本专题涉及赝 电容 氧化物的标准有500条。
国际标准分类中，赝 电容 氧化物涉及到电阻器、绝缘、电工器件、无机化学、有色金属、电容器、输电网和配电网、半导体分立器件、集成电路、微电子学、电池和蓄电池、阀门、绝缘材料、绝缘流体、电气设备元件、磁性材料、钢铁产品、开关装置和控制器、光纤通信、化工产品、石油和天然气工业设备、空气质量、玻璃、光学和光学测量、电站综合、食用油和脂肪、含油种子、纸和纸板、废物、燃料电池、有色金属产品、电线和电缆、分析化学、电学、磁学、电和磁的测量、建筑物的防护、塑料、航空航天制造用材料、土质、土壤学、陶瓷、无线通信。
在中国标准分类中，赝 电容 氧化物涉及到电子元件综合、避雷器、电子技术专用材料、稀有金属及其合金分析方法、电容器、电工合金零件、无机盐、、低压配电电器、半导体分立器件综合、计算机应用、机械量仪表、自动秤重装置与其他检测仪表、半导体集成电路、电工绝缘材料及其制品、阀门、化学电源、磁性元器件、电化学、热化学、光学式分析仪器、钢铁产品综合、电源设备、重金属及其合金、电感器、变压器、光通信设备、无机化工原料综合、流量与物位仪表、电子光学与其他物理光学仪器、电阻器、电力试验技术、油脂加工与制品、纸、口腔科器械、设备与材料、输变电设备综合、废气排放污染物分析方法、低压电器综合、电力系统设备安装测试、电站、电力系统运行检修、电缆及其附件、基础标准与通用方法、电子测量与仪器综合、稀土金属及其合金、铁路通信设备、绝缘油、微电路综合、航空与航天用金属铸锻材料、冷加工工艺、土壤、水土保持、工业技术玻璃、继电保护及自动装置、新能源及其他、通信网技术体制、广播、电视发送与接收设备、化学。
GOSTR，关于赝 电容 氧化物的标准
GOST 28309-1989 氧化物电解铝固定电容器 防爆试验方法
美国国防后勤局，关于赝 电容 氧化物的标准
DLA DSCC-DWG-01001-2001 氧化铝两极化电解的固定电容器
DLA DESC-DWG-89021 REV E-2013 电容器，固定，电解极化，氧化铝，超低 ESR
DLA DESC-DWG-88022 REV D-2009 电容器，固定，电解，极化，氧化铝，单端安装
DLA DESC-DWG-88022 REV E-2010 电容器，固定，电解，极化，氧化铝，单端安装
DLA DSCC-DWG-89021 REV D-2004 固定极化电解质氧化铝及超低ESR的电容器
DLA DSCC-DWG-88022 REV C-2000 固定极化电解质氧化铝及单端安装的电容器
DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及SNAP安装薄片电容器
DLA DESC-DWG-89085 REV D-2009 电容器，固定式，电解极化，氧化铝，卡扣安装，薄型
DLA DSCC-DWG-89012 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及低螺母插入的电容器
DLA MIL-C-39018/10 B-2009 固定式电解（氧化铝）（极化）电容器，可靠性高，CUR92 型（绝缘）
DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
DLA MIL-PRF-39018/2 F-2009 电容器，固定，电解（氧化铝）（非极化），型号 CU14（未绝缘）和 CU15（绝缘）
DLA MIL-PRF-39018/6 D-2009 固定式电解（氧化铝）（极化）电容器，成熟的可靠性 CUR91 型（绝缘）
DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
DLA A-A-55562 A-2001 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
DLA SMD-5962-89630 REV A-2001 硅单片,双重氧化物半导体可兼容差动线路接收器,数字微型电路
DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
DLA A-A-55564/3 B-2004 金属氧化物,径向引线压敏电阻
DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 硅单片,TTL可兼容输入,六位倒相器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA MIL-PRF-39018/7 C-2009 电容器，固定，电解（氧化铝）（极化），（四端子），成熟的可靠性类型 CUR19（绝缘）
DLA SMD-5962-89734 REV E-2007 硅单片,TTL可兼容输入,六角倒相器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89746 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89844 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,8输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片
DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-89709 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入是门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89843 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,三重输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA A-A-55564/2 B-2012 电阻器，电压敏感（变阻器），金属氧化物，高能量
DLA SMD-5962-89703 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,三重三输入或非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89751 REV B-2005 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入非与门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位可寻址锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92181 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,双重2输入非与门,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92182 REV B-2004 硅单片,TTL兼容输入,三重3输入非与门,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88624-1988 硅单片TTL兼容可编程N计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-90652 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入 硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA MIL-PRF-83530 C-2008 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），一般规范
DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），片式，0603 型
DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，0805 型
DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，1206 型
DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，1210 型
DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，0402 型
DLA A-A-55564/3 C-2012 电阻器，电压敏感（变阻器），金属氧化物，径向引线
DLA QPL-83530-7-2004 电压敏感(压敏电阻器,金属氧化物)电阻器 一般规格
DLA SMD-5962-89731-1989 硅单片,TTL可兼容输入,8位同位锁存收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89890 REV A-1999 硅单片,TTL可兼容输入,双重4级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90669-1992 硅单片,TTL可兼容输入,二进升值/降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90687 REV C-2004 硅单片,TTL可兼容输入,四重2输入异或门,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 硅单片TTL兼容输入8输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT奇偶校验,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97528-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97571-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA A-A-59260 VALID NOTICE 2-2009 腐蚀去除化合物，氢氧化钠碱；用于电解或浸没应用
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-90505 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,双重4输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 硅单片TTL兼容计数器同步二元预定快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三重三输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-90611 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,电可擦可编程序只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA QPL-39018-72-2007 电解(氧化铝)固定电容器确定可靠性和非确定可靠性一般规格
DLA A-A-55562/2 A-2001 类型为0805的片状压敏(压敏电阻,金属氧化物)电阻器
DLA SMD-5962-89688 REV C-2004 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入多路复用器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89689 REV C-2003 硅单片,TTL可兼容输入,双重2输入多路复用器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,12级行波进位二进计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 硅单片TTL兼容输入14阶段二元计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 硅单片TTL兼容输入四方双输入与通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,18-BIT母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90574-1990 硅单片,TTL可兼容输入,8位同步二-十进降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的四重缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90654 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,模拟多路复用器/信息分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93097 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,可编程视频同步信号发生器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 硅单片六反相器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 互补金属氧化物半导体,16-BIT的25欧姆串联电阻器母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制闭锁晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-92206-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,双重双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,16-BIT接收器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 硅单片,TTL兼容输入及输出,可编程低失真时钟驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-89745 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,3线至8线解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89771 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有振动器的14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90686-1999 硅单片,TTL可兼容输入,装有明沟输出的六位反向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 硅单片量值比较器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
