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硅晶片检测

硅晶片检测

发布时间:2025-09-18 00:00:00

中析研究所涉及专项的性能实验室,在硅晶片检测服务领域已有多年经验,可出具CMA和CNAS资质,拥有规范的工程师团队。中析研究所始终以科学研究为主,以客户为中心,在严格的程序下开展检测分析工作,为客户提供检测、分析、还原等一站式服务,检测报告可通过一键扫描查询真伪。

本专题涉及硅晶片的标准有17条。

国际标准分类中,硅晶片涉及到半导体材料、分析化学、集成电路、微电子学、有色金属、电学、磁学、电和磁的测量。

在中国标准分类中,硅晶片涉及到半金属与半导体材料综合、基础标准与通用方法、半导体分立器件综合、太阳能、电子元件综合、化学、元素半导体材料。


国家质检总局,关于硅晶片的标准

GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

国际标准化组织,关于硅晶片的标准

ISO 14706-2014 表面化学分析 用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染

ISO 14706:2014 表面化学分析 - 通过全反射X射线荧光(TXRF)光谱测定硅晶片上的表面元素污染

ISO 17331 AMD 1-2010 表面化学分析.硅晶片加工标准物质表面元素收集用化学方法和及其光分析仪(TXRF)光谱学测定.修改件1

ISO 14706-2000 表面化学分析 用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染

德国标准化学会,关于硅晶片的标准

DIN 51456-2013 半导体技术用材料的试验. 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 通过水分析解决方案的多元素测定进行硅晶片的表面分析

,关于硅晶片的标准

JEITA EM-3510-2007 硅晶片用边缘转降测定方法

英国标准学会,关于硅晶片的标准

BS EN 50513-2009 太阳能晶片.太阳能电池制造晶体硅晶片的数据表和产品信息

日本工业标准调查会,关于硅晶片的标准

JIS K0148-2005 表面化学分析.用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面主要污染物

美国材料与试验协会,关于硅晶片的标准

ASTM F1527-00 测量硅电阻率仪器校准和控制用硅标准参考材料和参考晶片的应用指南

ASTM F1392-2000 用带汞探针的容量-电压测量法测定硅晶片中净载流子密度分布的标准试验方法

ASTM F1390-1997 自动非接触式扫描法测量硅晶片翅曲度的试验方法

ASTM F672-1988(1995)e1 用分布电阻探头测量硅晶片垂直于表面的纵断面电阻率的标准试验方法

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