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本专题涉及磷化 钴 半导体的标准有500条。
国际标准分类中，磷化 钴 半导体涉及到半导体材料、半导体分立器件、集成电路、微电子学、图形符号、表面处理和镀涂、技术制图、电子设备用机械构件、电子元器件综合、整流器、转换器、稳压电源、导体材料、电子电信设备用机电元件、印制电路和印制电路板、绝缘流体、电工和电子试验、化工产品、阀门、电气工程综合、光纤通信、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料、陶瓷、有色金属、纺织产品。
在中国标准分类中，磷化 钴 半导体涉及到化合物半导体材料、半导体三极管、半导体分立器件综合、、基础标准与通用方法、半导体集成电路、标准化、质量管理、微电路综合、可靠性和可维护性、元素半导体材料、场效应器件、敏感元器件及传感器、电力半导体器件、部件、电子工业生产设备综合、电工绝缘材料及其制品、技术管理、半金属与半导体材料综合、电子设备用导线、电缆、半导体分立器件、半金属及半导体材料分析方法、工业气体与化学气体、阀门、电子设备机械结构件、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、催化剂、钢铁产品综合、光电子器件综合、电子技术专用材料、光通信设备、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、特种陶瓷、重金属及其合金分析方法、计算机应用。
德国标准化学会，关于磷化 钴 半导体的标准
DIN 50454-2:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
DIN 50454-3:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
DIN EN 62418:2010-12 半导体器件-金属化应力空洞测试
DIN EN 60191-6-16:2007-11 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
DIN 50441-1:1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
DIN EN 60191-4:2003 半导体器件机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形状编码系统和分类
DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
DIN EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准.第6-16部分:半导体试验术语表和BGA、LGA、FBGA和FLGA型老化座孔
DIN EN 60191-6:2010-06 半导体器件机械标准化第6部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN 50449-2:1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
DIN EN 60191-6-8:2002-05 半导体器件机械标准化第6-8部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN EN 60191-6-2:2002-09 半导体器件机械标准化第6-2部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN EN 60191-6-6:2002-02 半导体器件机械标准化第6-6部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN EN 60191-6-3:2001-06 半导体器件机械标准化第6-3部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN EN 60191-6-1:2002-08 半导体器件机械标准化第6-1部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN EN 60191-6-5:2002-05 半导体器件机械标准化第6-5部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
DIN 50450-1:1987-08 半导体技术材料测试；载气和掺杂气体中杂质的测定；五氧化二磷电池测定水中氢、氧、氮、氩、氦中的杂质
DIN EN 60191-6-22:2013-08 半导体器件的机械标准化 第6-22部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 半导体封装设计指南 硅细间距球栅阵列和硅
DIN 50450-1:1987 半导体工艺材料的检验.载运气体和添加剂气体中杂质的测定.用五氧化二磷电池测定氢、氧、氮、氩和氦中的水杂质
DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
DIN EN 60191-6-10:2004 半导体器件的机械标准化.第6-10部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般原则.P-VSON的尺寸
DIN 50449-1:1997 半导体工艺用材料的检验.通过红外线吸收测定Ⅲ-Ⅴ-连接半导体杂质含量.第1部分:砷化镓中的碳素
DIN EN 60191-6-10:2004-05 半导体器件的机械标准化-第6-10部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则-P-VSON的尺寸
DIN EN 60191-4:2019-02 半导体器件的机械标准化 - 第 4 部分：半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类（IEC 60191-4:2013 + A1:2018）
DIN 50454-1:2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓
DIN EN 60191-6-3:2001 半导体装置的机械标准化.第6-3部分:表面安装的半导体装置包装外廓图绘制一般规则.包装尺寸测量方法
DIN EN 60191-6-4:2004-01 半导体器件机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图编制通则 球栅阵列封装尺寸测量方法
DIN EN 60191-6-18:2010-08 半导体器件机械标准化第6-18部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则球栅阵列设计指南
DIN EN 60191-4:2014 半导体器件机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形状编码系统和分类(IEC 60191-4-2013).德文版本EN 60191-4-2014
DIN 50451-2:2003-04 半导体技术材料的测试 - 液体中微量元素的测定 - 第 2 部分：钙 (Ca)、钴 (Co)、铬 (Cr)、铜 (Cu)、铁 (Fe)、镍 (Ni) 和锌 (Zn) ）在氢氟酸中，采用等离子体诱导发射光谱...