DLA QPL-39018-2012 固定式电解电容器（氧化铝），确定的可靠性和未确定的可靠性，通用规范
DLA MIL-PRF-39018/4 E-2009 固定式电解（氧化铝）（极化）、未确定可靠性和已确定可靠性型号 CU71（绝缘）和 CUR71（绝缘）电容器
DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,错误监测和改正三状态输出电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 硅单片,TTL兼容输入,装有施米特触发器的六位倒向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的10位透明锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88674-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口调节输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 硅单片TTL兼容输入锁相环与压控振荡器高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA MIL-PRF-39018 F-2006 有可靠性和非既定的可靠性固定(氧化铝)指标电容器一般规格
DLA SMD-5962-94750-1995 互补金属氧化物半导体串联存取受控网络,和并串联转换器晶体管兼容输出硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 硅单块 方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体八角三状态输出透明闭锁装置晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出16-BIT缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT母线三状态输出改变和转换,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA QPL-39018-72 NOTICE 1-2008 固定式电解电容器（氧化铝），已确定的可靠性和未确定的可靠性，通用规范
DLA QPL-39018-QPD-2010 固定式电解电容器（氧化铝），已确定的可靠性和未确定的可靠性，通用规范
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 硅单片双重升计数器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 硅单片四重D锁存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 硅单片译码器-解码器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 硅单块 互补金属氧化物半导16X16乘数,数字微型电路
DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位串联输入/并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89741-1990 硅单片,TTL可兼容输入,装有I/P锁存器的八位移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87761 REV A-2005 硅单片TTL输入兼容双4输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入4位二进制向上/向下计数器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入4位二进制向上/向下计数器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88675-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口锁存器输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 带电可变编程逻辑装置互补金属氧化物硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线三状态输出无线电收发机,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-97529-1998 低电压互补金属氧化物半导体,八角母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特缓冲/线驱动,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特双向收发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89599 REV A-2003 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的8输入多路复用器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89693 REV B-1999 硅单片,TTL可兼容输入,四重D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87757 REV B-2005 硅单片TTL输入兼容十六进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-88651 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入八进制透明锁存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88704 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-89556 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型锁存器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-89557 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 硅单片,可擦除程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-06208-2006 硅单片数字信号处理机氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 硅单片,16比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 硅单片3重3输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 硅单片双重4输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 硅单片双重4输入或栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 硅单片,同步串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
