半导体层检测

本专题涉及半导体 层的标准有10条。

国际标准分类中，半导体 层涉及到半导体分立器件、半导体材料。

在中国标准分类中，半导体 层涉及到半导体分立器件综合、元素半导体材料。

法国标准化协会，关于半导体 层的标准

NF C96-017-1-2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验.

德国标准化学会，关于半导体 层的标准

DIN EN 62374-1-2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验(IEC 62374-1-2010).德文版本EN 62374-1-2010 + AC-2011

DIN 50446-1995 半导体工艺材料的检验.硅晶体外延层缺陷种类和缺陷密度的测定

DIN 50447-1995 半导体工艺材料的检验.用涡流法接点测量半导体层的表面电阻

DIN 50439-1982 半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线

DIN 50437-1979 半导体机材料的试验.用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度

英国标准学会，关于半导体 层的标准

BS EN 62374-1-2010 半导体装置.依赖时间的金属层间的介质击穿(TDDB)试验

国际电工委员会，关于半导体 层的标准

IEC 62374-1-2010 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验

欧洲电工标准化委员会，关于半导体 层的标准

EN 62374-1-2010 半导体器件.第1部分:金属层间时间相关的介质击穿(TDDB)试验[代替:CENELEC EN 62374]

，关于半导体 层的标准

JUS N.C0.036-1980 活动索线及线缆测试．绝缘电阻测量， 半导体层电阻及表面电阻