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本专题涉及半高 基线的标准有333条。
国际标准分类中，半高 基线涉及到农业和林业、旋转-往复式机构及其部件、半导体分立器件、半导体材料、电灯及有关装置、金属材料试验、陶瓷、集成电路、微电子学、有色金属产品、航空航天制造用材料、整流器、转换器、稳压电源、电信业务、应用、道路车辆装置、阀门、医疗设备、接口和互连设备、塑料、焊接、钎焊和低温焊、化工产品、电线和电缆、微生物学、电磁兼容性(EMC)、电信设备用部件和附件、道路车辆内燃机、IT终端和其他外围设备、无线通信、煤、电信系统、移动业务、肉、肉制品和其他动物类食品、分析化学、电气工程综合、电信综合、数据存储设备、航空航天制造用紧固件、网络、管道部件和管道。
在中国标准分类中，半高 基线涉及到、通信设备综合、电光源产品、金属物理性能试验方法、特种陶瓷、半导体集成电路、通信线路设备、重金属及其合金、航空与航天用金属铸锻材料、半导体分立器件综合、计算机应用、阀门、铸造、通信网技术体制、节目传输系统接口、表面活性剂、半导体整流器件、电力半导体器件、部件、无线电通信设备、其他经济作物、微电路综合、电磁兼容、表面活性剂基础标准与通用方法、电子计算机应用、电容器、广播、电视发送与接收设备、通信网传输系统接口、畜、禽产品、移动通信设备、船舶用材料及其检验方法、计算机外围设备、紧固件、基础标准和通用方法。
江苏省标准，关于半高 基线的标准
DB32/T 4161-2021 草莓高垄半基质栽培技术规程
CZ-CSN，关于半高 基线的标准
CSN 02 7017-1975 带高切线力的级差半锥形活塞油环
CSN 34 8210-1984 木桩和高架线路水泥基础的木桩
CSN 34 8110-1986 高架线金属配件．球窝接头．基本尺寸
RU-GOST R，关于半高 基线的标准
GOST 23448-1979 半导体红外线辐射二极管.基本尺寸
GOST 25675-1983 X射线医疗设备用高压插头型式和基本尺寸
GOST 27862-1988 汽车电气装置,点火线圈和分配器的高压输出.基本尺寸
GOST R 51903-2002 无线通讯用固定高频率发射机.基本参数,技术要求和测量方法
GOST R 51807-2001 低频,中品与高频波段的室内发射馈线.类型,基本参数,技术要求,测量方法
GOST R 52459.22-2009 技术设备的电磁兼容性.无线电通信设备.第22部分:地基甚高频航空移动式和定点无线电设备用专门条件
国际电信联盟，关于半高 基线的标准
ITU-T G.993.1 AMD 1-2003 超高速数字用户线基础
ITU-T G.993.1-2001 超高速数字用户线基础
ITU-T G.9960-2009 （预发布）基于统一高速有线家庭网络收发器 基础
ITU-T G.993.1 FRENCH-2004 甚高速数字用户线基础.15号研究组
ITU-R P.1240-1 FRENCH-2007 ITU-R基本最高可用频率(MUF),实际最高可用频率(MUF)和射线预测方法
ITU-R P.1240-1 SPANISH-2007 ITU-R基本最高可用频率(MUF),实际最高可用频率(MUF)和射线预测方法
ITU-R F.764-1-1994 使用分组传输协议的高频无线系统的基本要求
ITU-R F.764-1 FRENCH-1994 使用分组传输协议的高频(HF)无线系统的基本要求
ITU-R F.764-1 SPANISH-1994 使用分组传输协议的高频(HF)无线系统的基本要求
ITU-T G.9962-2013 (预发布)基于统一高速线路的家庭联网收发器.管理规范
ITU-T G.9961-2014 基于统一高速有线的家庭网络收发器 数据链路层规范
ITU-R F.480-1974 (撤回)高频无线电话电路的半自动运行。通过无线电话电路用于远程连接到一个自动交换台的设备.第3B部分-无线电话
ITU-T G.9961 CORR 2-2016 基于统一高速有线的家庭网络收发器 数据链路层规范；勘误2
ITU-T G.9962 AMD 1-2013 (预发布)基于统一高速线路的家庭联网收发器.管理规范.修改件1
ITU-T G.9964-2011 (预发布)基于统一高速线路的家庭联网收发器.功率谱密度(PSD)规范
ITU-T G.9961 CORR 1-2015 基于统一高速有线的家庭网络收发器 数据链路层规范；勘误表 1
ITU-T G.9961-2010 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范（第 15 研究组）
ITU-T G.9961 CORR 2-2013 (预发布)基于统一高速线路的家庭联网收发器.数据链路层规范.勘误表2
ITU-R M.2070-0-2015 国际移动通信-IMT-高端用于地面无线电接口的基站的无用发射的一般特性
ITU-T G.9961 CORR 1-2011 基于统一高速线路的家庭联网收发器.数据链路层规范.勘误表1.15号研究组
ITU-R F.634-4-1997 综合业务数字网内低于基群比特率形成国际数字连接高段的实际数字无线
ITU-T G.9963-2011 基于统一高速线路的家庭联网收发器.多点输入/多点输出的规范.15号研究组
ITU-T G.9964 AMD 1-2016 基于统一高速有线的家庭网络收发器 功率谱密度规范修正案 1（第 15 研究组）
ITU-R M.689-3-2012 含基于数字选择性呼叫(DSC)信令格式的自动设备的国际海事甚高频无线电话系统
中国团体标准，关于半高 基线的标准
T/IAWBS 017-2022 金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
T/CCSA 364-2022 高等级生物实验室网络安全基线核查要求
T/CEC 399.3-2020 金属基增容导线技术条件 第3部分：钢芯高导电率耐热铝合金导线
T/CASAS 014-2021 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
T/GDWCA 0028-2018 额定电压450/750V及以下特殊用途用聚全氟乙丙烯(FEP)及四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)绝缘高温安装导线
美国国防后勤局，关于半高 基线的标准
DLA A-A-50596 VALID NOTICE 1-2005 内槽双接线基座高输出高温T-12白炽灯
DLA A-A-50596-1992 内槽双接线基座高输出高温T-12白炽灯