行业标准-机械，关于赝 电容 氧化物的标准
JB/T 9670-2014 金属氧化物避雷器电阻片用氧化锌
JB/T 7777.2-1995 银氧化锡氧化铟电触头材料化学分析方法 DETA容量法测定铟量
JB/T 7777.2-2008 银氧化锡氧化铟电触头材料化学分析方法.第2部分:EDTA容量法测定铟量
JB/T 7774.1-1995 银氧化锌电触头材料化学分析方法 EDTA容量法测定锌量
JB/T 7774.1-2008 银氧化锌电触头材料化学分析方法.第1部分:EDTA容量法测定锌量
JB/T 8444-2015 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
JB/T 8444-1996 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
行业标准-电子，关于赝 电容 氧化物的标准
SJ/T 11484-2015 掺铝氧化锌型透明导电氧化物玻璃
SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
SJ 53516/5-2002 电容器，固定式，电解（氧化铝），CD351 型，详细规范
SJ/T 10282-1991 电源用磁性氧化物ETD磁芯的尺寸
SJ 20451-1994 灌封和包装用以胶体二氧化硅填充的环氧类电绝缘化合物
SJ/T 2743-1987 电源用磁性氧化物磁芯(EC-磁芯)的尺寸
SJ/T 2743-2013 电源用磁性氧化物磁心（EC磁心）的尺寸
韩国科技标准局，关于赝 电容 氧化物的标准
KS C 4808-2011(2016) 聚合物 - 容纳金属氧化物避雷器而不对配电线路上的间隙
KS D ISO 12169:2001 镍氧化物.镍含量的测定.电解沉积法
KS D ISO 12169:2013 镍氧化物 镍含量的测定 电解沉积法
KS M ISO 8309:2003 轻质碳氢化合物制冷液.含液化气容器中液位的测量.电容计
KS M ISO 8309:2013 轻质碳氢化合物制冷液 含液化气容器中液位的测量 电容计
KS C IEC 60647:2008 电源用磁性氧化物磁芯(EC磁芯)的尺寸
KS C IEC 60647-2008(2018) 用于电源（EC芯）的磁性氧化物芯的尺寸
KS C 4808-2011(2021) 配电线路用无间隙聚合物外壳金属氧化物避雷器
KS C IEC 60384-3:2018 电子设备中使用的固定电容器 - 第3部分:部分规格:表面贴装固体钽电解电容器与二氧化锰固体电解质
KS C IEC 60099-4:2021 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于赝 电容 氧化物的标准
GB/T 34869-2017 串联补偿装置电容器组保护用金属氧化物限压器
GB/T 34582-2017 固体氧化物燃料电池单电池和电池堆性能试验方法
GB/T 32996-2016 表面化学分析 辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜
BE-NBN，关于赝 电容 氧化物的标准
NBN T 03-348-1981 工业用天然硼砂，氧化钠和硼的氧化物含量的测定．容积法
NBN T 03-345-1981 工业用硼酸；氧化硼；四硼酸钠；天然硼砂；硫磺化合物含量的测定．容积法
国家质检总局，关于赝 电容 氧化物的标准
GB/T 8762.1-1988 荧光级氧化钇和氧化铕中稀土氧化物总量测定 乙二胺四乙酸二钠容量法
GB/T 18115.1-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化镧中氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.2-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化铈中氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.5-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化钐中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.6-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化钆中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.7-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化铽中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.9-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化钬中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.8-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化镝中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.4-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化钕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.10-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化铒中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 18115.3-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化镨中氧化镧、氧化铈、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
GB/T 13397-2008 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
GB 13397-1992 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
GB/T 12690.1-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法 电感耦合等离子发射光谱法测定氧化镧中氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化钇量
GB/T 12690.28-2000 稀土金属及其氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定稀土氧化物中氧化钙量
GB/T 15245-2002 稀土氧化物的电子探针定量分析方法
GB/T 27746-2011 低压电器用金属氧化物压敏电阻器(MOV)技术规范
GB/T 2951.37-1994 电线电缆机械物理性能试验方法 氧化诱导期试验
GB/T 30984.2-2014 太阳能用玻璃 第2部分:透明导电氧化物膜玻璃