DIN EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验(IEC 62418-2010);德文版本EN 62418-2010
DIN EN 60191-6-1:2002 半导体器件的机械标准化.第6-1部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.鸥翅式引线终端的设计指南
DIN 50441-4:1999 半导体工艺用材料的试验.半导体圆片几何尺寸的测定.第4部分:圆片直径,直径变化量,扁片直径,扁片长度和扁片厚度
DIN EN 60191-6:2010 半导体器件的机械标准化.第6部分:平面式安装半导体器件外壳外形图绘制的一般规则(IEC 60191-6-2009).德文版本EN 60191-6-2009
DIN EN 60191-6-12:2011-12 半导体器件机械标准化第6-12部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则细间距焊盘栅格阵列设计指南
DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
欧洲电工标准化委员会，关于磷化 钴 半导体的标准
EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:半导体试验术语表和BGA,LGA,FBGA和FLGA用老化插座
EN 60191-6:2009 半导体器件机械标准化第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作的一般规则
EN 60191-6-22:2013 半导体器件的机械标准化 第 6-22 部分：表面贴装半导体器件封装外形图准备的一般规则 半导体封装设计指南 Silicon Fine-pitch Ball Grid Array and Silico
EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
EN 60191-6-10:2003 半导体器件的机械标准化.第6-10部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.P-VSON尺寸IEC 60191-6-10-2003
EN 62435-2:2017 电子元件 电子半导体器件的长期储存 第2部分：劣化机理
RU-GOST R，关于磷化 钴 半导体的标准
GOST 26239.3-1984 半导体硅及其初始产品和石英.磷测定法
英国标准学会，关于磷化 钴 半导体的标准
PD IEC/TR 63133:2017 半导体器件 基于扫描的半导体器件老化水平估计
BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
PD IEC TR 63378-1:2021 半导体封装的热标准化 BGA、QFP型半导体封装的热阻和热参数
BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
BS 3934-1:1992 半导体器件的机械标准化.第1部分:半导体器件制图推荐标准
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BS IEC 60191-2:1966+A21:2020 半导体器件的机械标准化 方面
13/30264600 DC BS EN 60747-14-8 半导体器件 第14-8部分 半导体传感器 液体电容式劣化传感器
BS EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
BS EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化. 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 半导体器件机械标准化 半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类
BS IEC 60191-2:1966+A18:2011 半导体器件的机械标准化.尺寸规格
BS EN 60191-6:2010 半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
BS EN 60191-6:2005 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
BS EN 60191-6:2004 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
BS EN 60191-6:2009 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 半导体器件的机械标准化 第6-16部分 BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
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BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
BS EN 60191-6-10:2003 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.P-VSON的尺寸
22/30443234 DC BS EN 63378-3 半导体封装的热标准化 第 3 部分：用于瞬态分析的半导体封装的热电路仿真模型
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分 声音变化检测的测试方法
IEC TR 63357:2022 半导体器件 汽车故障测试方法标准化路线图
18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2 半导体封装的热标准化 第 2 部分：用于稳态分析的分立半导体封装的 3D 热仿真模型
23/30469010 DC BS EN IEC 63378-3 半导体封装的热标准化 第 3 部分：用于瞬态分析的分立半导体封装的热电路仿真模型
IEC TR 63357:2022 半导体器件 汽车故障测试方法标准化路线图
BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
BS EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
BS IEC 63284:2022 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关可靠性测试方法
20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第2部分. 体二极管工作造成的双极退化的测试方法
20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
BS EN 60191-6-18:2010 半导体设备的机械标准化.平面式安装半导体器件外壳外形图绘制的一般规则.球栅阵列(BGA)用设计指南
BS EN 60191-6-1:2001 半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 鸥翼式引线端子设计指南
BS IEC 60747-5-13:2021 半导体器件 光电子设备 LED封装的硫化氢腐蚀试验
15/30328077 DC BS EN 60191-2 半导体器件的机械标准化 第2部分. 尺寸
18/30386543 DC BS EN 63229 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅衬底氮化镓外延片缺陷分类
BS EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化.球栅阵列封装(BGA),栅格阵列(LGA),栅阵列(FBGA)和距基板栅格阵列(FLGA)用老化插座和半导体测试的术语表
BS EN 60191-6-22:2013 半导体器件的机械标准化. 表面安装半导体器件封装轮廓图的一般制备规则. 硅细间距球栅格阵列和硅细间距栅格阵列半导体封装的设计指南(S-FBGA和S-FLGA)
19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
19/30404655 DC BS EN IEC 63229 半导体器件 碳化硅衬底氮化镓外延薄膜缺陷的分类
BS EN 60191-6-1:2002 半导体器件的机械标准化.表面安装的半导体器件封装外形图绘制的一般规则.海鸥翼式铅端子的设计指南
BS EN 60191-6-5:2001 半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 细间距球栅格阵列(FBGA)设计指南
BS EN 60191-6-21:2010 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.小外形封装(SOP)尺寸的测量方法
BS EN 60191-6-4:2003 半导体器件的机械标准化.绘制表面安装半导体器件封装外形图的一般规则.焊球网格阵列封装尺寸的测量方法
BS EN 60191-6-12:2011 半导体装置的机械标准化.表面安装半导体装置封装外形图制备的通用规范.细微间距栅级阵列(FLGA)的设计指南
20/30409285 DC BS IEC 63284 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关导通应力可靠性的可靠性测试方法
BS ISO 17299-5:2014 纺织品 除臭剂性能的测定 金属氧化物半导体传感器方法
BS EN 60191-3:2000 半导体器件的机械标准化 集成电路外形图绘制通用规则
BS EN 60191-6-12:2002 半导体装置的机械标准化.表面安装的半导体器件封装图形图绘制的一般规则.细微间距栅级阵列(FLGA)的设计规则.矩形
BS EN 60191-6-3:2001 半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 四方扁平封装（QFP）封装尺寸的测量方法
BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
IEC - International Electrotechnical Commission，关于磷化 钴 半导体的标准
IEC TR 63133:2017 半导体器件 基于扫描的半导体器件老化水平估计（1.0 版）
PAS 60191-6-18-2008 半导体器件机械标准化《第6-18部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作通用规则》《球栅阵列（BGA）设计指南（1.0版）》
美国国防后勤局，关于磷化 钴 半导体的标准
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DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 硅单片六反相器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
