硅表面检测

发布时间：2025-09-18 00:00:00

中析研究所涉及专项的性能实验室，在硅表面检测服务领域已有多年经验，可出具CMA和CNAS资质，拥有规范的工程师团队。中析研究所始终以科学研究为主，以客户为中心，在严格的程序下开展检测分析工作，为客户提供检测、分析、还原等一站式服务，检测报告可通过一键扫描查询真伪。

咨询试验方案预约参观实验室

本专题涉及硅表面的标准有75条。

国际标准分类中，硅表面涉及到分析化学、金属材料试验、长度和角度测量、半导体材料、绝缘流体、涂料配料、集成电路、微电子学、技术制图、电子设备用机械构件、半导体分立器件、无机化学、与食品接触的物品与材料。

在中国标准分类中，硅表面涉及到基础标准与通用方法、金属物理性能试验方法、基础标准与通用方法、元素半导体材料、半金属与半导体材料综合、电子光学与其他物理光学仪器、半金属、金相检验方法、半导体分立器件综合、化学、轻金属及其合金分析方法、标志、包装、运输、贮存、基础标准与通用方法。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅表面的标准

GB/T 40109-2021 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法

GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法

国家质检总局，关于硅表面的标准

GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法

GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法

GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法

国际标准化组织，关于硅表面的标准

ISO 23170-2022 表面化学分析.深度剖面.用中能离子散射法对硅衬底上纳米级重金属氧化物薄膜进行无损深度剖面

ISO 23157:2021 气相色谱法测定气相二氧化硅表面硅醇基含量

ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法

ISO 17560-2014 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法

ISO 14706-2014 表面化学分析用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染

ISO 14706:2014 表面化学分析 - 通过全反射X射线荧光（TXRF）光谱测定硅晶片上的表面元素污染

ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法

ISO 12406:2010 表面化学分析——二次离子质谱法——硅中砷的深度剖面分析方法

ISO 14237:2010 表面化学分析——二次离子质谱法——用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度

ISO 17331 AMD 1-2010 表面化学分析.硅晶片加工标准物质表面元素收集用化学方法和及其光分析仪(TXRF)光谱学测定.修改件1

ISO 14237-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

ISO 23812:2009 表面化学分析——二次离子质谱法——使用多δ层标准物质的硅深度校准方法

ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.使用多δ层参考材料的硅深度校准方法

ISO 17560-2002 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法

ISO 14706-2000 表面化学分析用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染

ISO 14237:2000 表面化学分析.二次离子质谱法.使用均匀掺杂材料测定硅中的硼原子浓度

ISO 14237-2000 表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

英国标准学会，关于硅表面的标准

BS ISO 17560-2014 表面化学分析.再生离子质量光谱测定.硅中硼的深仿形分析法

BS EN 60191-6-22-2013 半导体器件的机械标准化. 表面安装半导体器件封装轮廓图的一般制备规则. 硅细间距球栅格阵列和硅细间距栅格阵列半导体封装的设计指南(S-FBGA和S-FLGA)

BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法

BS ISO 14237-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法

BS ISO 17560-2002 表面化学分析.再生离子质量光谱测定.硅中硼的深仿形分析法

BS EN 1388-1-1996 与食品接触的材料和物品.硅化表面.第1部分:测定从陶瓷品中释放的铅和镉

BS EN 1388-2-1996 与食品接触的材料和物品.硅化表面.第2部分:陶瓷品除外的测定从硅化表面释放的铅和镉

德国标准化学会，关于硅表面的标准

DIN 51456-2013 半导体技术用材料的试验. 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 通过水分析解决方案的多元素测定进行硅晶片的表面分析

DIN EN 60191-6-22-2013 半导体器件的机械标准化. 第6-22部分: 表面安装半导体器件封装轮廓图的一般制备规则. 硅细间距球栅格阵列和硅细间距栅格阵列半导体封装的设计指南(S-FBGA和S-FLGA) (IEC 60191-6-22-2012); 德文版本EN 60191-6-22-2013

DIN EN 1388-1-1995 与食品接触的材料和物品.硅化表面.第1部分:测定从陶瓷制品中释放的铅和镉; 德文版本 EN 1388-1:1995

DIN EN 1388-2-1995 与食品接触的材料和物品.硅化表面.第2部分:除陶瓷制品外测定从硅化表面释放的铅和镉; 德文版本 EN 1388-2:1995