GB/T 18882.3-2002 离子型稀土矿混合稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定十五个稀土元素氧化物的配分量
GB/T 18802.331-2007 低压电涌保护器元件 第331部分：金属氧化物压敏电阻（MOV）规范
GB/T 41917-2022 纳米技术 电子自旋共振（ESR）法检测金属氧化物纳米材料产生的活性氧（ROS）
美国材料与试验协会，关于赝 电容 氧化物的标准
ASTM F1153-92(1997) 用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
ASTM B101-02 测定铜棒表面氧化物的标准试验方法（电气用）
ASTM B101-01 测定铜棒表面氧化物的标准试验方法（电气用）
ASTM B101-96 测定铜棒表面氧化物的标准试验方法（电气用）
ASTM B1019-21 测定铜棒表面氧化物的标准试验方法（电气用）
ASTM D2112-01a(2007) 用压力容器法测定防腐蚀矿物绝缘油氧化稳定性的标准试验方法
ASTM E1720-95 在密封容器二氧化碳的生产试验中测定有机化合物已有的、最终的生物降解能力的标准试验方法
ASTM E1720-01 在密封容器二氧化碳的生产试验中测定有机化合物已有的、最终的生物降解能力的标准试验方法
ASTM E1720-01(2008) 在密封容器二氧化碳的生产试验中测定有机化合物已有的,最基本的生物分解性的标准试验方法
ASTM D2112-15 采用压力容器法测定防腐蚀矿物绝缘油氧化稳定性的标准试验方法
ASTM UOP291-13 通过微波消解和电位滴定法测定氧化铝和硅铝催化剂中的总氯化物
HU-MSZT，关于赝 电容 氧化物的标准
MSZ 11433/7-1981 化妆品化学和物理检测．定义的实质内容可以氧化
MSZ KGST 978-1978 镁氧化和氧化氮物质含有的防火原材料产品 钠氧化氮（Na2 O） 钾氧化氮（K20）的内容与含量定义模式
MSZ 19791-1969 用于流电技术目地的氧化物
MSZ 21456/12-1979 为燃气污染空气家侧瓦欧容和氧化物质'的定义
MNOSZ 19086-1954 审查燃气空气污染物的工作场所有害氧化物的定义内容
MSZ 21862/12-1978 审查工作场所燃气空气污染物的有害氧化物丙烯醛的定义内容
MSZ 5200/10.lap-1957 发电机检测．双重钾可氧化物质含量定义
RU-GOST R，关于赝 电容 氧化物的标准
GOST 27550-1987 铝氧化电解固定电容器.一般技术条件
GOST 21215-1975 有氧化物的电绝缘纸.技术条件
GOST 32433-2013 环境危险化学品测试. 准备生物降解能力. 密闭容器中的二氧化碳
GOST ISO 27107-2016 动植物油脂. 采用电位终点法测定过氧化值
GOST R ISO 27107-2010 动植物油脂.过氧化值的电势测定终端测定法
工业和信息化部，关于赝 电容 氧化物的标准
HG/T 6066-2022 矿物绝缘电缆用氧化镁
YD/T 2972-2015 通信保护用金属氧化物压敏电阻器
(美国)海军，关于赝 电容 氧化物的标准
NAVY QPL-16923-QPD-2011 环氧嵌入电绝缘化合物
NAVY QPL-16923-58 NOTICE 3-2008 绝缘化合物，电气，嵌入，环氧树脂
行业标准-稀土，关于赝 电容 氧化物的标准
XB/T 613.2-2010 铈铽氧化物化学分析方法.第2部分：氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
XB/T 613.1-2010 铈铽氧化物化学分析方法.第1部分：氧化铈和氧化铽量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
内蒙古自治区标准，关于赝 电容 氧化物的标准
DB15/T 925-2015 单一稀土氧化物中非稀土杂质化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定氧化铝、氧化铬、氧化锰、氧化钴、氧化镍、氧化铜、氧化锌、氧化铅、氧化镉和氧化砷含量
国家军用标准-总装备部，关于赝 电容 氧化物的标准
GJB 10185-2021 片式固体电解质氧化铌电容器通用规范
GJB 3794-1999 电接触银基金属氧化物合金规范
GJB 3794A-2018 电接触银基金属氧化物加工材规范
国家能源局，关于赝 电容 氧化物的标准
NB/T 10193-2019 固体氧化物燃料电池 术语
NB/T 10452-2026 绝缘液体 金属化薄膜电容器用环氧大豆油
NB/T 10821-2021 固体氧化物燃料电池 电池堆测试方法
NB/T 10820-2021 固体氧化物燃料电池 单电池测试方法
NB/T 42152-2018 非线性金属氧化物电阻片通用技术要求
美国电气电子工程师学会，关于赝 电容 氧化物的标准
IEEE Std C62.11-2020 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
IEEE Std C62.11-1999 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
IEEE Std C62.11-1993 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
IEEE Std 2404-2016 电厂脱氮氧化物（DeNOx）板式催化剂的 IEEE 标准
IEEE 2404-2016 电厂脱氮氧化物（DeNOx）板式催化剂的 IEEE 标准
IEEE Std C62.11-2005 交流电源电路金属氧化物电涌放电器（大于1 kV）
IEEE Std C62.22-1991 交流系统中金属氧化物电涌放电器应用指南
IEEE P2404/D3.0, December 2015 IEEE 批准的电厂脱氮氧化物（DeNOx）板式催化剂标准草案
IEEE Std C62.22-2009 交流系统金属氧化物电涌放电器应用的IEEE指南
IEEE Std C62.11-2012 交流电(AC)电源电路用金属氧化物放电管IEEE标准(
ANSI/IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
IEEE Std C62.22-1997 IEEE 交流电系统金属氧化物避雷器应用指南
IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D12A, August 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D11, February 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
TR-TSE，关于赝 电容 氧化物的标准
TS 3319-1979 工业用盐酸．氧化或者还原物质的测定（容积法）
TS 1809-1975 工业用硼酸、氧化硼、四硼酸二钠和粗硼酸钠．硫化物的测定．容量法
中国团体标准，关于赝 电容 氧化物的标准
T/ZZB 0333-2018 高容量、环保型LR6/LR03碱性锌-二氧化锰电池
T/CAB 0156-2022 智能家电用金属氧化物MEMS气体传感器
T/ZZB 2775-2022 锂离子电池用镍钴锰三元素复合氢氧化物
T/CECA 27-2017 有可靠性指标的金属氧化物压敏电阻器总规范
T/CEC 221-2019 高梯度及低残压金属氧化物电阻片通用技术标准
