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本专题涉及半导体测试系统的标准有499条。
国际标准分类中，半导体测试系统涉及到核能工程、半导体分立器件、光电子学、激光设备、光纤通信、集成电路、微电子学、软件开发和系统文件、无机化学、辐射测量、金属材料试验、长度和角度测量、电学、磁学、电和磁的测量、半导体材料、整流器、转换器、稳压电源、电子设备用机械构件、词汇、图形符号、信息技术应用、电子元器件综合、印制电路和印制电路板、电气设备元件、电子电信设备用机电元件、输电网和配电网、质量、航天系统和操作装置、电工和电子试验、工业自动化系统、电阻器、表面处理和镀涂、绝缘材料、电线和电缆、计量学和测量综合、农业和林业、绝缘流体、真空技术、信息技术用语言、塑料、消防、橡胶和塑料制品。
在中国标准分类中，半导体测试系统涉及到技术管理、核仪器与核探测器综合、半导体分立器件综合、半导体整流器件、光通信设备、激光器件、半导体发光器件、半导体集成电路、、光电子器件综合、半导体光敏器件、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、金属物理性能试验方法、通用电子测量仪器设备及系统、半金属与半导体材料综合、电源设备、电力半导体器件、部件、微电路综合、元素半导体材料、电子测量与仪器综合、加工专用设备、程序语言、计量综合、数据媒体、敏感元器件及传感器、其他、电子元器件、电子工业生产设备综合、辐射防护仪器、交直流电源装置、电子设备专用微特电机、电子技术专用材料、微型电机、电阻器、基础标准与通用方法、电缆及其附件、航天器控制导引系统、航天器综合、基础标准和通用方法、混合集成电路、森林资源保护、半金属及半导体材料分析方法、合成树脂、塑料基础标准与通用方法。
行业标准-电子，关于半导体测试系统的标准
SJ 20233-1993 IMPACT-Ⅱ型半导体分立器件测试系统检定规程
SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
SJ 2749-1987 半导体激光二极管测试方法
SJ 2214.1-1982 半导体光敏管测试方法总则
SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
SJ 20788-2000 半导体二极管热阻抗测试方法
SJ 2355.1-1983 半导体发光器件测试方法.总则
SJ 2215.1-1982 半导体光耦合器测试方法总则
SJ 20787-2000 半导体桥式整流器热阻测试方法
SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件.第2部分:测量方法
SJ 2355.5-1983 半导体发光器件测试方法.法向光强和半强度角的测试方法
SJ 2065-1982 半导体器件生产用扩散炉测试方法
SJ 2355.6-1983 半导体发光器件测试方法.光通量的测试方法
SJ 2355.4-1983 半导体发光器件测试方法.结电容的测试方法
SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
SJ 2355.3-1983 半导体发光器件测试方法.反向电流的测试方法
SJ 2355.2-1983 半导体发光器件测试方法.正向压降的测试方法
SJ/T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法
SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法
SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法
SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法
SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法.总则
SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法
SJ 2658.13-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率温度系数的测试方法
SJ 2214.2-1982 半导体光敏二极管正向压降的测试方法
SJ 2214.7-1982 半导体光敏三极管饱和压降的测试方法
SJ 2214.10-1982 半导体光敏二、三极管光电流的测试方法
SJ 2658.2-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向压降测试方法
SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法
SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法
SJ 2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法
SJ/T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法
SJ 2658.7-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射通量的测试方法
SJ 2658.10-1986 半导体红外发光二极管测试方法.调制宽带的测试方法
SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法
SJ 2215.14-1982 半导体光耦合器入出间绝缘耐压的测试方法
SJ 2757-1987 重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法
SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法
SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法
SJ 2215.12-1982 半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法
SJ/T 10735-1996 半导体集成电路 TTL电路测试方法的基本原理
SJ/T 10736-1996 半导体集成电路 HTL电路测试方法的基本原理
SJ/T 10737-1996 半导体集成电路 ECL电路测试方法的基本原理
SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
SJ/T 10741-1996 半导体集成电路 ＣＭＯＳ电路测试方法的基本原理
SJ 2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法
SJ 2215.13-1982 半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法
SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法
SJ 2658.8-1986 半导体红外发光二极管测试方法.法向辐射率的测试方法
SJ 2658.9-1986 半导体红外发光二极管测试方法.辐射强度空间分布和半强度角的测试方法
SJ 2658.5-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法
SJ 2658.11-1986 半导体红外发光二极管测试方法.脉冲响应特性的测试方法
SJ/T 10880-1996 半导体集成音响电路立体声解码器测试方法的基本原理
SJ/T 10804-2000 半导体集成电路.电平转换器测试方法的基本原理
SJ/T 10805-2000 半导体集成电路.电压比较器测试方法的基本原理
SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法
SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法
SJ/T 10882-1996 半导体集成电路线性放大器测试方法的基本原理
SJ/T 10803-1996 半导体集成接口电路线电路测试方法的基本原理
SJ/T 11820-2022 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法
SJ 2214.9-1982 半导体光敏二、三极管脉冲上升、下降时间的测试方法
SJ/T 10739-1996 半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理
英国标准学会，关于半导体测试系统的标准
BS EN IEC 63364-1:2022 半导体器件 物联网系统用半导体器件 声音变化检测的测试方法
BS EN 62007-2:2000 光纤系统半导体光电器件.测量方法
BS EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件.测量方法
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分 声音变化检测的测试方法