DLA SMD-5962-99536 REV F-2011 微电路，数字线性，抗辐射，高频半桥驱动器，单片硅
DLA SMD-5962-99536 REV G-2011 微电路，数字线性，抗辐射，高频半桥驱动器，单片硅
DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 硅单片3-8线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-84092 REV D-2002 硅单片双重2至4线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-89508-1989 硅单片1/4译码器高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-87603 REV B-1992 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体9宽和10宽总线连接设备门闩线路,微型电路
DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 硅单片装有驱动器的高电平模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89745 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,3线至8线解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87595 REV C-2009 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，总线收发器，单片硅
DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95728 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入多路器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-84161 REV A-2003 硅单片总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字微型电路
DLA SMD-5962-89553 REV B-2012 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、八路总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-88516 REV D-2002 硅单片10超宽总线接口记数器高性能互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-95724 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95777 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入与非硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95778 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95783 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95814 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重 2输入排外硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、总线接口触发器、单片硅
DLA SMD-5962-89732-1989 硅单片,装有三态输出的八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-86716 REV D-2003 硅单块 高速四角形单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体直线型微型电路
DLA SMD-5962-95790 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入多路器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-84030 REV E-2005 硅单片总线接收器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
DLA SMD-5962-95730 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元同步计时器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95805 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入夺路传输硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA MIL-M-38510/348 C-2004 高级肖特基TTL数字双极微电路,带三态输出总线收发器,单片硅
DLA SMD-5962-88737 REV C-2008 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基、TTL、八路总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角反相施密特触发电路 硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95788 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体同步4-BIT二元上下计数器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95789 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT平行通路改变寄存器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88753 REV C-2011 微电路、数字、双极、高级肖特基、TTL、八路总线收发器和寄存器、单片硅
