电流密度时检测

本专题涉及电流密度 时的标准有53条。

国际标准分类中，电流密度 时涉及到电学、磁学、电和磁的测量、导体材料、分析化学、辐射防护、辐射测量、电容器、数据存储设备。

在中国标准分类中，电流密度 时涉及到电工材料和通用零件综合、电磁计量、物理学与力学、基础标准与通用方法、工业物理因素危害控制、电磁兼容、电离辐射计量、基础标准和通用方法、基础标准与通用方法、电力电容器、电测模拟指示仪表。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于电流密度 时的标准

GB/T 39843-2021 电子学特性测量 大面积超导膜的局域临界电流密度及其分布

英国标准学会，关于电流密度 时的标准

BS EN IEC 61788-17-2021 超导性. 第17部分: 电气特性测量值. 大面积超导薄膜的局部临界电流密度及其分布

BS ISO 16531-2013 表面化学分析.深度剖析.在光电子能谱(XPS)和原子发射光谱(AES)的深度剖析中离子束校准和电流或电流密度的相关测量用方法

BS ISO 16531-2013 表面化学分析.深度剖析.在光电子能谱(XPS)和原子发射光谱(AES)的深度剖析中离子束校准和电流或电流密度的相关测量用方法

BS EN 61788-17-2013 超导性.电气特性测量值.大面积超导薄膜的局部临界电流密度及其分布

BS EN 61788-17-2013 超导性.电气特性测量值.大面积超导薄膜的局部临界电流密度及其分布

BS EN 62226-3-1-2007 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.暴露于磁场.分析和二维数字模型

BS EN 62226-1-2005 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.总则

BS EN 62226-2-1-2005 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应产生的电流密度和内电场的计算方法.处于磁场中.2维模型

国际电工委员会，关于电流密度 时的标准

IEC 61788-17:2021 超导性 - 第17部分:电子特性测量 - 局部临界电流密度及其在大面积超导薄膜中的分布

IEC 61788-17:2021 RLV 超导性第17部分:电子特性测量大面积超导薄膜中的局部临界电流密度及其分布

IEC 61788-17-2021 RLV 超导性第17部分:电子特性测量大面积超导薄膜中的局部临界电流密度及其分布

IEC 62226-3-1-2007+AMD1-2016 CSV 暴露于低电压和中电压下的电场或磁场 频率范围.电流密度和频率的计算方法 人体内感应的内部电场.第3-1部分: 电场暴露.分析和2D数值模型

IEC 62226-3-1:2007+AMD1:2016 CSV 暴露于低电压和中电压下的电场或磁场 频率范围.电流密度和频率的计算方法 人体内感应的内部电场.第3-1部分: 电场暴露.分析和2D数值模型

IEC 61788-17:2013 超导性 - 第17部分:电子特性测量 - 局部临界电流密度及其在大面积超导薄膜中的分布

IEC 61788-17-2013 超导性.第17部分:电气特性测量值.大面积超导薄膜的局部临界电流密度及其分布

IEC 62226-3-1:2007 在低频和中频范围内暴露于电场或磁场 - 计算人体内电流密度和内部电场的方法 - 第3-1部分:暴露于电场 - 分析和二维数值模型

IEC 62226-3-1-2007 暴露于低频和中频范围内电场或磁场.计算人体内电流密度和内部电场感应的方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型

IEC 62226-2-1:2004 在低频和中频范围内暴露于电场或磁场 - 计算人体内电流密度和内部电场的方法第2-1部分:暴露于磁场 - 2d模型

IEC 62226-1:2004 在低频和中频范围内暴露于电场或磁场 - 计算人体内电流密度和内部电场的方法 - 第1部分:一般

IEC 62226-2-1-2004 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型

IEC 62226-1-2004 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则

，关于电流密度 时的标准

IRAM 2013-N.I.O.-1944 一般电流密度

国际标准化组织，关于电流密度 时的标准

ISO 16531-2020 表面化学分析 - 深度分析 - 离子束对准方法和相关的电流或电流密度测量 用于AES和XPS中的深度分析

ISO 16531-2013 表面化学分析.深度剖析.原子发射光谱(AES)和光电子能谱(XPS)中深度剖析用电流或电流密度的离子束校正和相关测量方法

ISO 16531:2013 表面化学分析——深度剖面——用于AES和XPS深度剖面的离子束对准和相关电流或电流密度测量方法

德国标准化学会，关于电流密度 时的标准

DIN EN 61788-17-2013 超导性.第17部分:电气特性测量值.大面积超导薄膜的局部临界电流密度及其分布(IEC 61788-17-2013).德文版本EN 61788-17-2013

DIN EN 62226-3-1-2008 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型

DIN EN 62226-1-2005 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则

DIN EN 62226-2-1-2005 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.二维模型

法国标准化协会，关于电流密度 时的标准

NF C31-888-17-2013 超导性.第17部分:电气特性测量值.大面积超导薄膜的局部临界电流密度及其分布

NF C99-115-3-1-2008 暴露于低频和中频电场或磁场.计算人体内电流密度和内部电场感应的方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模式

NF C99-115-1-2005 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则

NF C99-115-2-1-2005 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型

美国电气电子工程师学会，关于电流密度 时的标准

IEEE C 95.1a-2010 处于射频电磁场3 kHz至300 GHz的人体安全等级.修改件1:感应和触点电流指定上限,局部暴露和空间峰值功率密度间的明显差异

韩国标准，关于电流密度 时的标准

KS C IEC 62226-2-1-2008 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型

KS C IEC 62226-1-2008 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则

KS C IEC 62226-1-2008 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则

欧洲电工标准化委员会，关于电流密度 时的标准

EN 62226-3-1-2007 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型

EN 62226-1-2005 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第1部分:总则 IEC 62226-1:2004

EN 62226-2-1-2005 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第2-1部分:暴露于磁场.二维模型 IEC 62226-2-1:2004

美国材料与试验协会，关于电流密度 时的标准

ASTM E684-2004 固体表面溅射深度仿形加工用大直径离子束的电流密度近似测定的标准规程

ASTM E684-95(2000) 固体表面溅射深度成形用大直径离子束电流密度近似测定的标准实施规程

美国电子电路和电子互连行业协会，关于电流密度 时的标准

IPC TM-650 5.5.4.10-1998 试件H -电容和电流密度

国家计量检定规程，关于电流密度 时的标准

JJG(机械) 75-1992 电流密度测试仪检定规程

国家计量技术规范，关于电流密度 时的标准

JJF(机械) 026-2008 电流密度测试仪校准规范