体管详细规范.25V、平面外延、额定环境条件、密封封装、全面附加评定级
BS 9364 N017-1979 小功率硅n-p-n型开关晶体管详细规范.65V、平面外延、额定环境条件、密封封装(长引线型).全面附加评定级
BS 9364 N016-1979 小功率硅P-N-P型开关晶体管详细规范.65V、平面外延、额定环境条件、密封封装.全面附加评定级
BS 9364 N011-1978 小功率硅P-N-P型开关晶体管详细规范.65V、平面外延、额定环境条件、密封封装、全面附加评定级
BS 9364 N008 and N010-1978 小功率硅N-P-N型开关晶体管详细规范.20V、平面外延、额定环境条件、密封封装(长引线型).全面附加评定级
BS 9364 N012-1978 小功率硅P-N-P型开关晶体管详细规范.65V、平面外延、额定环境条件、密封封装(长引线型).全面和附加评估级
BS 9364 N007 and N009-1978 小功率硅N-P-N型开关晶体管详细规范.20V、平面外延、额定环境条件、密封封装.全面附加评定级
EN 60584-3-2008 热电偶.第3部分:外延和补偿缆线.公差和鉴定体系[替代:CENELEC HD 446.3 S1]
ISO/TS 10303-1718:2006 工业自动化系统和集成.产品数据表示和交换.第1718部分:应用模块:部件模板外延
ASTM F2565-06 外科植入物用交联超高分子量聚乙烯加工式样外延辐照的标准指南
ASTM F374-00a 用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法
ASTM F1620-96 使用单分散聚苯乙烯乳胶球沉积在抛光或外延片表面的方法校准表面扫描检验系统的标准规范
ASTM F418-77(1996)e1 霍尔效应测量用外延砷化镓磷化物恒成分区样品制备的标准实施规程
ASTM F418-77(2002) 测量霍尔效应用恒定成分范围的外延磷化砷化镓试样的制备
SAE AS 9741B-2005 CRES UNS S17400、KSI MIN 1900-32和UNJF-3A序列的PD柄、有孔的、外延垫双六角头机械螺栓
DLA MS27065 REV E-2003 90度旋转螺母外延弯管组件
DLA MS27063 REV E-2003 45度旋转螺母外延弯管组件
DLA MS27067 REV C-2003 45度旋转螺母断接外延弯管组件
DLA MS27068 REV C-2003 90度旋转螺母断接外延弯管组件
CSA ISO/CEI 10918-3-00:2002 信息技术-连续模式固定图象数字编码及压缩:外延.第1版.ISO/CEI 10918-3:1997
DIN 50446-1995 半导体工艺材料的检验.硅晶体外延层缺陷种类和缺陷密度的测定
DIN 50437-1979 半导体无机材料的试验.用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
JB/T 5631-1991 半导体器件外延炉 能耗标准
MNOSZ 6736-1952 负重运输.索道面附件产品(向外延展用)
DL/T 2310-2021 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件
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