紫外线氧化物检测

本专题涉及紫外线 氧化物的标准有37条。

国际标准分类中，紫外线 氧化物涉及到集成电路、微电子学、表面处理和镀涂、水质。

在中国标准分类中，紫外线 氧化物涉及到计算机应用、半导体集成电路、轻金属及其合金分析方法、水环境有毒害物质分析方法、材料防护、环境卫生。

美国国防后勤局，关于紫外线 氧化物的标准

DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路

DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 硅单片,紫外线可擦除可程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路

DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 硅单片,紫外线可消除可程序化逻辑设置,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 硅单片8K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 硅单片,32K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 硅单片,2K X 8寄存的紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 硅单块 64K X8紫外线消除式可程序化只读存储器,,互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 硅单块 2K X8注册的紫外线消除式可程序化只读存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体64X 16比特紫外线扩展可编程序只读存储器,数字主体存储器微型电路

DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体512K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 硅单片,4K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体记名32K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-90930 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X 8比特记名诊断紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体256K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 装有32千比特紫外线消除式可程序化只读存储器的8比特金属氧化物半导体微处理器,N沟道数字微型电路

DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 硅单片紫外线擦除可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 硅单片,128K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-92071-1994 硅单块 互补金属氧化物半导体64K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-91624-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体功率转换8K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-93122-1993 硅单片,2K X 16状态机紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 硅单片功率下降16K X 8紫外线可擦除可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路

DLA SMD-5962-93245-1993 硅单片,扩展电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-93248-1993 硅单片,电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路

DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字存储微电路

DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字微电路

DLA SMD-5962-89476-1992 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-92140-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体128K X 16比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

韩国标准，关于紫外线 氧化物的标准

KS D 8341-2-2002 铝和铝合金有色阳极氧化物涂层耐光性加速测试方法.第2部分:紫外线耐光性测验

美国材料与试验协会，关于紫外线 氧化物的标准

ASTM D5904-02(2009) 用紫外线、过硫酸盐氧化物和薄膜导电率检测法测定水中总含碳量、有机碳和无机碳的标准试验方法

ASTM D5904-02 用紫外线、过硫酸盐氧化物和薄膜导电率检测法测定水中总含碳量、有机碳和无机碳的标准试验方法

ASTM D5904-96 用紫外线、过(二)硫酸盐氧化物和薄膜导电率检测法测定水中总含碳量、有机碳和无机碳的标准试验方法

，关于紫外线 氧化物的标准

SANS 6581-1980 铝及其合金的阳极化．着色阳极氧化物涂层的紫外线色牢度的测定

丹麦标准化协会，关于紫外线 氧化物的标准

DS/ISO 6581:1988 铝及其合金的阳极氧化. 有色阳极氧化物镀层耐紫外线的测定