本专题涉及微腔效应的标准有15条。
国际标准分类中，微腔效应涉及到半导体分立器件、阀门、集成电路、微电子学、电子元器件综合。
在中国标准分类中，微腔效应涉及到半导体分立器件综合、阀门、半导体集成电路、基础标准与通用方法、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合。
美国国防后勤局，关于微腔效应的标准
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管
DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 定制场效应晶体管500伏带门级保护混合微电路
DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅单块 操作增强器,四列微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 600V或500V同门保护自定义混合微电路场效应晶体管
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 单片硅辐射硬化数字非线性微电路互补开关场效应管驱动器
DLA SMD-5962-01520 REV B-2003 单片硅线性微电路高电流场效应管驱动器
DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 硅单块 操作增强器,微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 硅单块 操作增强器,双微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-01512-2001 单片硅双高速线性微电路场效应管驱动器
美国材料与试验协会，关于微腔效应的标准
ASTM F1467-1999(2005) 半导体器件和微电路的电离辐射效应试验中X射线测试仪(近似等于10keV辐射量子)的使用标准指南
ASTM F1467-1999 半导体器件和微电路的电离辐射效应试验中X射线测试仪(近似等于10keV辐射量子)的使用标准指南
