本专题涉及半导体 光催化氧化的标准有79条。
国际标准分类中，半导体 光催化氧化涉及到陶瓷、表面处理和镀涂、半导体分立器件、集成电路、微电子学、电子元器件综合、半导体材料。
在中国标准分类中，半导体 光催化氧化涉及到催化剂、半导体分立器件综合、特种陶瓷、、半导体三极管、半导体集成电路、敏感元器件及传感器、电工绝缘材料及其制品、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品综合。
英国标准学会，关于半导体 光催化氧化的标准
BS ISO 22601:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 总有机碳（TOC）定量分析测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
BS ISO 19722:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
BS ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
BS ISO 22197-1:2016 跟踪更改 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 去除一氧化氮
BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
BS ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
BS ISO 17168-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法一氧化氮的去除
BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
BS ISO 10676:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
BS ISO 22197-2:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能测试方法去除乙醛
BS ISO 10676:2010 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的测试方法
BS ISO 19635:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
BS ISO 13125:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
BS ISO 22197-3:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能测试方法甲苯的去除
国际标准化组织，关于半导体 光催化氧化的标准
ISO 22601:2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.通过定量分析总有机碳（TOC）测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
ISO 19722:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
ISO 22197-1:2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能试验方法. 第1部分: 一氧化氮净化
ISO 22197-1:2007 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
ISO 10676:2010 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
ISO 17168-1:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分：一氧化氮的去除
ISO 13125:2013 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
ISO 19635:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
ISO 27447:2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.半导体光催化材料抗菌活性的试验方法
法国标准化协会，关于半导体 光催化氧化的标准
XP CEN/TS 16599:2014 光催化 确定照射条件以测试半导体材料的光催化性能
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光催化 用于测试半导体材料光催化性能的辐照条件和这些条件的测量
NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
NF ISO 14605:2013 技术陶瓷 在室内照明环境中测试半导体光催化材料的光源
NF ISO 22197-4:2021 技术陶瓷 空气净化用半导体光催化材料性能测试方法 第4部分：除甲醛
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 细瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）测试半导体光催化材料所用的紫外光源
NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
NF ISO 22197-5:2021 技术陶瓷 空气净化用半导体光催化材料性能试验方法 第5部分：甲硫醇的去除
欧洲标准化委员会，关于半导体 光催化氧化的标准
PD CEN/TS 16599:2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定
CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
日本工业标准调查会，关于半导体 光催化氧化的标准
JIS R 1708:2016 精细陶瓷（Advanced ceramics、advanced technical ceramics） 用溶解氧消耗量测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
JIS R 1750:2012 精细陶瓷.室内光环境下测试半导体光催化材料用光源
JIS R 1712:2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级技术陶瓷） 半导体光催化材料抗藻活性试验方法
德国标准化学会，关于半导体 光催化氧化的标准
DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
DIN ISO 22197-1:2018-12 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）-半导体光催化材料空气净化性能的测试方法-第1部分：一氧化氮的去除
DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
DIN ISO 22197-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料空气净化性能试验方法第1部分：一氧化氮去除（ISO 22197-1:2016）
DIN ISO 22197-1:2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除(ISO 22197-1-2007)
美国国防后勤局，关于半导体 光催化氧化的标准
DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
欧洲电工标准化委员会，关于半导体 光催化氧化的标准
EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
中国团体标准，关于半导体 光催化氧化的标准
T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
T/QGCML 743-2023 半导体设备零部件阳极氧化工艺规范
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
AENOR，关于半导体 光催化氧化的标准
UNE-ISO 22197-1:2012 精细陶瓷（高级陶瓷、高级技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 第1部分：去除一氧化氮
UNE 127197-1:2013 评估浸泡在预制混凝土产品中的半导体光催化材料的空气净化性能的测试方法应用 第1部分：一氧化氮的去除
韩国科技标准局，关于半导体 光催化氧化的标准
KS L ISO 22197-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第1部分:去除一氧化氮
KS L ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
KS L ISO 22197-1:2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分:一氧化氮的去除
KS L ISO 17168-1:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第1部分:去除一氧化氮
KS L ISO 10676:2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
KS L ISO 27447-2011(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料抗菌活性试验方法
KS L ISO 27447-2011(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－半导体光催化材料抗菌活性试验方法
KS L ISO 10676-2012(2022) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－用活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
KR-KS，关于半导体 光催化氧化的标准
KS L ISO 22197-1-2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第1部分:去除一氧化氮
KS L ISO 22197-1-2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分:一氧化氮的去除
KS L ISO 17168-1-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第1部分:去除一氧化氮
国际电工委员会，关于半导体 光催化氧化的标准
IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
行业标准-电子，关于半导体 光催化氧化的标准
SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
国家质检总局，关于半导体 光催化氧化的标准
GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
丹麦标准化协会，关于半导体 光催化氧化的标准
DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
ES-UNE，关于半导体 光催化氧化的标准
UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
(美国)军事条例和规范，关于半导体 光催化氧化的标准
ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于半导体 光催化氧化的标准
IEEE 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的标准定义和表征
立陶宛标准局，关于半导体 光催化氧化的标准
LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
美国电气电子工程师学会，关于半导体 光催化氧化的标准
ANSI/IEEE Std 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的 IEEE 标准定义和表征