DLA QPL-31031-4-2006 高可靠性低成本灵活和半刚性电缆 无线电频率同轴电缆电气插头插座连接器一般规格
DLA SMD-5962-87809 REV B-2006 硅单片八进制数反转总线收发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-90613-1990 硅单片,装有地址锁存器的3-8线路解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90665 REV A-2005 硅单片,装有地址锁存器的3-8线路解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 硅单块 带三态输出8比特界面D型门闩线路,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95784 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95785 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95786 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95787 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT连续或平行输出寄存器硅单片电路线型微电路
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 硅单块 自动记录器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-87550 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87552 REV J-2007 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 硅单片,128K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-87695 REV A-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-95681 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体十六进制反相施密特触发电路硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95726 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95727 REV D-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体3到8行译码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95729 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4到16行译码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95782 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95792 REV D-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角透明三状态输出闭锁装置硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95803 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相四重三状态输入缓冲器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95821-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体高度可编程直接存储器存取控制器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87595 REV B-2001 硅单块 总线接收器高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90665 REV B-2012 微电路，数字，双极，高级低功耗肖特基 TTL，3 线至 8 线解码器/多路复用器，带地址锁存器，单片硅
DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅单块 二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特缓冲/线驱动,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89772-1992 硅单片,装有8位或16位外总线16位微型控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构微型电路
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-86834 REV C-2012 微电路、数字、高级肖特基 TTL、具有三态输出的四路同相总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-89956 REV C-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、八路总线收发器和寄存器、单片硅
