本专题涉及半导体二极管的标准有337条。
国际标准分类中，半导体二极管涉及到半导体分立器件、光电子学、激光设备、计量学和测量综合、整流器、转换器、稳压电源、光纤通信、环境试验、电工和电子试验、词汇、轴承。
在中国标准分类中，半导体二极管涉及到半导体二极管、半导体光敏器件、激光器件、红外器件、半导体整流器件、半导体三极管、、半导体发光器件、半导体分立器件综合、电力半导体器件、部件、微波、毫米波二、三极管、光电子器件综合、半导体集成电路、光通信设备、场效应器件、滚动轴承、电子元器件。
国家质检总局，关于半导体二极管的标准
GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
GB/T 18904.5-2003 半导体器件 第12-5部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范
GB/T 18904.2-2002 半导体器件 第12-2部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范
GB/T 18904.1-2002 半导体器件 第12-1部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分;信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范
GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分;信号(包括开关)和调整二极管 第一篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管
GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范
，关于半导体二极管的标准
SIS SS CECC 50001-1981 空白详细规范．通用半导体二极管
国际电工委员会，关于半导体二极管的标准
IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
IEC 63275-2-2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
IEC 60747-4-2007/AMD1-2017 修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管
IEC 60747-4:2007/AMD1:2017 修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管
IEC 60747-4-2007+AMD1-2017 CSV 半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV 半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管
IEC 60747-4 AMD 1:2017 半导体装置.分立装置.第4部分:微波二极管和晶体管.修改件1
IEC 60747-2-2016 半导体器件 - 第2部分:分立器件 - 整流二极管
IEC 60747-2:2016 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
IEC 60747-5-7-2016 半导体器件 - 第5-7部分:光电器件 - 光电二极管和光电晶体管
IEC 60747-5-7:2016 半导体设备. 第5-7部分: 光电设备. 光电二极管和光电晶体管
IEC 60747-3-2013 半导体器件第3部分:分立器件:开关稳压二极管
IEC 60747-3:2013 半导体器件.第3部分:分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管
IEC 60747-4-2007 半导体器件 - 分立器件 - 第4部分:微波二极管和晶体管
IEC 60747-4:2007 半导体装置.分立装置.第4部分:微波二极管和晶体管
IEC 60747-4-1:2000 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管 空白详细规范
IEC 60747-4-2:2000 半导体器件 分立器件 第4-2部分:微波二极管和晶体管 集成电路微波放大器 空白详细规范
IEC 60747-2-2000 半导体器件 - 分立器件和集成电路 - 第2部分:整流二极管
IEC 60747-2:2000 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
IEC 60747-4 AMD 2:1999 半导体器件 分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管 修改2
IEC 60747-12-6:1997 半导体器件 第12-6部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的雪崩光电二极管空白详细规范
IEC 60747-12-5:1997 半导体器件 第12-5部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的PIN光电二极管空白详细规范
IEC 60747-12-1:1995 半导体器件 第12部分:光电子器件 第2节:纤维光学系统和子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
IEC 60747-12-2:1995 半导体器件 第12部分:光电子器件 第2节:纤维光学系统和子系统带尾纤的激光二极管模块空白详细规范
IEC 60747-3 AMD 2:1993 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 修改2
IEC 60747-4 AMD 1:1993 半导体器件 分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管 修改1
IEC 60747-2 AMD 2:1993 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.修改件2
IEC 60747-2-2:1993 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
IEC 60747-3 AMD 1:1991 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 修改1
