本专题涉及离子阱 效应的标准有6条。
国际标准分类中，离子阱 效应涉及到分析化学、涂料和清漆、集成电路、微电子学、半导体分立器件。
在中国标准分类中，离子阱 效应涉及到涂料基础标准与通用方法、半导体分立器件综合、半导体集成电路。
德国标准化学会，关于离子阱 效应的标准
DIN 55659-2-2012 色漆和清漆.pH值的测定.第2部分:带有离子敏场效应晶体管(ISFET)的pH电极
DIN EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
法国标准化协会，关于离子阱 效应的标准
NF C80-203-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
英国标准学会，关于离子阱 效应的标准
BS EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
国际电工委员会，关于离子阱 效应的标准
IEC 62417-2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfets）的移动离子测试
IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