DLA SMD-5962-95759 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线收发器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-91516 REV A-1997 硅单块 带地址闩锁3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的正向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的反向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95791 REV C-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体八角D可重新设置双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95802 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重J-K双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95804 REV B-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重2到4行解码器或信号分离器,硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95806 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步技计数器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95807 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95808 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95731 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体同相八进制缓冲器或三状态输出行驱动器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95809 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95810 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-90710-1992 硅单块 带三态输出10比特总线界面D型门闩线路,高级低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95747 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角透明三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重2-BIT双稳透明闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
DLA MIL-PRF-31032/6 A-2012 印刷线路板，刚性，单面和双面，热塑性树脂基材，带或不带电镀链粗孔，用于高频应用
DLA SMD-5962-95761 REV A-2007 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出缓冲器或时钟驱动器,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动硅单片电路线型微电路
国家质检总局，关于半高 基线的标准
GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
GB/T 6813-1986 半导体集成非线性电路系列和品种 时基电路的品种
RO-ASRO，关于半高 基线的标准
STAS 11280/1-1987 MIG/MA焊接的半自动电线供给系统．基本参数
STAS 8100/2-1988 线性尺寸的限量及配合系统．尺寸高达3150毫米的基本限制和基本配合
STAS 8100/5-1990 线性尺寸的极限与适合系统．用于尺寸超过3150毫米高达10000 毫米的基本限制和基本适合以及公差类别
STAS 8100/6-1990 线性尺寸的极限与适合系统．用于尺寸超过10000毫米高达40000毫米的基本限制和基本适合以及公差类别
辽宁省标准，关于半高 基线的标准
DB21/T 3313-2020 水稻基质半钵毯苗氮高效机械化栽培技术规程
(美国)福特汽车标准，关于半高 基线的标准
FORD ESB-M2G239-A-2014 胶粘剂，基于乙烯基 低温和高温固化，半结构 *与福特 WSS-M99P1111-A 一起使用*
FORD ESB-M2G239-A-2002 半结构用乙烯树脂基低温和高温固化型胶粘剂*与标准FORD WSS-M99P1111-A一起使用*
FORD WSS-M99J291-B1-2008 室外高紫外线高冲击区域用抗切削透明涂层的压敏胺基甲酸乙脂带(与FORD WSS-M99P1111-A一起使用)
FORD WSS-M99J291-B5-2008 室外高紫外线高冲击区域用抗切削透明涂层的压敏胺基甲酸乙脂带(与FORD WSS-M99P1111-A一起使用) 见FORD WSS-M99J291-B1中所示
国际标准化组织，关于半高 基线的标准
ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).检测半导光催化材料用紫外线源
行业标准-电子，关于半高 基线的标准
SJ/T 10882-1996 半导体集成电路线性放大器测试方法的基本原理
SJ/T 10803-1996 半导体集成接口电路线电路测试方法的基本原理
SJ/T 10818-1996 半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理
法国标准化协会，关于半高 基线的标准
NF A51-106:1977 铜和铜合金制半成品.高抗拉强度黄铜制棒材，线材和型材
NF C53-211*NF EN 60146-1-1:2011 半导体变流器 总要求和线路整流转换器 第1-1部分：基本要求规范
NF EN IEC 60966-4-2:2022 同轴电缆和射频电缆 第4-2部分：半刚性电缆（跳线）的特殊规范 频率范围高达 6000 MHz 50-9 型半刚性同轴电缆
NF T73-279*NF EN 13405:2003 表面活性剂.用高性能液相色谱法测定线性烷基苯中二烃基萘满的含量
NF Z84-893:2012 宽带无线接入网络(BRAN).5GHz高性能无线局域网(RLAN).包括R&TTE指令3.2条款基本要求的协调的EN
澳大利亚标准协会，关于半高 基线的标准
AS 60146.1.1:2002(R2013) 半导体转换器 一般要求和线换向转换器 基本要求规范
AS 1038.6.3.3:1997 煤和焦炭 分析和试验 高等级煤和焦炭 基本分析 总硫量 红外线法
英国标准学会，关于半高 基线的标准
BS EN 60146-1-1:1993 半导体变流器.一般要求和线路换向变流器.基本要求规范
