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本专题涉及半导体几纳米的标准有33条。
国际标准分类中，半导体几纳米涉及到光学和光学测量、物理学、化学、分析化学、无机化学、半导体分立器件、半导体材料、词汇、纸浆、长度和角度测量、电学、磁学、电和磁的测量。
在中国标准分类中，半导体几纳米涉及到无机化工原料综合、、磨料与磨具、稀有金属及其合金分析方法、无机盐、技术管理、物理学与力学、元素半导体材料、造纸综合、半导体三极管。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体几纳米的标准
GB/T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法
中国团体标准，关于半导体几纳米的标准
T/CASAS 017-2021 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语
T/CASAS 020-2021 微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法
欧洲标准化委员会，关于半导体几纳米的标准
EN ISO/TS 13830:2013 纳米技术.含人造纳米物体消费品标识的指导
PD CEN/TS 17010:2016 纳米技术-对纳米物体和包含它们的材料进行测量的指导
韩国科技标准局，关于半导体几纳米的标准
KS D 2717-2008 单层碳纳米管、金属/半导体成分比评估.吸收光谱法
KS D 2717-2008(2018) 紫外-可见-近红外吸收光谱法评价单壁碳纳米管烟灰的金属/半导体比
CZ-CSN，关于半导体几纳米的标准
CSN 35 8754-1973 半导体设备．晶体管．短路输出导纳测量
CSN 35 8749-1973 半导体设备． 晶体管． 短路正向传递导纳绝对值的测量
CSN 35 8769-1983 半导体齐纳二极管．电气参数测量方法
法国标准化协会，关于半导体几纳米的标准
XP CEN/TS 17275:2019 纳米技术 纳米物体制造的管理和消除问题的指导方针
XP CEN/TS 17273:2019 纳米技术 - 复杂基质中纳米物体检测和识别的指导文件
XP ISO/TS 13278:2018 纳米技术 - 通过诱导等离子体质谱 (ICP-MS) 测定碳纳米管 (CNT) 样品中的杂质
XP CEN ISO/TS 19590:2019 纳米技术 - 通过单颗粒模式诱导等离子体质谱法测定水介质中无机纳米颗粒的粒径分布和浓度
国家质检总局，关于半导体几纳米的标准
GB/T 29856-2013 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法
GB/T 43012-2023 纸浆 纤维素纳米晶体中硫元素和硫酸半酯含量的测定
KR-KS，关于半导体几纳米的标准
KS D 2717-2008(2023) 用UV-VIS-NIR吸收光谱法评价单壁碳纳米管烟灰的金属/半导体比
RU-GOST R，关于半导体几纳米的标准
GOST 18986.12-1974 遂道式半导体二极管.过渡负导纳测量方法
GOST R 8.592-2009 国家测量统一性保证体系.单晶硅纳米级救济措施.几何形状,线性尺寸规格及制造材料要求
GOST R 8.628-2007 国家测量统一性保证体系.单晶硅纳米级救济措施.几何形状,线性尺寸及制造材料的选择要求
英国标准学会，关于半导体几纳米的标准
PD IEC TS 62607-3-3:2020 纳米制造 关键控制特性 发光纳米材料 使用时间相关单光子计数(TCSPC)测定半导体量子点的荧光寿命
23/30454366 DC BS EN IEC 62047-45 半导体器件 微机电器件 第 45 部分 硅基 MEMS 制造技术 纳米结构抗冲击性的测量方法
23/30454370 DC BS EN IEC 62047-46 半导体器件 微机电器件 第 46 部分 硅基 MEMS 制造技术 纳米级膜拉伸强度的测量方法
国际标准化组织，关于半导体几纳米的标准
ISO/TS 16195:2013 纳米技术.制备干粉形态中包含纳米物体材料的代表试验导则
德国标准化学会，关于半导体几纳米的标准
DIN 50441-1:1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
DIN 50441-5:2001 半导体技术试验.半导体片几何尺寸测定.第5部分:形状和平整度偏差术语
DIN 50441-2:1998 半导体工艺材料的试验.半导体芯片几何尺寸的测量.第2部分:棱角剖面的试验
DIN 50441-4:1999 半导体工艺用材料的试验.半导体圆片几何尺寸的测定.第4部分:圆片直径,直径变化量,扁片直径,扁片长度和扁片厚度
DIN 50441-3:1985 半导体工艺材料的检验.第3部分:半导体切片几何尺寸的测量.第3部分:用多射线干涉法测定抛光切片的平面偏差
国际电工委员会，关于半导体几纳米的标准
IEC TS 62607-3-3:2020 纳米制造.关键控制特性.第3-3部分:发光纳米材料.用时间相关单光子计数法（TCSPC）测定半导体量子点的荧光寿命
AENOR，关于半导体几纳米的标准
UNE-EN 60191-6-2:2003 半导体器件的机械标准化 第 6-2 部分：表面贴装半导体器件封装外形图准备的一般规则 1.50 毫米、1.27 毫米和 1.00 毫米节距球形和柱形端子封装的设计指南
美国材料与试验协会，关于半导体几纳米的标准
ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