IEC 60747-4:1991 半导体器件 分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管
IEC 60747-2-1:1989 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
IEC 60747-7:1988 半导体器件.分立器件.第7部分:二极管
IEC 60747-3-2:1986 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 第2节:电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范
IEC 60747-3-1:1986 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 第1节:信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
IEC 60747-3:1985 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管
IEC 60747-2:1983 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管
英国标准学会，关于半导体二极管的标准
BS IEC 60747-2:2016 半导体器件.分立器件.整流二极管
BS IEC 60747-3:2013 半导体器件.分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管
BS IEC 60747-4:2008 半导体装置.分立装置.微波二极管和晶体管
BS IEC 60747-2:2000 分立的半导体器件器件和集成电路.整流二极管
BS 6493 Sec.1.4-1992 半导体器件.第1部分:分立器件.第4节:微波二极管及晶体管
BS 6493-1.3-1986 半导体器件.分立器件.信号(包括开关)和调节器二极管推荐标准
BS 6493 Sec.1.3-1986 半导体器件.第1部分:分立器件.第3节:信号(包括开关)和调节二极管推荐规范
行业标准-电子，关于半导体二极管的标准
SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率
SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角
SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容
SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则
SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽
SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量
SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽
SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间
SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流
SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数
SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
SJ 50033/164-2003 半导体分立器件PIN0002型PIN二极管详细规范
SJ 50033/165-2003 半导体分立器件PIN0003型PIN二极管详细规范
SJ 50033/162-2003 半导体分立器件2CW1022型硅双向电压调整二极管详细规范
SJ 50033/161-2002 半导体分立器件.2CW210～251型硅电压调整二极管.详细规范
SJ 50033/153-2002 半导体分立器件.2CK141型微波开关二极管.详细规范
SJ 50033/150-2002 半导体分立器件.2DW230～236型硅电压基准二极管.详细规范
SJ 50033/151-2002 半导体分立器件.2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管.详细规范
SJ 53930/1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范
SJ 50033/152-2002 半导体分立器件.2CK140型微波开关二极管.详细规范
SJ 20644.2-2001 半导体光电子器件 GD101型PIN光电二极管详细规范
SJ 20644.1-2001 半导体光电子器件 GD3550Y型PIN光电二极管详细规范
SJ 20788-2000 半导体二极管热阻抗测试方法
SJ 50033/149-2000 半导体分立器件.2CW100～121型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范
SJ 50033/141-1999 半导体分立器件2EK150型砷化镓高速开关二极管详细规范
SJ 50033/144-1999 半导体分立器件.2CW50～78型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范
SJ 50033/135-1997 半导体分立器件.2CZ10型硅开关整流二极管详细规范
SJ 50033/127-1997 半导体分立器件 2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范
SJ 50033/133-1997 半导体分立器件.SY5629～5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范
SJ 50033/126-1997 半导体分立器件.2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范
SJ 50033/128-1997 半导体分立器件.2DK15型硅肖特基开关整流二极管详细规范
SJ 50033/109-1996 半导体光电子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管.详细规范