BS EN IEC 60966-4-2:2022 射频和同轴电缆组件 半刚性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6000MHz 50-9 型半刚性同轴电缆
BS EN 62802:2017 高频光纤无线电 (RoF) 系统中马赫曾德光调制器半波长电压和线性调频参数的测量方法
BS EN 60146-1-1:2010 半导体变流器.总要求和线路整流转换器.第1-1部分:基本要求规范
BS EN 13405:2002 表面活性剂.用高效液相色谱法测定线性烷基苯中二烃基四氢伦萘的含量
21/30436491 DC BS EN IEC 60966-3-4 射频和同轴电缆组件 第3-4部分 半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6GHz 50-141 型半柔性同轴电缆
21/30436487 DC BS EN IEC 60966-3-3 射频和同轴电缆组件 第3-3部分 半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 18GHz 50-141 型半柔性同轴电缆
22/30439670 DC BS EN IEC 60146-1-1 半导体转换器 一般要求和线路换向转换器 第 1-1 部分 基本要求规范
19/30400780 DC BS EN IEC 60966-4-2 射频和同轴电缆组件 第4-2部分 半刚性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6000MHz 50-9 型半刚性同轴电缆 适用于 ISO/IEC 11801-1
台湾地方标准，关于半高 基线的标准
CNS 12123-1987 汽车用高压线圈与分电盘装置之基本尺度
PL-PKN，关于半高 基线的标准
PN M69776-1987 焊接．基于射线图像密度的缺陷的高度评估
美国材料与试验协会，关于半高 基线的标准
ASTM E272-99 高强度铜基和镍铜合金铸件用参考射线照片
ASTM E272-99(2004)e1 高强度铜基和镍铜合金铸件用参考射线照片
ASTM E272-10 高强度铜基和镍铜合金铸件标准参考射线照片
ASTM E272-19 高强度铜基和镍铜合金铸件的标准参考射线照片
ASTM E272-21 高强度铜基和镍铜合金铸件的标准参考射线照片
ASTM E272-15 高强度铜基和镍铜合金铸件的标准参考射线照片
ASTM E2895-19 用液体培养基生产高滴度艰难梭菌活孢子和半纯化孢子的标准实施规程
ASTM E3388-23 高能应用放射线照相和放射线检查中确定图像不清晰度和基本空间分辨率的标准实施规程
德国机械工程师协会，关于半高 基线的标准
DVS 2201-1 Beiblatt 3-2004 热塑性塑料制成的半成品测试 基础知识 适应症 线性热膨胀系数
DVS 2201-1 Beiblatt 3-2003 热塑性塑料制成的半成品测试 基础知识 适应症；线性热膨胀系数
DVS 2201-1 Beiblatt 2-2003 热塑性塑料制成的半成品测试 基础知识 适应症；管道蠕变断裂曲线指令
DVS 2201-1 Beiblatt 2-2004 热塑性塑料制成的半成品测试 基础知识 适应症 管道蠕变断裂曲线指令
德国标准化学会，关于半高 基线的标准
DIN EN 13405:2003 表面活性剂.用高效液相色谱法测定线性烷基苯中二烃基萘满含量
DIN EN IEC 60966-3-4:2022-06 射频和同轴电缆组件 - 第 3-4 部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范，频率范围高达 6 GHz，50-141 型半柔性同轴电缆 (IEC 46/845/CDV:2021)
DIN EN 62802:2018 高频光纤无线电（RoF）系统中 Mach-Zehnder 光调制器的半波长电压和线性调频参数的测量方法（IEC 62802:2017）；英文版 EN 62802:2017
DIN EN IEC 60966-4-2:2022-04 射频和同轴电缆组件 - 第 4-2 部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范，频率范围高达 6000 MHz，50-9 型半刚性同轴电缆，适用于 ISO/IEC 11801-1 (IEC 46/803/CDV:2021）
DIN EN IEC 60966-4-2:2022 射频和同轴电缆组件 第 4-2 部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范，频率范围高达 6000 MHz，50-9 型半刚性同轴电缆，适用于 ISO/IEC 11801-1（IEC 46/803/CDV:2021）;德语和英语
DIN EN IEC 60966-4-2:2023-10 射频和同轴电缆组件 第 4-2 部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6 000 MHz，50-9 型半刚性同轴电缆 (IEC 60966-4-2:2022) ;德文版 EN IEC 60966-4-2:2022
DIN EN 2942:1998 航空航天系列.,NI-PH2801(因康X750)耐高温镍基合金制镀银自锁螺旋形线圈螺纹衬套
DIN EN 301893:2007 宽带无线接入网络(BRAN).5GHz高性能RLAN.包含R&TTE指令3.2条款基本要求的协调EN标准
DIN EN 301893:2009 宽带无线接入网络(BRAN) 5GHz高性能RLAN 包含R&TTE指令3.2条款基本要求的协调EN标准
DIN EN 60146-1-1:2011 半导体变流器.总要求和线路整流转换器.第1-1部分:基本要求规范(IEC 60146-1-1-2009).德文版本EN 60146-1-1-2010
DIN EN 12007-5:2023-08 天然气基础设施 - 最大工作压力高达 16 bar 的管道 - 第 5 部分：服务管线 - 特定功能要求
国际电工委员会，关于半高 基线的标准
IEC 60146-1-1:2009 半导体变流器.总要求和线路整流转换器.第1-1部分:基本要求规范
IEC 60966-4-2:2022 射频和同轴电缆组件.第4-2部分:半刚性电缆组件（跳线）详细规范.频率范围高达6000 MHz 50-9型半刚性同轴电缆
IEC 60966-3-3:2023 射频和同轴电缆组件 第 3-3 部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 18 GHz，50-141 型半柔性同轴电缆
