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本专题涉及三极体有哪三极的标准有220条。
国际标准分类中，三极体有哪三极涉及到航空航天制造用紧固件、航空航天用电气设备和系统、半导体分立器件、光电子学、激光设备、造船和海上构筑物综合、旋转电机、电子管、电学、磁学、电和磁的测量、土质、土壤学、集成电路、微电子学、废物、金属材料试验、电磁兼容性(EMC)、流体动力系统、水果、蔬菜及其制品、电子元器件综合、词汇、水质。
在中国标准分类中，三极体有哪三极涉及到连接器、航空器及其附件综合、电气系统与设备、半导体整流器件、半导体三极管、半导体光敏器件、电子元器件、电力半导体器件、部件、船体通用结构、半导体分立器件综合、技术管理、、同步电机、计量综合、通用电子测量仪器设备及系统、场效应器件、半导体集成电路、低压配电电器、金属物理性能试验方法、无线电计量、基础标准与通用方法、液压与气动装置、收、发信管、其他电真空器件、电子元件综合、水环境有毒害物质分析方法、高压开关设备。
美国电子元器件、组件及材料协会，关于三极体有哪三极的标准
ECA 331-1966 有三向插头的立体声耳机的极化
行业标准-航空，关于三极体有哪三极的标准
HB 5659-1981 三极玻璃液体电门
HB 5831-1983 航空用半导体二、三极管技术要求
HB 5832-1983 航空用半导体二、三极管筛选技术条件
法国标准化协会，关于三极体有哪三极的标准
NF L58-362:1977 带有辅助电路的三极换向开关
NF L58-533*NF EN 4728:2015 航空航天系列. 断路器, 单极和三极假体. 产品标准
NF L58-361:1977 带有辅助电路的简单操作三极开关
NF E03-055:1982 公制三角螺纹.ISO体系螺纹公差.直径４０到１００mm的极限尺寸表
NF C85-211:1982 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.工业加热用三极管
FD CEN/TS 16692:2015 水质 - 所有水样中三丁基锡 (TBT) 的测定 - 采用 SPE 盘的固相萃取 (SPE) 方法和采用三重四极杆质谱的气相色谱法
NF E03-050:1982 三角牙型米制螺纹-直径1至355毫米的螺纹公差ISO体系（算术计算、直径和公差极限）
NF C64-114:1975 交流高压开关设备和控制设备三极断路器有关异相开关的断路器试验的特殊附加要求
NF C64-115:1990 交流高压开关设备和控制设备三极断路器有关空载变压器的电流开断用特殊附加要求
日本工业标准调查会，关于三极体有哪三极的标准
JIS C 7233:1978 有可靠性保证的双向三极晶体闸流管(小电流)
JIS C 7234:1978 有可靠性保证的双向三极晶体闸流管(大、中电流)
JIS C 7231:1978 有可靠性保证的反向阻断器三极晶体闸流管(小电流)
JIS C 7232:1978 有可靠性保证的反向阻断型三极晶体闸流管(中、大电流)
JIS C 7051:1974 反向阻断型三极晶体闸流管的试验方法
国际电工委员会，关于三极体有哪三极的标准
IEC 60747-6:2000 半导体装置.第6部分:三极管
行业标准-电子，关于三极体有哪三极的标准
SJ 2219-1982 半导体光敏三极管型光耦合器
SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法
SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法
SJ 2214.7-1982 半导体光敏三极管饱和压降的测试方法
SJ 2214.10-1982 半导体光敏二、三极管光电流的测试方法
SJ 20230-1993 BJ2951A（JS—5A）型晶体三极管HFE测试仪检定规程
SJ 3254-1989 中小功率晶体三极管计量专用样管筛选方法
SJ 2099-1982 CS42型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2103-1982 CS46型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2104-1982 CS47型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2092-1982 CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2093-1982 CS36型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2094-1982 CS37型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2095-1982 CS38型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2096-1982 CS39型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2097-1982 CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2105-1982 CS48型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2106-1982 CS49型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2107-1982 CS50型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2108-1982 CS51型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法
SJ 2100-1982 CS43型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2102-1982 CS45型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2098-1982 CS41型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2101-1982 CS44型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2214.9-1982 半导体光敏二、三极管脉冲上升、下降时间的测试方法
SJ/T 10959-1996 电子元器件详细规范 3CT315型管壳额定雪崩三极晶体闸流管（可供认证用）
SJ/T 10958-1996 电子元器件详细规范 3CT320型管壳额定反向阻断三极晶体闸流管（可供认证用）
韩国科技标准局，关于三极体有哪三极的标准
KS C 7023-1978 反向阻挡三极闸流晶体管试验法
KS C 5208-2002 可靠性有保证的双向三极管晶闸管（低电流）
KS C 5206-2002 可靠性有保证的反向阻断三极管晶闸管（低电流）
KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第三节:开关用双极晶体管空白详细规范