SJ 50033/108-1996 半导体分立器件.2EY5671、2EY5672型体效应二极管详细规范
SJ 50033/107-1996 半导体分立器件.2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管详细规范
SJ 50033/110-1996 半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范
SJ 50033/113-1996 半导体光电子器件.GD3252Y型光电二极管详细规范
SJ 50033/112-1996 半导体光电子器件.GD3251Y型光电二极管详细规范
SJ 50033/97-1995 半导体分立器件.2CJ4011、2CJ4012、2CJ4021、2CJ4022型阶跃恢复二极管详细规范
SJ 50033/101-1995 GJ1325半导体激光二极管组件详细规范
SJ 50033/98-1995 半导体分立器件.2CJ4211、2CJ4212型阶跃恢复二极管详细规范
SJ 50033/100-1995 半导体分立器件.2CJ60型阶跃恢复二极管详细规范
SJ 50033/71-1995 半导体分立器件.PIN342型PIN二极管详细规范
SJ 50033/72-1995 半导体分立器件.PIN323型PIN二极管详细规范
SJ 50033/69-1995 半导体分立器件.PIN30系列PIN二极管详细规范
SJ 50033/70-1995 半导体分立器件.PIN35系列PIN二极管详细规范
SJ 50033/28-1994 半导体分立器件.2CV334、2CV3338型微带混频二极管详细规范
SJ 50033.55-1994 半导体分立器件.2CK82型硅开关二极管详细规范
SJ 50033/18-1994 半导体分立器件.2CZ73型硅开关整流二极管详细规范
SJ 50033.44-1994 半导体分立器件.2CZ105型硅开关整流二极管详细规范
SJ 50033.49-1994 半导体分立器件.2CJ4220系列阶跃二极管详细规范
SJ 50033/41-1994 GR9414型半导体红外发射二极管详细规范
SJ 50033/26-1994 半导体分立器件.2CW1006～2CW1015型硅电压调整二极管详细规范
SJ 50033.45-1994 半导体分立器件.2CZ58型硅整流二极管详细规范
SJ 50033.48-1994 半导体分立器件.2DV8CP型硅微波检波二极管详细规范
SJ 50033.43-1994 半导体分立器件.2CZ104型硅开关整流二极管详细规范
SJ 50033/39-1994 半导体分立器件.2CZ106型硅开关整流二极管详细规范
SJ 50033/21-1994 半导体分立器件.2CZ75型硅开关整流二极管详细规范
SJ 50033.46-1994 半导体分立器件.2CZ59型硅整流二极管详细规范
SJ 50033/20-1994 半导体分立器件.2CZ101型硅开关整流二极管详细规范
SJ 50033.56-1994 半导体分立器件.2CK85型硅开关二极管详细规范
SJ 50033/19-1994 半导体分立器件.2CZ74型硅开关整流二极管详细规范
SJ 50033/25-1994 半导体分立器件2CW1001～2CW1005型硅电压调整二极管详细规范
SJ 50033.47-1994 半导体分立器件.2CZ117型硅整流二极管详细规范
SJ 20274-1993 半导体分立器件2CK84型硅开关二极管详细规范
SJ 20070-1992 半导体分立器件.2CK105型硅开关二极管详细规范
SJ 20071-1992 半导体分立器件.2CK4148型硅开关二极管详细规范
SJ 20187-1992 半导体分立器件.2CZ5550～5554型硅整流二极管.详细规范
SJ 20069-1992 半导体分立器件.2CK76型硅开关二极管详细规范
SJ 20068-1992 半导体分立器件.2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管详细规范
SJ 20067-1992 半导体分立器件.2CZ30型硅整流二极管详细规范
SJ 2749-1987 半导体激光二极管测试方法
SJ 2750-1987 半导体激光二极管外形尺寸
SJ 2214.2-1982 半导体光敏二极管正向压降的测试方法
SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法
SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法
SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法
SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法
SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法
SJ 2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法
SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法
SJ 909-1974 2CW50～149型硅半导体稳压二极管
SJ 910-1974 2DW50～202型硅半导体稳压二极管（暂行）
SJ 50033/125-1997 半导体分立器件 PIN11～15型硅PIN二极管详细规范
SJ 20186-1992 半导体分立器件2CW2970～3015型硅电压调整二极管详细规范
SJ 20185-1992 半导体分立器件2DW232～236型硅电压基准二极管详细规范
SJ 50033/118-1997 半导体分立器件 2EK31型砷化镓开关二极管详细规范
SJ 50033/124-1997 半导体分立器件 PIN101～105型硅PIN大功率二极管详细规范
SJ 20188-1992 半导体分立器件2CW3016～3051型电压调整二极管详细规范
SJ 50033/123-1997 半导体分立器件 PIN62317型硅PIN大功率二极管详细规范
SJ 50033/117-1997 半导体分立器件 2CK38型硅大电流开关二极管详细规范
SJ 50033/116-1997 半导体分立器件 2CK29型硅大电流开关二极管详细规范
SJ 50033/115-1997 半导体分立器件 2CK28型硅大电流开关二极管详细规范
工业和信息化部，关于半导体二极管的标准
SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻
SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法
SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温
国家军用标准-总装备部，关于半导体二极管的标准
GJB 33/15-2011 半导体光电子器件.BT401型半导体红外发射二极管详细规范
美国电气电子工程师学会，关于半导体二极管的标准
IEEE C 62.37 Errata:2009 半导体闸流管二极管冲击保护设备试验规范;勘误表
IEEE C62.37 ERTA:2009 半导体闸流管二极管冲击保护设备试验规范;勘误表
印度尼西亚标准，关于半导体二极管的标准
SNI IEC 60747-2:2009 半导体器件. 分立器件和集成电路. 第2部分:整流二极管
美国国防后勤局，关于半导体二极管的标准
DLA MIL-PRF-19500/286 H-2008 半导体装置,硅二极管电源整流器,型号1N4245到1N4249,JAN,JANTX,JANTXV,和JANHC
DLA MIL-PRF-19500/240 P-2008 二极管硅整流器半导体器件.型号1N645-1,1N647-1,1N649-1,1N645UR-1,1N647UR-1,1N649UR-1,JAN,JANTX和JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/585 G-2008 半导体装置,超快速回复硅二极管电源整流器,1N6620到1N6625,1N6620U到1N6625U,1N6620US到1N6625US,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
DLA MIL-PRF-19500/474 G-2008 复式二极管阵列硅半导体器件阵列.类型1N5768,1N5770,1N5772,1N5774,1N6100,1N6101,1N6496,1N6506,1N6507,1N6508,1N6509,1N6510和1N6511,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
DLA DSCC-DWG-01038 REV B-2008 半导体装置,PIN二极管,硅,型号1N5719(代替:DLA MIL-PRF-19500/443B CANC NOTICE 2,DLA MIL-PRF-19500/443 B NOTICE 1,DLA MIL-PRF-19500/443B,DLA MIL-S-19500/443 A,DLA MIL-S-19500/443(4),DLA MIL-S-19500/443 (3),DLA MIL-S)
DLA MIL-PRF-19500/356 K-2008 半导体装置,电压调节器硅二极管,型号1N4954到1N4996,1N5968,1N5969和1N6632到1N6637,1N4954US THROUGH 1N4996US,1N5968US,1N5969US和1N6632US到1N6637US和C和D公差后缀装置,JAN,JANT
DLA DSCC-DWG-08011-2008 半导体装置,无线射频混频器硅二极管,型号1N53B,1N53BR,1N53BM,1N53BMR
DLA MIL-PRF-19500/429 L-2008 半导体装置,快速回复电源整流器硅二极管,型号1N5615,1N5617,1N5619,1N5621,1N5623,1N5615US,1N5617US,1N5619US,1N5621US,1N5623US,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC
DLA MIL-PRF-19500/420 L-2008 型号为1N5550 THROUGH 1N5554,1N5550US THROUGH 1N5554US,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHCA,JANHCB,JANHCC,JANHCD,JANHCE,JANKCA,JANKCD以及JANKCE的硅二极管半导体设备,带电源整流器
DLA MIL-PRF-19500/359 H-2008 1N4942,1N4944,1N4946,1N4947和1N4948,JAN,JANTX和JANTXV电源整流器快速回复硅二极管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/169 M-2008 半导体装置,硅开关二极管,类型1N3070,1N3070-1,1N3070UR-1,1N4938,1N4938-1,1N4938UR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANHC和JANKC
DLA MIL-PRF-19500/411 M-2008 半导体装置,快速回复电源整流器硅二极管,1N5415到1N5420,1N5415US到1N5420US,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANTXVM,JANTXVD,JANTXVR,JANTXVH,JANSM,JANSD,JANSR和JANSH
DLA MIL-PRF-19500/158 R-2008 半导体装置,硅二极管,参考电压,补偿温度,类型1N3154-1到1N3157-1和1N3154UR-1到1N3157UR-1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS,耐辐射(仅总剂量效应)JANTXVM,D,L,R,F,G,H和JANSM
DLA MIL-PRF-19500/444 L-2008 半导体装置,肖特基硅开关二极管,型号1N5711-1,1N5711UR-1,1N5711UB,1N5711UBCA,1N5711UBD,1N5711UBCC,1N5712-1,1N5712UR-1,N5712UB,1N5712UBCA,1N5712UBD,1N5712UBCC,1N6857-1,1N6857UR-1,1N6858-1和1N6858UR-1,JAN,JAN
DLA MIL-PRF-19500/159 N-2008 半导体装置,硅二极管,参考电压,补偿温度,1N821-1,1N823-1,1N825-1,1N827-1和1N829-1,1N821UR-1,1N823UR-1,1N825UR-1,1N827UR-1和1N829UR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC;耐辐射