中华人民共和国环境保护部，关于赝 电容 氧化物的标准
环发[2010]10号 火电厂氮氧化物防治技术政策
(美国)空军，关于赝 电容 氧化物的标准
AIR FORCE MIL-DTL-25666 F VALID NOTICE 2-2008 电容型带量规液氧气化器的通用技术条件
AIR FORCE MIL-DTL-25666F (1)-2000 电容型带量规液氧气化器的通用技术条件
AIR FORCE MIL-DTL-25666F NOTICE 1-1996 电容型带量规液氧气化器的通用技术条件
AIR FORCE MIL-DTL-25666F-1995 电容型带量规液氧气化器的通用技术条件
AIR FORCE QPL-25666-4 NOTICE 1-2008 电容型带量规液氧气化器的通用技术条件
行业标准-能源，关于赝 电容 氧化物的标准
NB/T 10452-2020 绝缘液体 金属化薄膜电容器用环氧大豆油
NB/T10820-2021 固体氧化物燃料电池单电池测试方法
NB/T10821-2021 固体氧化物燃料电池电池堆测试方法
NB/T 42059-2015 交流电力系统金属氧化物避雷器用脱离器
NB/T 10671-2021 固体氧化物燃料 电池 模块通用安全技术导则
DL/T 815-2021 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
NB/T 10670-2021 固体氧化物燃料电池电解质膜测试方法 第1部分：自支撑膜
NB/T10670-2021 固体氧化物燃料电池电解质膜测试方法第1部分：自支撑膜
API - American Petroleum Institute，关于赝 电容 氧化物的标准
API 26-60045-1978 运动期间氮氧化物 一氧化碳和光化学氧化剂对心电图和心肺功能的影响 最终报告
YU-JUS，关于赝 电容 氧化物的标准
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RO-ASRO，关于赝 电容 氧化物的标准
STAS 145/28-1978 植物油和脂肪．测定石油醚中的不可容氧化脂肪酸
德国标准化学会，关于赝 电容 氧化物的标准
DIN IEC 60647:1990 电源用磁氧化物磁芯(EC磁芯)尺寸
DIN EN 60384-4:2007 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范:采用固体(二氧化锰)和非固体电解质的铝电解电容器
DIN EN ISO 27107:2010-08 动植物油脂 过氧化值的测定 电位终点测定
DIN 38404-6 Berichtigung 1:2018-12 德国水、废水和污泥检验标准方法 物理和物理化学参数（C 组） 第6部分：氧化还原（氧化还原）电位（C 6）的测定
DIN EN 60099-4:2010 电涌放电器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
DIN EN 60384-3:2007 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范:采用二氧化锰固体电解质的表面安装固定的钽电解电容器(IEC 60384-3-2006)
DIN EN 60384-4-2:2007 电子设备用固定电容器.第4-2部分:空白详细规范:采用固体二氧化锰电解质的固定铝电解电容器.评定等级EZ
DIN EN 60384-18:2007 电子设备用固定电容器.第18部分:分规范:采用固体二氧化锰和非固体电解质的固定铝电解的表面安装电容器
DIN EN 60384-3-1:2007-08 电子设备用固定电容器 第3-1部分：空白详细规范：二氧化锰固体电解质表面贴装固定钽电解电容器 评估等级 EZ
DIN EN 60384-3-1 Berichtigung 1:2009-07 电子设备用固定电容器 第3-1部分：空白详细规范：二氧化锰固体电解质表面贴装固定钽电解电容器 评估等级 EZ
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于赝 电容 氧化物的标准
IEEE C62.11-1987 交流电源电路用金属氧化物电涌放电器标准
IEEE C62.11-1993 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准
IEEE C62.11-1999 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准（> 1kV）
IEEE C62.11-2012 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器
IEEE C62.11-2005 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准
IEEE PC62.11/D2.0-2019 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准草案
行业标准-航空，关于赝 电容 氧化物的标准
HB/Z 5085.1-1999 氰化电镀镉溶液分析方法 EDTA容量法测定氧化镉的含量
HB/Z 5096.1-2004 电镀铅溶液分析方法 第1部分:EDTA容量法测定氧化铅的含量
HB/Z 5095.1-2004 氰化电镀黄铜溶液分析方法 第1部分:EDTA容量法连续测定氰化亚铜和氧化锌的含量
国际标准化组织，关于赝 电容 氧化物的标准
ISO 11950:2016 冷缩电解铬产品. 电解铬/铬氧化物涂层钢
ISO 1918:1972 工业用硼酸、氧化硼、四硼酸二钠和粗硼酸钠 硫化物的测定 容量法
ISO 27107:2008 动物和植物的脂肪和油.过氧化值的测定.电势终端测定法
ISO/TS 25138:2019 表面化学分析 - 通过辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜
ISO/TS 25138:2010 表面化学分析.用辉光放电发射光谱测定法分析金属氧化物薄膜
美国国家标准学会，关于赝 电容 氧化物的标准
ANSI/IEEE C62.11:2005 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准
ANSI/IEEE C62.22:2009 交流系统中金属氧化物电涌放电器应用指南
国际电工委员会，关于赝 电容 氧化物的标准
IEC 60384-3:2006 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范:采用氧化锰固体电解质的钽电解电容器
IEC 61185/AMD1:1995 电源用磁氧化物ETD磁芯 尺寸 修改1
IEC 60384-3:2016 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范:采用氧化锰(MnO2)固体电解质的钽电解电容器
IEC 60647:1979 电源用磁性氧化物磁芯(EC磁芯)的尺寸
IEC 60384-3:2006/COR1:2007 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范:采用氧化锰固体电解质的表面安装钽电解质电容器
IEC 60384-3-1:2006 电子设备用固定电容器.第3-1部分:空白详细规范:采用氧化锰固体电解质的钽固定电容器.评定水平EZ
IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