KS C 5209-2002 可靠性有保证的双向三极管晶闸管（大电流和中电流）
KS C IEC 60747-6-2:2006 半导体器件.分立器件.第6部分:晶体闸流管.第2节:双向三极晶体闸流(三极双向可控硅开关元件)、电流最多为100A空白详细规范
KS C 5207-2002 可靠性有保证的反向阻断三极管晶闸管（大电流和中电流）
KS B ISO 4400:2002 流体动力系统和元件.与地面接触的三极电插头.特性和要求
KS C IEC 60747-6-3-2006(2021) 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
KS C IEC 60747-6-3-2006(2016) 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
行业标准-船舶，关于三极体有哪三极的标准
CB/Z 197-1982 潜艇艇体三元锌阳极安装技术要求
SE-SIS，关于三极体有哪三极的标准
SIS SEN 30 03 26 瓷装置零件．铜连接曲别针，三极，有固定孔
行业标准-兵工民品，关于三极体有哪三极的标准
WJ 1807-2000 兵器用半导体二、三极管筛选技术条件
西藏自治区标准，关于三极体有哪三极的标准
DB54/T 0274.1-2023 地球第三极品牌评价体系 第1部分：通则
DB54/T 0274.2-2023 地球第三极品牌评价体系 第2部分：高原生物品牌评价要求
DB54/T 0274.5-2023 地球第三极品牌评价体系 第5部分：西藏旅游服务品牌评价要求
DB54/T 0274.3-2023 地球第三极品牌评价体系 第3部分 西藏民族特色文化创意品牌评价要求
DB54/T 0274.4-2023 地球第三极品牌评价体系 第4部分：西藏食品药品绿色加工制造业品牌评价要求
行业标准-机械，关于三极体有哪三极的标准
JB/T 10747-2007 整体凸极式无刷三相同步发电机技术条件
JB/T 6307.5-1994 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥
美国国防后勤局，关于三极体有哪三极的标准
DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，三极管晶闸管（双向），硅，2N5806 至 2N5809 型
DLA SMD-5962-90772 REV C-2004 硅单块 输入,三倍三输入正极是门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-97581 REV A-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,三路三输入正与门,单块硅
DLA DSCC-DWG-87059 REV D-2004 断路器,有磁性,低功率,密封性,自动跳闸,震动增强,三极,辅助触点
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 三重3输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 硅单片,装有三态正向输出的八位总线收发器,双极数字微型电路
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 具有三态同相输出、单片硅的微电路、数字、双极、八进制总线收发器
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 硅单块 三态缓冲器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 2N930,2N930UB,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC低耗半导体器件,晶体管,三极管和硅片的标准规格
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT三端口母线三状态输出转换器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的六总线驱动器的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的四总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的八总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 微电路，存储器，数字，8192 位，可切换，肖特基，具有三态输出的双极 PROM，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，具有三态输出的八路缓冲门，单片硅
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 1 线至 10 线时钟驱动器、单片硅
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1,JAN,JANTX,JANJ型能量切换半导体器件的晶体管,塑料,三极管和硅片的标准规格
DLA MIL-DTL-52286/2 C-2010 电缆组件，电源，电气，2 导体，20 英尺长，椭圆形端接，带三个 2 极连接器
DLA DSCC-DWG-87062 REV D-2005 断路器,有磁性,密封板,震动增强,自动跳闸,串联跳闸,三极(电流从0.2到30安培)
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 18 位通用总线驱动器、单片硅
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的八路缓冲门、单片硅
DLA MIL-M-38510/79 D VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL、具有三态输出的数据选择器/多路复用器、单片硅
DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制总线收发器
DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制寄存收发器
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，具有三态输出的四路总线缓冲门，单片硅
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 36 位总线收发器
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位寄存收发器