DLA MIL-PRF-19500/118 J-2008 1N483B,1N485B,1N486B,1N5194,1N5194UR,1N5194US,1N5195,1N5195UR,1N5195US,1N5196,1N5196UR和1N5196US,JAN,JANTX和JANTXV型硅二极管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/463 H-2008 半导体装置,硅电流调节器二极管,型号1N5283-1到1N5314-1和1N5283UR-1到1N5314UR-1,1N7048-1到1N7055-1,1N7048UR-1到N7055UR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC
DLA MIL-PRF-19500/452 H-2008 半导体装置,温度补偿低电平参考电压硅二极管,型号1N4565A-1 THROUGH 1N4584A-1和1N4565AUR-1到1N4584AUR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC,耐辐射(仅总剂量效应) TYPES JAN
DLA MIL-PRF-19500/435 J-2008 半导体装置,低噪音电压调节器硅二极管,型号1N4099-1到1N4135-1,1N4614-1到1N4627-1,1N4099UR-1到1N4135UR-1,1N4614UR-1到1N4627UR-1加上公差后缀为C和D的设备JAN,JANTX,JANTXV,JANS
DLA MIL-PRF-19500/437 H-2008 半导体装置,二极管,硅,低噪声稳压器,类型1N5518B-1,1N5518C-1,1N5518D-1 THROUGH 1N5546B-1,1N5546C-1,1N5546D-1,1N5518BUR-1,1N5518CUR-1,1N5518DUR-1 THROUGH 1N5546BUR-1,1N5546CUR-1,1N5546DUR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JAN
DLA MIL-PRF-19500/575 C-2006 1N6512到1N6519,1N6512US到1N6519US,JAN,JANTX,JANTXV和JANS快速回复高压功率整流硅二极管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/735-2006 双二极管1N7041CCU1型和单二极管型1N7045T3,JAN,JANTX,JANTXV和JANS中心抽头肖特基硅二极管半导体装置
DLA DSCC-DWG-01037 REV A-2006 1N23WE型,1N23WEM型和1N23WEMR 1N23WG型,1N23WGM和1N23WGMR型,混合硅二极管半导体装置
DLA DSCC-DWG-91011 REV B-2003 超快二极管半导体器件
DLA DSCC-DWG-03021-2003 TX和TXV型1N5597,1N56001,N5603,高电压整流模块,整流硅二极管半导体器件
DLA MIL-PRF-19500/690-2003 1N4148SOI(NBN),JAN,JANTX,JANTXV和JANS型硅制开关二极管半导体装置
DLA DSCC-DWG-01038 REV A-2002 1N5719型硅的针形二极管半导体装置( 它可代替:国防后勤局标准-PRF-19500/443 B CANC NOTICE 2,国防后勤局标准-PRF-19500/443 B NOTICE 1,国防后勤局标准-PRF-19500/443 B,国防后勤局标准-S-19500/443 A,国防后勤局标准-S-19500/443 (4),国防后勤局标准-S-19500/443 (3),国防后勤局标准-S)
DLA DSCC-DWG-00005-2001 1N21WE,1N21WEM和1N21WEMR二极管硅搅拌机半导体装置
DLA DSCC-DWG-94022 REV G-2000 标准恢复二极管半导体器件
DLA MIL-PRF-19500/259 A NOTICE 2-1999 电力整流器用JAN-1N1130和JAN-1N1131型硅制二极管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/256 C NOTICE 2-1999 1N643,1N662和1N663型硅制开关二极管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/205 B NOTICE 1-1999 JAN,JANTX和JANTXV 1N3287型正向电压基准低水平锗二极管半导体装置
DLA MIL-S-19500/201 B-1989 JAN,JANTX和JANTXV 1N277型混频锗二极管半导体装置
DLA MIL-S-19500/191 A (1)-1971 1N263型混频锗二极管半导体装置
韩国标准，关于半导体二极管的标准
KS C IEC 60747-2-2:2006 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以上具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范
KS C IEC 60747-3:2006 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管和稳压二极管)
KS C IEC 60747-2-1:2006 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以下具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范
KS C IEC 60747-3-2:2006 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管)和调节二极管.第2节:稳压二极管和基准电压二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)的空白详细规范
KS C IEC 60747-3-1:2006 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管)和调节二极管.第1节:信号二极管、开关二极管和受控雪崩二极管空白详细规范
KS C IEC 60747-4:2006 半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管
