本专题涉及剖析的标准有24条。
国际标准分类中，剖析涉及到分析化学、电子元器件综合。
在中国标准分类中，剖析涉及到基础标准与通用方法、电子光学与其他物理光学仪器、化学助剂基础标准与通用方法、化学、标准化、质量管理、通信网技术体制。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于剖析的标准
GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于剖析的标准
GB/T 34326-2017 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法
GB/T 32999-2016 表面化学分析 深度剖析 用机械轮廓仪栅网复型法测量溅射速率
GB/T 32997-2016 表面化学分析 辉光放电发射光谱定量成分深度剖析的通用规程
国家质检总局，关于剖析的标准
GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
GB/T 29557-2013 表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量
GB/T 20175-2006 表面化学分析.溅射深度剖析.用层状膜系为参考物质的优化方法
国际标准化组织，关于剖析的标准
ISO 14606:2015 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法
ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
ISO 16531:2013 表面化学分析.深度剖析.原子发射光谱(AES)和光电子能谱(XPS)中深度剖析用电流或电流密度的离子束校正和相关测量方法
ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
ISO 14606:2000 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法
英国标准学会，关于剖析的标准
BS ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
BS ISO 16531:2013 表面化学分析.深度剖析.在光电子能谱(XPS)和原子发射光谱(AES)的深度剖析中离子束校准和电流或电流密度的相关测量用方法
BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
法国标准化协会，关于剖析的标准
NF X21-062-2008 表面化学分析.溅射深度剖析.层状膜系作为参考物质的优化方法
行业标准-电子，关于剖析的标准
SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术深度剖析标准导则
国际电信联盟，关于剖析的标准
ITU-T E.523 FRENCH-1993 国际话务流量业务的标准流量剖析
ITU-T E.523 SPANISH-1993 国际话务流量业务的标准流量剖析
，关于剖析的标准
图书 A-5077 一级注册计量师资格考试典型习题解答剖析（2022版）
图书 A-5078 二级注册计量师资格考试典型习题解答剖析（2022版）
图书 3-9750 剖析ISO运用中的"大误解" 将质量管理体系作为强有力管理工具的思维变革
澳大利亚标准协会，关于剖析的标准
AS ISO 14606:2006 表面化学分析．溅射深度剖析．用层状膜系为参考物质的优化方法