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器及线路驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-97559 REV A-2006 八角缓冲器和三状态输出行驱动器晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-91661-1993 硅单块 四倍三向总线接收器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-95578 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、36 位寄存总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、9 位总线接口触发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94618 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94671 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、18 位通用总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA MIL-M-38510/339 D VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的数据选择器/多路复用器、单片硅
DLA SMD-5962-90516 REV C-2013 微电路、数字、双极 CMOS、八路 D 型边沿触发触发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-90746 REV C-2013 微电路、数字、双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型透明锁存器
DLA SMD-5962-91597-1993 硅单块 三倍双向闩锁总线接收器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 硅单块 带有源低允许三态非倒转输出的八进制缓冲器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位透明 D 型锁存器
DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-85511 REV D-2005 硅单块 带三态输出总线接收器晶体管-晶体管逻辑电路,高级肖脱基,双极数字微型电路
DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 型号为2N7334,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC,JANKCA2N7334以及JANHCA2N7334的硅晶体场效应半导体设备,带N个通道具四个三极管
DLA SMD-5962-94502 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94577 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93086 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有反相三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
DLA SMD-5962-93242 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/驱动器
DLA SMD-5962-94577 REV D-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-90625 REV B-2012 具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
DLA SMD-5962-90743 REV B-2012 具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 硅单片,TTL兼容输入,装有双重使动及三态输出的八位锁存的收发器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位收发器及锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有双使能、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制锁存收发器
DLA SMD-5962-93201 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位边沿触发 D 型触发器
DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位总线接口 D 型锁存器
DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位缓冲器/驱动器
DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持和三态输出的八进制收发器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96775 REV B-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位事件波开关总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 微电路、数字、双极性、高级低功耗肖特基、TTL、具有三态输出的 8 位总线接口触发器、单片硅
DLA SMD-5962-97549-1997 八角D类触发三状态输出双稳态多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-89602 REV B-2006 硅单片,装有三态输出放大器的驱动器及八位缓冲器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制边沿触发 D 型触发器
DLA SMD-5962-97625 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的 10 位总线接口 D 型锁存器、单片硅
DLA SMD-5962-90748 REV B-2012 具有反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 硅单块 带三态输入的八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89722-1989 硅单片,八位传输线及底板收发器(有三态输出的集电极开路),改进型肖特基TTL数字微型电路
DLA MIL-PRF-19500/368 K (1)-2008 小功率硅三极管(NPN)晶体管半导体器件.型号:2N3439,2N3439L,2N3439UA,2N3439U4,2N3440,2N3440L,2N3440UA和2N3440U4,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHCB,JANKCB,JANHCC,JANKCC JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANSF,JANSG,JANSH
