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本专题涉及物理相互诱导的标准有113条。
国际标准分类中，物理相互诱导涉及到电线和电缆、钢铁产品、公司(企业)的组织和管理、废物、集成电路、微电子学、信息技术(IT)综合、微生物学、航空航天制造用材料、人类工效学、半导体分立器件、无线通信、数据存储设备。
在中国标准分类中，物理相互诱导涉及到电缆及其附件、材料防护、钢板、钢带、经济管理、各种通信业务服务、油脂加工与制品、半导体集成电路、禽、蛋加工与制品、计算机应用、微电路综合、航空与航天用金属铸锻材料、计算机开放与系统互连、人类工效学、半导体分立器件综合、计算机外围设备、信息处理技术综合。
国家质检总局，关于物理相互诱导的标准
GB/T 2951.37-1994 电线电缆机械物理性能试验方法 氧化诱导期试验
美国材料与试验协会，关于物理相互诱导的标准
ASTM A1079-12 热浸的复相(CP),双相(DP)和相变诱导塑性(TRIP),镀锌(电锌)或锌铁合金涂层(镀锌扩散处理)的钢板标准规格
ASTM A1079-13 热浸的复相(CP),双相(DP)和相变诱导塑性(TRIP),镀锌(电锌)或锌铁合金涂层(镀锌扩散处理)的钢板标准规格
ASTM A1079-13e1 热浸的复相(CP)、双相(DP)和相变诱导塑性(TRIP)、镀锌(电锌)或锌铁合金涂层(镀锌扩散处理)钢片的标准规格
ASTM A1079-13e2 通过热浸法的复相(CP)、双相(DP)和相变诱导塑性(TRIP)、镀锌(电锌)或锌铁合金涂层(镀锌扩散处理)钢片的标准规格
法国标准化协会，关于物理相互诱导的标准
NF EN 16171:2016 污泥、处理过的生物废物和土壤 - 高频诱导等离子体质谱法 (ICP-MS) 测定微量元素
NF EN 16170:2016 污泥、处理过的生物废物和土壤 通过高频诱导等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定微量元素
NF EN 17374:2020 动物饲料。取样和分析方法。用阴离子交换高效液相色谱法和高频诱导等离子体质谱法测定动物饲料中无机砷含量（I...
英国标准学会，关于物理相互诱导的标准
BS 5192-5:1993 生产管理导则.第5部分:生产管理和其他管理职能的相互关系
BS 684 Sec.1.16:1981 脂肪和脂肪油的分析方法.第1部分:物理方法.第16节:水含量的测定:诱导法
国际电信联盟，关于物理相互诱导的标准
ITU-T F.415-1993 消息处理业务:与公用物理投递业务的相互通信
ITU-T F.415 FRENCH-1993 消息处理业务:与公用物理投递业务的相互通信
ITU-T F.415 SPANISH-1993 消息处理业务:与公用物理投递业务的相互通信
ITU-T X.281 FRENCH-1999 信息技术.与开放系统互连(OSI)物理层相关的管理信息元素.X系列.数据网络和开放系统通信.开放系统互连.层次管理对象
ITU-T X.724 SPANISH-1996 信息技术.开放系统互连(OSI)目录.管理信息结构:与开放系统互连管理相关的执行一致性陈述形式的要求和指导方针.X系列:数据网络和开放系统通信开放交流开放系统互连管理.管理信息结构
ITU-T F.415-1989 消息处理业务:与公用物理投递业务的相互通信 信息处理和目录服务 操作和服务定义(建议 F.410的勘误)研究组1
澳大利亚标准协会，关于物理相互诱导的标准
HB 202-2000 医疗及相关废物的管理体系．AS/NZS 3816－1998医疗及相关废物的管理的应用导则
美国国防后勤局，关于物理相互诱导的标准
DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 硅单片微处理器优化数字信号处理互补型金属氧化物半导体微电路
DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-90727 REV A-1993 硅单块 数字互补金属氧化物半导体图形处理系统处理器,数字微型电路
DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 硅单块 图像系统处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 硅单块 浮点协同处理机,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 硅单块 32比特微处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
DLA SMD-5962-92104-1993 硅单块 地址处理器1,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 硅单片56位数字信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-96801 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,六角施密特触发脉冲倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96802 REV B-2005 互补金属氧化物半导体,六角施密特触发脉冲倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-87665 REV E-2005 硅单块 MIL-STD-1750微处理器,16比特互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90704-1990 硅单块 16比特数字单一处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体16-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95824-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 硅单片浮点运算的协处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89505 REV A-2005 硅单片内存管理数据块保护部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 硅单片80位数字处理器扩建工程互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-94664 REV A-2006 数字微电路磁墨水字符识别功率定相锁定环硅单片电路互补金属氧化物半导体
DLA SMD-5962-96524 REV E-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器施密特触发器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96530 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体六角非倒相缓冲器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96636 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体倒相六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,32比特微处理器数字微型电路
DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 硅单片16位和8/16位微处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-96728-1995 抗辐射互补金属氧化物半导体静态16-BIT微处理器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入 硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96637 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96797 REV C-2004 互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线三状态输出接收器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96813 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,六角倒相施密特触发器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96705 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96807-1996 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出八角缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角反相施密特触发电路 硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 硅单片TTL兼容输入锁相环与压控振荡器高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95681 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体十六进制反相施密特触发电路硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95803 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相四重三状态输入缓冲器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 硅单片MIL-STD-1750型指令集架构16位微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-93159 REV A-2005 硅单片,超大规模集成化多协议处理器,高密度互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-96592 REV B-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96593 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96707 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角双向的三状态输出母线收发器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96806 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或倒相三状态输出驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96594 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96595 REV C-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95731 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体同相八进制缓冲器或三状态输出行驱动器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出16-BIT缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95809 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95810 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96568 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96569 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路驱动器,硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96782 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96783 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96829 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或线型非倒相三状态兼容输入驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95740 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相3到8行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95772 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
德国标准化学会，关于物理相互诱导的标准
DIN EN ISO 21254-3:2011-10 激光器和激光相关设备-激光诱导损伤阈值的测试方法-第3部分：激光功率（能量）处理能力的保证
RU-GOST R，关于物理相互诱导的标准
GOST R 57700.7-2018 物理过程的数值模拟. 冲击相互作用的过程. 术语和定义
GOST R 57700.11-2018 物理过程的数值模拟. 冲击相互作用的过程. 低速冲击和穿透数值模型的验证和验证. 要求
GOST R 57700.16-2018 物理过程的数值模拟. 冲击相互作用的过程. 高速撞击和穿透数值模型的验证和验证. 通用要求
欧洲标准化委员会，关于物理相互诱导的标准
EN ISO/TS 22117:2010 食品和动物饲料微生物学.能力测试的实验室间相互比对的具体要求和指导
EN ISO 9241-394:2022 人体系统相互作用的人类工效学第394部分:在观看电子图像时减少视觉诱发运动病不良生物医学效应的人类工效学要求
EN ISO/TS 9241-411:2014 人类系统相互作用的人体工程学. 第411部分: 物理输入设备的评估方法
EN ISO 9241-410:2012 人类系统相互作用的人体工程学.第410部分:物理输入设备的设计标准(合并修正 A1: 2012)
EN ISO 9241-410:2008/A1:2012 人类系统相互作用的人体工程学.第410部分:物理输入设备的设计标准 包含修改件A1,2012
GOSTR，关于物理相互诱导的标准
GOST R 58371-2019 光学和光子学 激光及激光相关设备 激光诱导损伤阈值的测定方法 第3部分：激光功率（能量）处理能力的保证
国际标准化组织，关于物理相互诱导的标准
ISO 9241-394:2020 人体系统相互作用的人类工效学第394部分:在观看电子图像时减少视觉诱发运动病不良生物医学效应的人类工效学要求
CEN - European Committee for Standardization，关于物理相互诱导的标准
EN ISO 9241-410:2008 人类系统相互作用的人体工程学.第410部分:物理输入设备的设计标准
ITU-T - International Telecommunication Union/ITU Telcommunication Sector，关于物理相互诱导的标准
ITU-T X.281-1995 信息技术 与 OSI 物理层相关的管理信息要素 数据网络和开放系统通信开放系统互连 层管理对象
美国国家标准学会，关于物理相互诱导的标准
ANSI/INCITS 394-2004 边界管理用基于生物测定个人识别的相互操作、数据交换和数据集成的应用轮廓用信息技术
美国电气电子工程师学会，关于物理相互诱导的标准
IEEE Std 802.3cg-2019 以太网 IEEE 标准 修正案 5：10 Mb/s 操作的物理层规范和管理参数以及通过一对平衡导线进行的相关功率传输
IEEE P802.3cg/D3.1, June 2019 IEEE 以太网标准草案修正案 4：通过单对平衡导体进行 10 Mb/s 操作和相关电力传输的物理层规范和管理参数
IEEE P802.3cg/D3.2, July 2019 IEEE 以太网标准草案修正案 4：通过单对平衡导体进行 10 Mb/s 操作和相关电力传输的物理层规范和管理参数
IEEE P802.3cg/D3.3, August 2019 IEEE 以太网标准草案修正案 4：通过单对平衡导体进行 10 Mb/s 操作和相关电力传输的物理层规范和管理参数
IEEE P802.3cg/D3.0, March 2019 IEEE 以太网修正草案标准：10 Mb/s 操作的物理层规范和管理参数以及通过单个平衡导线对进行的相关功率传输
欧洲电工电子元器件标准，关于物理相互诱导的标准
CECC 90 109- 798 ISSUE 1-1987 数字集成电路,单片硅互补金属氧化物半导体,腔体封装或非腔体封装,54/74 HC 4046A型,带压控振荡器的锁相环路(英,法)
