本专题涉及载流子寿命的标准有17条。
国际标准分类中,载流子寿命涉及到半导体材料、金属材料试验、太阳能工程、有色金属。
在中国标准分类中,载流子寿命涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、太阳能、半金属、元素半导体材料、稀有分散金属及其合金。
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
DIN V VDE V 0126-18-4-1-2007 太阳能硅片.第4-1部分:硅片电气特性的测量程序.联机测量法测定少数载流子寿命
DIN V VDE V 0126-18-4-2-2007 太阳能硅片.第4-2部分:硅电气特性的测量程序.实验室测量法测定少数载流子寿命
DIN 50440-1998 半导体工艺材料的试验.硅单晶中载流子寿命的测量.用光电导法在微小喷射时测量复合载流子寿命
KS D 0257-2002(2017) 载流子寿命单晶硅BY光电导衰减法 - 少数民族MEASURING
KS D 0265-1989(2019) 通过光电导衰减法测量锗中少数载流子寿命
KS D 0257-2002 光电导衰减测量法测定硅单晶体少数载流子寿命的方法
KS D 0257-2002 光电导衰减测量法测定硅单晶体少数载流子寿命的方法
KS D 0265-1989 光电导衰减测量法.锗的少数载流子寿命的测量方法
KS D 0265-1989 光电导衰减测量法.锗的少数载流子寿命的测量方法
ASTM F28-91(1997) 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
JIS H0604-1995 用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命
JIS H0603-1978 用光电导衰减法测定锗中少数载流子寿命
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