DLA SMD-5962-90523 REV B-2003 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位寄存收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-90741 REV C-2013 具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器/MOS 驱动器
DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的寄存的总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
国家计量检定规程，关于三极体有哪三极的标准
JJG(电子) 04026-1989 BJ2985型晶体三极管维持电压测试仪检定规程
JJG(电子) 04023-1989 BJ2970型大功率半导体三极管tf测试仪检定规程
JJG(电子) 04009-1987 BJ2983型晶体三极管正偏二次击穿测试仪试行检定规程
JJG(电子) 04016-1988 BJ2984（QR-3）型晶体三极管瞬态热阻测试仪试行检定规程
JJG(电子) 04022-1989 Q01型高频小功率晶体三极管Ft计量标准装置检定规程
JJG 516-1987 BJ2920(HQ2)型数字式晶体三极管综合(直流)参数测试仪检定规程
JJG(电子) 04020-1989 高频中小功率晶体三极管噪声系数计量专用样管检定规程
JJG(电子) 04025-1989 Q04型中小功率晶体三极管开关参数计量标准装置检定规程
RU-GOST R，关于三极体有哪三极的标准
GOST 21107.9-1976 气体放电仪.脉冲三极管的电参数的测量方法
GOST 15172-1970 晶体三极管.基本的和参考用的参数的一览表
GOST 21107.13-1978 气体放电仪.脉冲二极管与三极管的使用方式与测量方式的电参数测量方法
GOST 21107.10-1978 气体放电仪.辉光放电二极管与三极管的使用方式和测量方式的电参数测量方法
GOST 26169-1984 无线电电子设备的电磁兼容性.大功率高频线性双极型晶体三极管组合成份系数规范
陕西省标准，关于三极体有哪三极的标准
DB61/T 1423-2021 土壤 有机氯农药的测定 气相色谱-三重四极杆质谱法
IN-BIS，关于三极体有哪三极的标准
IS 4400 Pt.7-1971 半导体器件测量方法第 Ⅶ 部分反向阻断三极管晶闸管
IS 3700 Pt.7-1970 半导体器件的基本额定值和特性第 Ⅶ 部分反向阻断三极管晶闸管
美国材料与试验协会，关于三极体有哪三极的标准
ASTM D7066-04(2017) 氯三氟乙烯（S-316）的二聚体/三聚体的标准测试方法红外测定可回收油和油脂和非极性材料
工业和信息化部，关于三极体有哪三极的标准
XB/T 702-2022 金属氢化物-镍电池负极用稀土系贮氢合金粉电化学性能的测试 三电极体系测试法
欧洲航空工业协会，关于三极体有哪三极的标准
AECMA PREN 2996-005-2005 航空航天系列.三极温度补偿、额定电流1安到25安断路器.第005部分;有极化的信号连接产品标准
AECMA PREN 2996-005-1997 航空航天系列.三极温度补偿、额定电流1安到25安断路器.第005部分;有极化的信号连接和统一硬件设施 12,18 mm产品标准
AECMA PREN 2996-005-1999 航空航天系列.三极温度补偿、额定电流1安到25安断路器.第005部分;有极化的信号连接和统一硬件设施 12,18 mm产品标准
AECMA PREN 3662-005-1999 航空航空航天系列. 额定电流20安到50安 三极温度补偿断路器.第005部分:具有极化信号连接和统一固定金属件的断路
AECMA PREN 3662-005-1997 航空航空航天系列. 额定电流20安到50安 三极温度补偿断路器.第005部分:具有极化信号连接和统一固定金属件的断路
AECMA PREN 3662-006-1997 航空航空航天系列. 额定电流20安到50安 三极温度补偿断路器.第006部分:有极化信号连接和统一硬件母线版产品设施
AECMA PREN 3662-006-2005 航空航空航天系列. 额定电流20安到50安 三极温度补偿断路器.第006部分:有极化信号连接和统一硬件母线版产品设施
AECMA PREN 3662-006-1999 航空航空航天系列. 额定电流20安到50安 三极温度补偿断路器.第006部分:有极化信号连接和统一硬件母线版产品设施
AECMA PREN 2996-004-2005 航空航天系列.三极温度补偿、额定电流1安到25安断路器.第004部分;有信号连接的产品标准
AECMA PREN 3204-003-1990 航空航天系列.其中1和三个极点25A即插即用型电磁继电器 没有安装的硬件-层面-产品标准
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于三极体有哪三极的标准
QC 750104-1991 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第三部分 用于开关应用的双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-3 ED 1）
行业标准-环保，关于三极体有哪三极的标准
HJ 1026-2019 固体废物 氨基甲酸酯类农药的测定 高效液相色谱-三重四极杆质谱法
德国标准化学会，关于三极体有哪三极的标准
DIN 45980-1002:1977 电子元件质量评估协调体系.空白详细规范.第1002部分:工业用电热三极管
英国标准学会，关于三极体有哪三极的标准
BS E9063:1976 电子元器件用质量评估协调体系规范.空白详细规范.工业用加热三极管
BS PD CEN/TS 16692:2015 水质. 整体水样中三丁基锡 (TBT) 的测定. 采用SPE圆盘和气相色谱-三重四极杆质谱联用的固相萃取 (SPE) 的使用方法
ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization，关于三极体有哪三极的标准
PREN 3662-006-2005 航空航天系列断路器 三极 温度补偿 额定电流 20 A 至 50 A 第006部分：带有极化信号触点的母线版本产品标准（P 3 版）
PREN 3662-005-1999 航空航天系列断路器 三极 温度补偿 额定电流 20 A 至 50 A 第005部分：具有极化信号触点和统一安装硬件 端子中心距 21 mm 产品标准（P 2 版）
国家质检总局，关于三极体有哪三极的标准
GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
欧洲标准化委员会，关于三极体有哪三极的标准
EN 3662-005:2006 航空航天系列.额定电流20A～50A的三极温度补偿断路器.第005部分:具有偏阵信号连接.产品标准