BS IEC 62951-5:2019 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性材料热特性测试方法
BS IEC 62951-7:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法
BS IEC 62951-6:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性导电薄膜方块电阻的测试方法
BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
BS EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化. 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 半导体器件机械标准化 半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类
BS IEC 62951-1:2017 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性基板上导电薄膜的弯曲测试方法
14/30297227 DC BS EN 62880-1 半导体器件 半导体器件的晶圆级可靠性 铜应力迁移测试方法
22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 半导体器件 机械和气候测试方法 第 34-1 部分 功率半导体模块的功率循环测试
BS EN 62007-1:2000 光纤系统半导体光电器件.基本额定值及特性
BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
BS IEC 60747-18-3:2019 半导体器件 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
BS IEC 60747-14-11:2021 半导体器件 半导体传感器 基于声表面波的紫外、照度和温度测量集成传感器的测试方法
BS IEC 62951-9:2022 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 一晶体管一电阻（1T1R）电阻式存储单元的性能测试方法
BS IEC 62880-1:2017 半导体器件 应力迁移测试标准-铜应力迁移测试标准
BS ISO 18257:2016 航天系统. 航天应用的半导体集成电路. 设计要求
BS EN 60749-34:2010 半导体器件.机械和环境测试方法.动力循环
BS EN 60749-6:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 高温储存
PD ES 59008-4-1:2001 半导体芯片的数据要求 具体要求和建议 测试和质量
BS IEC 60747-18-1:2019 半导体器件 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器校准的测试方法和数据分析
BS EN 62047-3:2006 半导体器件.微机电设备.拉伸测试的薄膜标准试样
IEC TR 63357:2022 半导体器件 汽车故障测试方法标准化路线图
BS EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
BS IEC 62951-8:2023 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性电阻存储器的拉伸性、柔性和稳定性的测试方法
BS IEC 62830-5:2021 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 测量柔性热电装置发电功率的试验方法
BS EN 62047-4:2010 半导体装置.微电机装置.微电子机械系统(MEMS)一般规格
BS IEC 62830-4:2019 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 柔性压电能量收集器件的测试和评估方法
BS EN IEC 60749-39:2022 跟踪更改 半导体器件 机械和气候测试方法 测量用于半导体元件的有机材料的水分扩散率和水溶性
BS EN 60749-9:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 标记的持久性
BS EN 60749-3:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 外部目视检查
BS IEC 63284:2022 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关可靠性测试方法
BS EN 60749-29:2011 半导体装置.机械和气候耐受性试验方法.闩锁效应测试
20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
BS EN 60749-4:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 湿热、稳态、高加速应力测试 (HAST)
13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 半导体器件的机械标准化 第6-16部分 BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
PD IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件 光电器件 发光二极管 LED效率测试方法
19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
18/30355426 DC BS EN 62830-5 半导体器件 用于能量收集和发电的半导体器件 第5部分 测量柔性热电装置发电量的测试方法
BS EN 60749-26:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)
BS EN 60749-26:2014 半导体器件.机械和气候试验方法.静电放电(ESD)灵敏度测试.人体模型(HBM)
18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 半导体器件 第18-3部分 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
BS IEC 62526:2007 半导体设计环境用标准测试接口语言(STIL)的扩展标准
BS EN 62047-18:2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法
BS EN IEC 60749-17:2019 跟踪更改 半导体器件 机械和气候测试方法 中子辐照
法国标准化协会，关于半导体测试系统的标准
NF EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 - IDO 系统用半导体器件 - 第 1 部分：声学变化检测测试方法
NF EN 62415:2010 半导体器件 – 恒流电迁移测试
NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件 第2部分：测量方法
NF EN 62416:2010 半导体器件 – MOS 晶体管的热载流子测试
NF C53-228:1989 半导体变流器.无间断电力系统用开关
NF EN 60749-44:2016 半导体器件机械和气候测试方法第44部分：半导体器件中子束单粒子效应（SEE）测试方法
NF EN 60749-38:2008 半导体器件机械和气候测试方法第38部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法
NF EN 62418:2011 半导体器件 - 测试由金属化应力引起的腔体
NF EN 60191-4/A1:2018 半导体器件机械标准化第4部分：半导体器件封装结构的编码系统和形状分类
NF EN 60191-4:2014 半导体器件机械标准化第4部分：半导体器件封装结构的编码系统和形状分类
NF EN 62007-2:2009 光纤系统中应用的半导体光电器件 - 第 2 部分：测量方法
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 半导体器件 机械和气候测试方法 第44部分：半导体器件的中子束辐照单事件效应（SEE）测试方法
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 半导体器件的机械标准化 第4部分：编码系统和半导体器件封装封装外形形式的分类
NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第9部分: 微机电系统硅片的硅片键合强度测试.