IEC 60747-14-11:2021 半导体器件 第 14-11 部分：半导体传感器 用于测量紫外线、照度和温度的基于表面声波的集成传感器的测试方法
广西壮族自治区标准，关于半高 基线的标准
DB45/T 1455-2016 宽体金线蛭中氨基酸含量的测定 高效液相色谱法
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于半高 基线的标准
EN 60146-1-1:1993 半导体转换器一般要求和线路换向转换器第 1-1 部分：基本要求规范
EN 60146-1-1:2010 半导体转换器 一般要求和线路换向转换器 第 1-1 部分：基本要求规范
丹麦标准化协会，关于半高 基线的标准
DS/EN 60146-1-1:2010 半导体转换器 一般要求和线路换向转换器 第 1-1 部分：基本要求规范
DS/EN 302617-2 V1.1.1:2011 电磁兼容性和无线电频谱问题（ERM）；用于使用调幅的超高频航空移动服务的陆基超高频无线电发射机、接收机和收发机；第2部分：包含基本要求的协调 EN
DS/EN 301893 V1.6.1:2012 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
DS/EN 301893 V1.5.1:2009 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
DS/EN 301893 V1.3.1:2007 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
DS/EN 301 893 V1.7.1:2013 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
韩国科技标准局，关于半高 基线的标准
KS C IEC 60146-1-1-2002(2022) 半导体变流器－一般要求和线路换向变流器－第1－1部分:基本要求规范
KS C IEC 60146-1-1-2002(2017) 半导体变流器一般要求和线路换流变流器第1－1部分:基本要求规范
KS M 1993-2-2020 固体和/或半固体产品中发射有机化合物的测定.第2部分:甲醛和其他羰基化合物.高效液相色谱法
ES-UNE，关于半高 基线的标准
UNE-EN 60146-1-1:2010 半导体转换器 一般要求和线路换向转换器 第1-1部分：基本要求规范
UNE-EN 300468 V1.12.1:2020 宽带无线接入网络（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；涵盖 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
美国国家标准学会，关于半高 基线的标准
ANSI/ATIS 0600320-2010 防高空电磁脉冲(HEMP)的指定电信中心局和类似机构的高空基线电力保护
ANSI T1.424-2004 网络和用户装置间的接口.较高比特率数字用户线金属接口(基于DMT)
ANSI/ATIS 0600424-2004 网络和用户间安装超高比特率数字用户线(VDSL)金属接口(基于DMT)之间的接口
ANSI/ASTM F3506:2021 用于空调和制冷管线 S 的基于内径（ID）的高温聚乙烯/铝/高温聚乙烯（PE-RT/AL/PE-RT）复合压力管的标准规范标准规范
未注明发布机构，关于半高 基线的标准
BS EN IEC 60966-3-4:2023 射频和同轴电缆组件 第3-4部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 — 频率范围高达 6 GHz，50 - 141 型半柔性同轴电缆
BS EN IEC 60966-3-3:2023 射频和同轴电缆组件 第3-3部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 — 频率范围高达 18 GHz，50 - 141 型半柔性同轴电缆
DIN EN 301908-14:2020 IMT 蜂窝网络无线电频率使用协调标准 第4部分：高级通用地面无线电接入 (E UTRA) 的基站 (BS)
欧洲电工标准化委员会，关于半高 基线的标准
EN IEC 60966-4-2:2022 射频和同轴电缆组件 第4-2部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范 频率范围高达 6000 MHz 50-9 型半刚性同轴电缆
EN IEC 60966-3-4:2023 射频和同轴电缆组件 - 第 3-4 部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 - 频率范围高达 6 GHz，50-141 型半柔性同轴电缆
EN IEC 60966-3-3:2023 射频和同轴电缆组件 - 第 3-3 部分：半柔性电缆组件（跳线）的详细规范 - 频率范围高达 18 GHz，50-141 型半柔性同轴电缆
EN 62802:2017 高频光纤射频（RoF）系统中马赫-曾德尔光调制器半波长电压和线性调频参数的测量方法
VN-TCVN，关于半高 基线的标准
TCVN 5199-1990 电工和无线电电子设备的基本环境试验程序.高温下试验
美国电信行业解决方案联盟，关于半高 基线的标准
ATIS 0600320-2010 针对高海拔电磁脉冲（HEMP）的指定电信中心局和类似设施的高于基线的电气保护
ATIS 0600320-2015 针对高海拔电磁脉冲（HEMP）的指定电信中心局和类似设施的高于基线的电气保护
ATIS T1.TRQ.12-2004 网络与客户安装之间的接口甚高比特率数字用户线（VDSL）金属接口（基于 QAM）
ATIS - Alliance for Telecommunications Industry Solutions，关于半高 基线的标准
0600320-2010 针对高海拔电磁脉冲（HEMP）的指定电信中心局和类似设施的高于基线的电气保护
0600320-2015 针对高海拔电磁脉冲（HEMP）的指定电信中心局和类似设施的高于基线的电气保护
T1.320-1994 电信 针对高海拔电磁脉冲（HEMP）的指定电信中心局和类似设施的高于基线的电气保护
0600424-2004 网络与客户安装之间的接口 超高比特率数字用户线（VDSL）金属接口（基于 DMT）
T1.TRQ.12-2004 网络与客户安装之间的接口甚高比特率数字用户线（VDSL）金属接口（基于 QAM）
