本专题涉及二极管效应的标准有10条。
国际标准分类中，二极管效应涉及到半导体分立器件。
在中国标准分类中，二极管效应涉及到半导体二极管。
国家质检总局，关于二极管效应的标准
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
GB/T 15137-1994 体效应二极管空白详细规范
国际电工委员会，关于二极管效应的标准
IEC 63275-2-2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
IEC 60747-4-1:2000 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管 空白详细规范
美国国防后勤局，关于二极管效应的标准
DLA MIL-PRF-19500/158 R-2008 半导体装置,硅二极管,参考电压,补偿温度,类型1N3154-1到1N3157-1和1N3154UR-1到1N3157UR-1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS,耐辐射(仅总剂量效应)JANTXVM,D,L,R,F,G,H和JANSM
DLA MIL-PRF-19500/452 H-2008 半导体装置,温度补偿低电平参考电压硅二极管,型号1N4565A-1 THROUGH 1N4584A-1和1N4565AUR-1到1N4584AUR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC,耐辐射(仅总剂量效应) TYPES JAN
，关于二极管效应的标准
KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) 半导体器件分立器件第4－1部分:微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范
行业标准-电子，关于二极管效应的标准
SJ 50033/107-1996 半导体分立器件.2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管详细规范
SJ 50033/108-1996 半导体分立器件.2EY5671、2EY5672型体效应二极管详细规范