KS C IEC 60747-2:2006 半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管
KS C IEC 60747-4-1:2002 半导体器件.分立器件.第4-1部分:微波二极管和晶体管.微波领域有效晶体管.空白详细规范
KS C IEC 60747-4-2:2002 半导体器件.分立器件和集成电路.第4-2部分:微波二极管和晶体管.集成线路微波放大器.空白详细规范
法国标准化协会，关于半导体二极管的标准
NF C96-002-2001 半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管
NF C86-506-1986 半导体器件.电子元件统一质量评审体系.光导纤维用插脚式光电二极管.空白详细规范 .规范CECC 20 006
NF C86-505-1986 半导体器件.电子元器件质量评估协调体系.光电二极管、光电二极管排列.空白详细规范 CECC 20 005
NF C96-003-1986 半导体器件.分立器件和集成电路.第3部分:信号(包括开关)和整流二极管
NF C96-002-1984 电子元件.半导体器件.分立元件和集成电路.第2部分:整流二极管
NF C96-832-1981 半导体.微波二极管.肖特基二极管.一般要求
NF C86-812-1981 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.一般用途的信号和/或转换用半导体二极管
NF C86-812/A3-1981 电子元件通用信号和/或半导体二极管开关法国标准NF C 86-010和NF C 86-812范围内的具体规范收集
德国标准化学会，关于半导体二极管的标准
DIN IEC 60747-2:2001 半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管
DIN IEC 60747-3:1992 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管和稳压二极管)
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半导体二极管的标准
JEDEC JESD286-B-2000 测量半导体二极管前向交换特性的标准
JEDEC EIA-318-B-1996 半导体信号二极管的反向恢复时间测量
JEDEC JESD4-1983 晶体闸流管和整流二极管的分离半导体封装的外部清洁度和漏电距离的定义
行业标准-邮电通信，关于半导体二极管的标准
YD/T 701-1993 半导体激光二极管组件测试方法
丹麦标准化协会，关于半导体二极管的标准
DS/IEC 747-3:1993 半导体装置．分立器件和集成电路．第3部分：信号（含开关转换）和调节二极管
DS/IEC 747-4:1992 国际电工委员会IEC标准No．747-4-1991 半导体装置．分立器件．第4部分：微波二极管和晶体管
DS/IEC 747-2-1:1990 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以下具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范
DS/IEC 747-3-1:1987 半导体器件．分立器件．第3部分：信号（包括开关）和调节器二极管．第1子部分：信号二极管，开关二极管和可控雪崩二极管的空白详细规范
DS/IEC 747-3-2:1987 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管和稳压二极管).第2节:稳压二极管和基准电压二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)的空白详细规范
DS/IEC 747-3:1986 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管和稳压二极管)
DS/IEC 747-2:1985 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管
欧洲电工电子元器件标准，关于半导体二极管的标准
EN 150001-1991 空白详细规范.一般用途半导体二极管
CECC 50 001- 023 UTE C 86-812/003第2版:通用半导体二极管(法)
台湾地方标准，关于半导体二极管的标准
CNS 6125-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管之高温通电试验
CNS 6121-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管连续通电试验
CNS 6123-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管之断续通电试验
CNS 6119-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管连续动作试验
CNS 5539-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–稳压二极管连续动作试验
CNS 5540-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–电压可变电容量二极管高温逆向偏压试验
CNS 5538-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–小信号用二极管连续动作试验
美国航空工业协会/国家航天工业标准，关于半导体二极管的标准
AIA/NAS NAS 717-1963 (Rev. 1)半导体二极管 [代替: DLA MIL-PRF-19500 N, DLA MIL-PRF-19500 M, DLA MIL-PRF-19500 L (1), DLA MIL-PRF-19500 SUPP, DLA MIL-PRF-19500 L, DLA MIL-PRF-19500 K (1), DLA MIL-PRF-19500 K, DLA MIL-S-19500 J, DLA MIL-S-19500 H (4), DLA MIL-S]
行业标准-航天，关于半导体二极管的标准
QJ 10007/2-2008 宇航用半导体分立器件 2CWD8V4型硅电压基准二极管详细规范
日本工业标准调查会，关于半导体二极管的标准
JIS C7033-1975 半导体整流二极管的试验方法