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DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 硅单片量值比较器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 硅单片双重升计数器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 硅单片四重D锁存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 硅单片译码器-解码器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
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DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 硅单片,16比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 硅单片3重3输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 硅单片双重4输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 硅单片双重4输入或栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 硅单片,同步串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 硅单片,通用串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 硅单片128 X 8比特随机存取记忆体,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 半导体、器件、双晶体管、单元化、NPN/PNP、互补、硅、类型 2N3838、2N4854 和 2N4854U、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 硅单片,可擦除程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
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DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
DLA SMD-5962-79017-1979 硅单片通用异步接收器/发送器,氧化物半导体微型电路
DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 硅单片定点双信息处理器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 硅单片,低功率脉宽调制器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 硅单片,锁相环路文件,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 硅单片,四重双向转换开关,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 硅单片,两重4输入无门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 硅单片,两重2输入或门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 硅单片,三重3输入与门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 硅单片10-4优先编码器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 硅单片四重三态R/S锁存器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77035-1977 4-16行译码器,4比特锁存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 硅单片12级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 硅单片串联控制器接口,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 硅单片12比特二进制计数器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-03251-2004 硅单片解算器至数字变换器氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 硅单片,宽带增益可变扬声器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89652-1990 硅单片,四冲双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89695-1990 硅单片,双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 硅单片,双重同步计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 硅单片,通用异步接收发送器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 硅单片,存储票接存取控制器,氧化物半导体数字微型电路
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DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 硅单片,两重4输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 硅单片,两重2输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 硅单片,两重2输入正与门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 硅单片可编程中断控制器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 硅单片,四重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 硅单片,两重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 硅单片,2K X 9先进先出型氧化物半导体,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 硅单片,4K X 9先进先出型氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 硅单片,视频多路复用器/扬声器,氧化物半导体线性微型电路
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DLA SMD-5962-94567-1996 硅单片,X 9时控先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 硅单片,双重低功率运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 硅单片,图象重采样序列发生器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 硅单片,I/O扩大的微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
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DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
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中国团体标准，关于磷化 钴 半导体的标准
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T/CIE 144-2022 半导体器件可靠性强化试验方法
T/ZZB 2283-2021 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉
T/QGCML 744-2023 半导体设备零部件化学清洗工艺规范
T/QGCML 743-2023 半导体设备零部件阳极氧化工艺规范
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
行业标准-电子，关于磷化 钴 半导体的标准
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SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
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SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/81-1995 半导体分立器件.CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/80-1995 半导体分立器件.CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/29-1994 半导体分立器件.EK20型砷化镓高速开关组件详细规范
SJ 50033/27-1994 半导体分立器件.2EC600系列砷化镓变容二极管详细规范
SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/106-1996 半导体分立器件.CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范
SJ 50033/141-1999 半导体分立器件2EK150型砷化镓高速开关二极管详细规范
法国标准化协会，关于磷化 钴 半导体的标准
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NF EN 60191-4:2014 半导体器件机械标准化第4部分：半导体器件封装结构的编码系统和形状分类
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
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NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
NF C96-013-6:2005 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装轮廓图绘制的一般规则
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NF EN 60191-6-1:2002 半导体器件的机械标准化 - 第 6-1 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 引脚封装设计指南...