T1.424-2004 网络与客户安装之间的接口 超高比特率数字用户线（VDSL）金属接口（基于 DMT）
0632000-2005 以上 指定电信中心局和类似设施的基线电气保护，以防止高海拔电磁脉冲（HEMP）
欧洲标准化委员会，关于半高 基线的标准
EN 13405:2002 表面活化剂.采用高效液相色谱(HPLC)法测定线性烷基苯中的二烃基四氢化萘含量
prEN 60146-1-1-1992 半导体变换器.一般要求和线路整流变换器.第1-1部分:基本要求的规范(IEC 146-1-1-91)
EN 12007-5:2014 气体基础设施 最大工作压力高达 16 bar 的管道 第5部分：服务管线 特定功能要求
prEN 12007-5 气体基础设施 最大工作压力高达 16 bar 的管道 第5部分：服务管线 特定功能要求
ETSI - European Telecommunications Standards Institute，关于半高 基线的标准
ETSI EN 302 617:2018 使用调幅的超高频航空移动服务的陆基超高频无线电发射机 接收机和收发机；无线电频谱接入协调标准（V2.3.0）
ETSI EN 302 617-2:2010 电磁兼容性和无线电频谱问题（ERM）；使用调幅的超高频航空移动服务的陆基超高频无线电发射机 接收机和收发机；第2部分：包含基本要求的协调 EN
ETSI EN 302 617:2017 使用调幅的超高频航空移动服务的陆基超高频无线电发射机 接收机和收发机；协调标准涵盖指令 2014/53/EU（V2.2.1）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 302 617-2:2015 使用调幅的超高频航空移动服务的陆基超高频无线电发射机 接收机和收发机；第2部分：协调标准，涵盖指令 2014/53/EU（V2.1.0）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893:2007 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖 R&TTE 指令（V1.4.1）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893:2003 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖 R&TTE 指令（V1.2.3）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893:2002 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖 R&TTE 指令（V1.2.1）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893:2008 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令（V1.5.1）第 3.2 条基本要求的协调 EN
ETSI EN 301 893:2005 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖 R&TTE 指令（V1.3.1）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893:2011 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖了 R&TTE 指令（V1.6.0）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893:2014 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖了 R&TTE 指令（V1.7.2）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893:2015 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖了 R&TTE 指令（V1.8.0）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893:2012 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖了 R&TTE 指令（V1.7.1）第 3.2 条的基本要求
TS 119 134-5-2012 电子签名和基础设施（ESI）； XML 高级电子签名（XAdES）测试合规性和互操作性；第5部分：XAdES 基线配置文件（V1.1.1）的一致性测试
ITU-T - International Telecommunication Union/ITU Telcommunication Sector，关于半高 基线的标准
ITU-T G.9962-2014 基于统一高速有线家庭网络收发器的管理规范（第 15 研究组）
ITU-T G.9961-2015 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范（第 15 研究组）
ITU-T G.9962 CORR 1-2016 基于统一高速有线家庭网络收发器的管理规范勘误 1（第 15 研究组）
ITU-T G.9962 AMD 1-2016 基于统一高速有线家庭网络收发器的管理规范修正案 1（第 15 研究组）
ITU-T G.9960-2011 基于统一高速有线家庭网络收发器的系统架构和物理层规范（第 15 研究组）
ITU-T G.9960 NOTE-2012 基于统一高速有线的家庭网络收发器 系统架构和物理层规范（第 15 研究组）
ITU-T G.9960-2018 基于统一高速有线家庭网络收发器的系统架构和物理层规范（第 15 研究组）
ITU-T G.9961 CORR 4-2017 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范勘误 4（第 15 研究组）
ITU-T G.9961 CORR 3-2016 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范勘误 3（第 15 研究组）
ITU-T G.9961 AMD 2-2014 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范修正案 2（第 15 研究组）