IN-BIS，关于赝 电容 氧化物的标准
IS 1885 Pt.12-1966 电工词汇第Ⅻ部分铁磁氧化物材料
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CEN - European Committee for Standardization，关于赝 电容 氧化物的标准
PREN 12574-4-2015 固定式废物容器 第4部分：废物机电一体化
英国标准学会，关于赝 电容 氧化物的标准
BS EN 60384-4:2007 电子设备用固定电容器.分规范.采用固体二氧化锰(MnO2)和非固体电解质的铝电解电容器
BS EN 60384-3:2007 电子设备用固定电容器 分规范：采用二氧化锰（MnO2）固体电解质的表面安装钽电解固定电容器
BS EN ISO 27107:2010 动物和植物油脂.过氧化值的测定.电势终端测定法
BS EN ISO 27107:2008 动植物油脂.过氧化值测定.电位终点测定
BS EN 60384-3:2006 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范:采用二氧化锰固体电解质的表面安装钽电解固定电容器
15/30323523 DC BS EN 12574-4 固定废物容器 第 4 部分：废物机电一体化
BS EN 61643-331:2003 低压电涌保护装置.金属氧化物变阻器(MOV)规范
BS ISO 27107:2008 动物和植物的脂肪和油.过氧化值的测定.电势终端测定法
BS ISO 4907-3:2023 塑料 离子交换树脂 氢氧化物形式阴离子交换树脂交换容量的测定
BS EN 60384-4-2:2007 电子设备用固定电容器.第4-2部分:空白详细规范.固体(二氧化锰)电解质的铝电解固定电容器.评估等级EZ
BS EN 60384-4-2:2008 电子设备用固定电容器 第4-2部分：空白详细规范 固体（二氧化锰）电解质的铝电解固定电容器 评估等级EZ
BS EN 60099-4:2004+A2:2009 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
BS EN 60099-4:2004 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
BS EN 60099-4:2014 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
BS EN 60384-3-1:2006 电子设备用固定电容器.第3-1部分:空白详细规范.带二氧化锰固体电解质的表面安装钽电解固定电容器.评估等级EZ
BS EN 60384-3-1:2008 电子设备用固定电容器 第3-1部分：空白详细规范 带二氧化锰固体电解质的表面安装钽电解固定电容器 评估等级EZ
德国机械工程师协会，关于赝 电容 氧化物的标准
VDI 3475 Blatt 2-2005 排放控制 生物废物设施 堆肥厌氧（共）消化 工厂容量高达约 6000 毫克/年
VDI 3475 Blatt 1-2003 排放控制 生物废物处理设施 堆肥和厌氧消化；工厂容量超过约 6000 毫克/年
CZ-CSN，关于赝 电容 氧化物的标准
CSN 70 0632 Cast.1-1986 玻璃的化学分析．测定氧化铅．配位酮3容积法（经电离分解后）
CSN 44 1875-1983 铝土矿．钒氧化物含量的测定．电位法和光度法
未注明发布机构，关于赝 电容 氧化物的标准
(美国)军事条例和规范，关于赝 电容 氧化物的标准
ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
IT-UNI，关于赝 电容 氧化物的标准
UNI 6635-1970 矿物质锰的化学分析．活性氧测定（氧化锰中的普通表示），通过减少硫酸铁（II）和铵的测容积法
UNI 6068-1967 弹性材料：硫化物试验．臭氧处理的试验．用反向电流法测定臭氧浓度
丹麦标准化协会，关于赝 电容 氧化物的标准
DS/EN 60384-3:2007 电子设备用固定电容器 第3部分：分规范：表面贴装二氧化锰固体电解质固定钽电解电容器
DS/EN 60099-4/A2:2009 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
DS/EN 60099-4/A1:2007 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
DS/EN 60099-4:2005 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
ECIA - Electronic Components Industry Association，关于赝 电容 氧化物的标准
EIA-60384-3-2014 电子设备用固定电容器“第3部分：分规范”二氧化锰固体电解质表面贴装固定钽电解电容器
EIA-60384-3-2017 电子设备用固定电容器 第3部分：分规范：采用二氧化锰固体电解质的表面贴装固定钽电解电容器
行业标准-电力，关于赝 电容 氧化物的标准
DL/T 1151.9-2012 火力发电厂垢和腐蚀产物分析方法.第 9部分：氧化钙和氧化镁的测定
DL/T 804-2002 交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
DL/T 804-2014 交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
DL/T 815-2012 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
DL/T 815-2002 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
DL/T 1432.3-2016 变电设备在线监测装置检验规范 第3部分：电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
DL/T 1498.3-2016 变电设备在线监测装置技术规范 第3部分:电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
DL/T 2145.2-2020 变电设备在线监测装置现场测试导则 第2部分：电容型设备与金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
TH-TISI，关于赝 电容 氧化物的标准
TIS 1546-1998 电源设备用磁性氧化物磁芯(ETD磁芯).尺寸
TIS 1902-2009 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范.带二氧化锰固体电解质的表面安装电解质钽固定电容器
TIS 2082-2009 电子设备用固定电容器.第4-2部分:空白详细规范.带固体(二氧化锰)电解质的铝电解固定电容器.评定水平EZ
US-GSA，关于赝 电容 氧化物的标准
GSA W-T-0051 C-1975 1/2英寸氧化物磁性电子数据处理纸带
法国标准化协会，关于赝 电容 氧化物的标准
NF S91-141:1990 牙齿植入物.牙科用合金的生物相容性.电化学试验的标准化
NF C52-310*NF EN 125100:1991 分规范：用于电感器应用的磁性氧化物磁芯
NF C93-112-3:2008 电子设备的固定电容器.第3部分:分规范:带有二氧化锰固体电解质的表面安装固定式钽电解电容器.