NF EN 60749-29:2012 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 29 部分：闩锁测试
NF C53-225:1985 直流高压电力传输用半导体电子管的测试
NF EN 62047-11:2014 半导体器件 微机电器件 第11部分：微机电系统自含材料线性热膨胀系数的测试方法
NF C86-503:1986 半导体器件.电子元器件统一质量评审体系.光电晶体管、光电复合晶体管和光电半导体电路.空白详细规范CESS 20 003
NF C83-282:1987 电子元件统一质量评审体系.半导体过电压限制用可变电阻器
NF EN 60749-8:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 8 部分：密封
NF EN 60749-1:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 1 部分：概述
NF EN 60749-21:2012 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 21 部分：可焊性
NF EN 60749-2:2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 2 部分：低气压
NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分：半导体元件中使用的有机材料的水分扩散率和水溶性的测量
NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
NF C86-411:1987 半导体器件.电子元件统一质量评定体系.薄膜混合集成电路.分规范
NF EN 62047-12:2012 半导体器件 微机电器件 第12部分：利用微机电系统结构（M...
NF EN 60749-6:2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 6 部分：高温存储
NF EN 60749-25:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 25 部分：温度循环
NF EN 60749-34:2011 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 34 部分：功率循环
NF EN IEC 60749-13:2018 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 13 部分：盐水气氛
NF EN IEC 60749-17:2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 17 部分：中子辐照
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 半导体装置 机械和气候试验方法 第39部分：测量用于半导体元件的有机材料的湿气扩散性和水溶解性
国家质检总局，关于半导体测试系统的标准
GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法
GB/T 31359-2015 半导体激光器测试方法
GB/T 42835-2023 半导体集成电路 片上系统（SoC）
GB/T 5201-1994 带电粒子半导体探测器测试方法
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 13974-1992 半导体管特性图示仪测试方法
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
GB/T 42975-2023 半导体集成电路 驱动器测试方法
GB/T 10236-2006 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则
GB/T 42838-2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法
GB/T 43061-2023 半导体集成电路 PWM控制器测试方法
GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
GB/T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
GB/T 43040-2023 半导体集成电路 AC/DC变换器测试方法
GB/T 42970-2023 半导体集成电路 视频编解码电路测试方法
GB/T 14862-1993 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法
GB/T 8446.2-1987 电力半导体器件用散热器热阻和流阻测试方法
GB/T 14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
GB/T 42848-2023 半导体集成电路 直接数字频率合成器测试方法
GB 35007-2018 半导体集成电路低电压差分信号电路测试方法
GB 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
GB 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
GB/T 6798-1996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
GB/T 4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
GB/T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理
GB/T 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理
GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
GB 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
GB 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理
GB 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理
GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 15136-1994 半导体集成电路石英钟表电路测试方法的基本原理
GB/T 43226-2023 宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试方法
ES-UNE，关于半导体测试系统的标准
UNE-EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分：声音变化检测的测试方法
UNE-EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试
UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
UNE-EN 62416:2010 半导体器件 MOS晶体管的热载流子测试
UNE-EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
UNE-EN 60749-38:2008 半导体器件 机械和气候测试方法 第38部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法
UNE-EN 60749-44:2016 半导体器件机械和气候测试方法第44部分：半导体器件中子束辐照单粒子效应（SEE）测试方法
UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 半导体器件机械和气候测试方法第44部分：半导体器件中子束辐照单粒子效应（SEE）测试方法
UNE-EN 62007-2:2009 用于光纤系统应用的半导体光电器件 第2部分：测量方法
UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装的编码系统和封装轮廓形式分类
UNE-EN 60749-29:2011 半导体器件 机械和气候测试方法 第29部分：闩锁测试
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IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV 半导体器件的机械标准化第4部分:半导体器件封装外形的编码系统和分类
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IEC 60191-4:1987 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统
IEC 60191-4:1999 半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
IEC 60191-4:2013 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
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IEC 60191-4/AMD2:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统.修改件2
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DLA MIL STD 750 1-2012 测试方法 半导体器件标准环境测试方法 第1部分：1000 年至 1999 年的测试方法
DLA MIL STD 750 2-2012 测试方法 半导体器件标准机械测试方法 第2部分：2001 年至 2999 年的测试方法
DLA MIL STD 750 4 E-2012 测试方法 半导体器件标准二极管电气测试方法 第4部分：测试方法 4000 至 4999
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 1-2013 测试方法 半导体器件标准环境测试方法 第1部分：1000 年至 1999 年的测试方法
DLA MIL-STD-750-2 CHANGE 3-2013 测试方法 半导体器件标准机械测试方法 第2部分：2001 年至 2999 年的测试方法
DLA MIL-STD-750-1 CHANGE 2-2013 测试方法 半导体器件标准环境测试方法 第1部分：1000 年至 1999 年的测试方法
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KS C IEC 60749-34:2017 半导体器件 机械和环境测试方法 第34部分：电力循环
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DIN EN 60749-25:2004-04 半导体器件 机械和气候测试方法 第25部分：温度循环
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DIN EN 60749-6:2017-11 半导体器件机械和气候测试方法第6部分：高温储存
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