ITU-T G.9964 AMD 2-2016 基于统一高速有线的家庭网络收发器 功率谱密度规范修正案 2（第 15 研究组）
ITU-T G.9961 AMD 1-2015 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范修正案 1（第 15 研究组）
ITU-T G.9961 AMD 1-2012 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范修正案 1（第 15 研究组）
ITU-T G.9961 AMD 2-2016 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范修正案 2（第 15 研究组）
ITU-T G.9961 AMD 3-2018 基于统一高速有线家庭网络收发器的数据链路层规范修正案 3（第 15 研究组）
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半高 基线的标准
GB/T 40602.2-2021 天线及接收系统的无线电干扰 第2部分：基础测量 高增益天线方向图室内平面近场测量方法
立陶宛标准局，关于半高 基线的标准
LST EN 60146-1-1-2010 半导体转换器 一般要求和线路换向转换器 第 1-1 部分：基本要求规范（IEC 60146-1-1:2009）
LST EN 302 617-2 V1.1.1-2010 电磁兼容性和无线电频谱问题（ERM）；用于使用调幅的超高频航空移动服务的陆基超高频无线电发射机、接收机和收发机；第2部分：包含基本要求的协调 EN
LST EN 301 893 V1.2.3-2004 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
LST EN 301 893 V1.4.1-2008 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
LST EN 301 893 V1.6.1-2012 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
LST EN 301 893 V1.7.1-2012 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；包含 R&TTE 指令第 3.2 条基本要求的协调 EN
LST EN 301 893 V1.3.1-2005 宽带无线电接入网络（BRAN）；5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN，涵盖 R&TTE 指令第 3.2 条的基本要求
LST EN 301 893 V1.5.1-2009 宽带无线电接入网络（BRAN）；5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN，涵盖 R&TTE 指令第 3.2 条的基本要求
行业标准-邮电通信，关于半高 基线的标准
YDN 074-1997 高速无线电寻呼系统基站子系统技术要求及测试方法（内部标准）
中国民用航空局，关于半高 基线的标准
MH/T 9010.3-2018 基于LET技术的地空高速数据链技术规范 第3部分：机载天线规范
工业和信息化部，关于半高 基线的标准
YD/T 3301.2-2017 基于脉冲的高速超宽带无线通信技术要求 第2部分：空中接口MAC层
YD/T 2873.3-2016 基于载波的高速超宽带无线通信技术要求 第3部分：空中接口MAC层
YD/T 3301.1-2017 基于脉冲的高速超宽带无线通信技术要求 第1部分：空中接口物理层
YD/T 2873.1-2015 基于载波的高速超宽带无线通信技术要求 第1部分：MB-OFDM空中接口物理层
YD/T 2873.2-2017 基于载波的高速超宽带无线通信技术要求 第2部分：单载波空中接口物理层
YD/T 2873.4-2017 基于载波的高速超宽带无线通信技术要求 第4部分：双载波空中接口物理层
农业农村部，关于半高 基线的标准
NY/T 3947-2021 畜禽肉中硒代胱氨酸、甲基硝代半胱氨酸和硒代蛋氨酸的测定 高效液相色谱-原子荧光光谱法
AT-OVE/ON，关于半高 基线的标准
OVE EN IEC 60966-4-2:2021 射频和同轴电缆组件 第 4-2 部分：半刚性电缆组件（跳线）的详细规范，频率范围高达 6000MHz，50-9 型半刚性同轴电缆，适用于 ISO/IEC 11801-1（IEC 46 /803/CDV）（英文版）
欧洲电信标准协会，关于半高 基线的标准
ETSI EN 302 617-2-2015 用于使用调幅的超高频航空移动服务的陆基超高频无线电发射机、接收机和收发机；第2部分：协调标准，涵盖指令 2014/53/EU（V2.1.1）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893-2015 宽带无线接入网（BRAN）； 5 GHz 高性能 RLAN；协调 EN 涵盖了 R&TTE 指令（V1.8.1）第 3.2 条的基本要求
ETSI EN 301 893-2005 宽带无线接入网(BRAN).5 GHz的高性能无线局域网.包含导则R&TTE中条款3.2的基本要求的欧洲协调标准(版本1.3.1)
ETSI EN 301 893-2003 宽带无线接入网(BRAN).5 GHz的高性能无线局域网.包含导则R&TTE中条款3.2的基本要求的欧洲协调标准(版本1.2.3)
ETSI EN 301 893-2008 宽带无线接入网(BRAN).5 GHz的高性能无线局域网.包含导则R&TTE中条款3.2的基本要求的欧洲协调标准(版本1.5.1)
ETSI EN 301 893-2011 宽带无线接入网(BRAN).5 GHz的高性能无线局域网.包含导则R&TTE中条款3.2的基本要求的欧洲协调标准(版本1.6.1)
ETSI TS 119 134-5-2012 电子签名和基础结构(ESI).XML高级电子签名(XAdES)测试一致性和互用性.第5部分:XAdES基线设置文件的一致性测试(版本1.1.1)
ZA-SANS，关于半高 基线的标准
SANS 301893:2006 宽带无线接入网(BRAN)；5 GHz高性能RLAN；符合《R＆TTE指令》第3.2章基本要求的协调EN标准
AENOR，关于半高 基线的标准
UNE-EN 12007-5:2014 气体基础设施 最大工作压力高达 16 bar 的管道 第5部分：服务管线 特定功能要求