NF EN 60191-6-21:2011 半导体器件的机械标准化 - 第 6-21 部分：表面贴装半导体器件封装外形图编制的一般规则 - 尺寸测量方法
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NF EN 60191-6-20:2011 半导体器件的机械标准化 - 第 6-20 部分：表面贴装半导体器件封装外形图编制的一般规则 - 尺寸测量方法
NF EN 60191-6-17:2012 半导体器件机械标准化-第6-17部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则-堆叠封装设计指南...
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NF EN 60191-6-5:2002 半导体器件的机械标准化 - 第 6-5 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 矩阵封装的设计指南...
NF EN 60191-6-18:2010 半导体器件的机械标准化 - 第 6-18 部分：表面安装用半导体器件外形图编制的一般规则 - 矩阵封装的设计指南...
NF EN 60191-6-4:2003 半导体器件的机械标准化 - 第 6-4 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 封装尺寸的测量方法...
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NF EN 60191-6-8:2002 半导体器件的机械标准化 - 第 6-8 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 四方扁平封装的设计指南...
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NF C96-013-6-22*NF EN 60191-6-22:2013 半导体器件的机械标准化 第6-22部分：表面安装的半导体器件封装外形图绘制的一般规则 半导体封装的设计指南 硅质细间距球栅阵列和硅质细间距基板栅格阵列（SFBGA和S-FLGA）
国际电工委员会，关于磷化 钴 半导体的标准
IEC 60191-1:1966 半导体器件的机械标准化 第1部分:半导体器件图形绘制
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IEC 60191-1A:1969 半导体器件的机械标准化 第1部分:半导体器件图形绘制 补充1
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IEC 60191-4:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统
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IEC 60191-2:1966 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸
IEC 60191-2:2012 DB 半导体器件的机械标准化 第2部分：尺寸
IEC 60191-2:1966/AMD5:2002 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
IEC 60191-4:1999 半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
IEC 60191-4:2013 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
IEC 60191-4:2018 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
IEC 60191-6:1990 半导体器件的机械标准化 第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
IEC 60191-6:2004 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
IEC 60191-6:2009 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
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IEC 60191-4/AMD1:2001 半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统 修改1
IEC 60191-4/AMD2:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统.修改件2
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IEC 60191-6/AMD1:1999 半导体器件的机械标准化 第6部分:绘制表面安装半导体器件封装外形图的一般规则 修改1
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统.修改件1
IEC 60191-2Y:2000 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充23
IEC 60191-2:1966/AMD2:2001 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 修改2
IEC 60191-2U:1997 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充19
IEC 60191-2T:1996 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充18
IEC 60191-2V:1998 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充20
IEC 60191-2Z:2000 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充24
IEC 60191-2X:1999 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充22
IEC 60191-2W:1999 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充21
IEC 60191-6-10:2003 半导体器件的机械标准化.第6-10部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.P-VSON的尺寸
IEC 60191-2X/COR1:2000 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.补充件22
IEC 60191-2:1966/AMD10:2004 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件10
IEC 60191-2:1966/AMD21:2020 修改件21.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
IEC 60191-2:1966/AMD17:2008 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件17
IEC 60191-2:1966/AMD8:2003 修改件8——半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸
IEC 60191-2:1966/AMD12:2006 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件12
IEC 60191-2:1966/AMD7:2002 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件7
IEC 60191-2:1966/AMD4:2001 修改件4.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
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ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
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