NF C93-112-3*NF EN 60384-3:2016 电子设备用固定电容器 第3部分：分规范：采用二氧化锰固体（MnO2）电解质的表面贴装固定钽电解电容器
NF EN 60455-3-2:2003 基于用作电绝缘体的树脂的反应性化合物 第3部分：特定材料的规范 表 2：填充二氧化硅的环氧树脂化合物
NF T60-273:2009 动物和植物的脂肪和油.过氧化值的测定.电势终点的测定
NF T60-273*NF EN ISO 27107:2010 动物和植物的脂肪和油 过氧化值的测定 电势终点的测定
NF C65-101/A1:2006 电涌放电器.第4部分:交流电系统用无火花隙的金属氧化物电涌放电器
NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 电涌放电器 第9部分：用于 HVDC 换流站的无间隙金属氧化物电涌放电器
行业标准-环保，关于赝 电容 氧化物的标准
HJ 693-2014 固定污染源废气 氮氧化物的测定 定电位电解法
欧洲电工标准化委员会，关于赝 电容 氧化物的标准
EN 60384-4:2016 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范.采用固体二氧化锰(MnO2)和非固体电解质的铝电解电容器
EN 60384-3:2006 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范采用二氧化锰固体电解质的表面安装固定的钽电解电容器
EN 60384-3:2016 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范采用二氧化锰固体电解质的表面安装固定的钽电解电容器
EN 60384-4:2007 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范.采用固体二氧化锰(MnO2)和非固体电解质的铝电解电容器［替代:CENELEC EN 130300］
日本工业标准调查会，关于赝 电容 氧化物的标准
JIS C 5101-4:2010 电子设备用固定电容器.第4部分:分规范.带固体(二氧化锰MnO2)和非固体电解质的铝电解质电容器
JIS C 5101-3:2010 电子设备用固定电容器.第3部分:分规范.带有二氧化锰固体电解质的表面安装固定式钽电解电容器.
JIS C 5101-4:2019 电子设备用固定电容器. 第4部分: 分规范. 带固体(二氧化锰MnO2)和非固体电解质的固定式铝电解质电容器
JIS R 1761:2016 固体氧化物燃料电池多孔陶瓷透气性测试方法
JIS C 8841-1:2011 小型固体氧化物燃料电池动力系统.第1部分:总则
JIS C 8842:2013 固体氧化物燃料电池(SOFC)用单个电池和堆叠电池的性能试验方法
JIS C 5101-4-2:2010 电子设备用固定电容器.第4-2部分:空白详细规范.带固体(二氧化锰MnO2)电解质的固定式铝电解质电容器.评估标准EZ
美国电子元器件、组件及材料协会，关于赝 电容 氧化物的标准
ECA EIA-60384-3-2014 电子设备用固定电容器 第3部分：分规范 带二氧化锰固体电解质的表面贴装固定钽电解电容器
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于赝 电容 氧化物的标准
QC 300800-2006 电子设备用固定电容器 第3部分：分规范：表面贴装二氧化锰固体电解质固定钽电解电容器（第 3 版；）
QC 300401/ZA 0002 IS 1.1-1989 详细规范：电子设备用环氧树脂浸渍电容器固定金属化聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜介电直流电容器评估等级 E
工业和信息化部/国家能源局，关于赝 电容 氧化物的标准
JB/T 8444-2014 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
SE-SIS，关于赝 电容 氧化物的标准
SIS SEN 04 05 56 电瓷的，电热和炉灶隔离装置，高火固定氧化物材料
欧洲标准化委员会，关于赝 电容 氧化物的标准
EN ISO 27107:2008 动物和植物的脂肪和油.过氧化值的测定.电势终点测量
EN ISO 27107:2010 动物和植物的脂肪和油.过氧化值的测定.电势终点测量
KR-KS，关于赝 电容 氧化物的标准
KS C IEC 60384-3-2018 电子设备中使用的固定电容器 - 第3部分:部分规格:表面贴装固体钽电解电容器与二氧化锰固体电解质
KS C IEC 60099-4-2021 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
AWS - American Welding Society，关于赝 电容 氧化物的标准
A5.12M/A5.12-2009 电弧焊和切割用钨和氧化物分散钨电极规范（第七版）
欧洲电工电子元器件标准，关于赝 电容 氧化物的标准
CECC 25 301- 007 UTE C 83-313-007 ED 1,电力应用磁性氧化物磁芯(法)
CECC 25 301- 008 UTE C 83-313-007 ED 1,电力应用磁性氧化物磁芯(法)
立陶宛标准局，关于赝 电容 氧化物的标准
LST EN 125100-2001 分项规范 用于电感器应用的磁性氧化物磁芯
LST EN 60384-3-2007 电子设备用固定电容器 第3部分：分规范：采用二氧化锰固体电解质的表面贴装固定钽电解电容器（IEC 60384-3:2006）
LST EN 60384-3-2007/AC-2009 电子设备用固定电容器 第3部分：分规范：采用二氧化锰固体电解质的表面贴装固定钽电解电容器（IEC 60384-3:2006）
江西省标准，关于赝 电容 氧化物的标准
DB36/T 688-2012 富钇氧化物及其金属化学分析方法 十五个稀土元素氧化物配分量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
行业标准-铁道，关于赝 电容 氧化物的标准
TB/T 1844-1987 25kV交流电气化铁道用无间隙金属氧化物避雷器技术条件
ES-UNE，关于赝 电容 氧化物的标准
UNE-EN 60099-9:2014 电涌放电器 第9部分：HVDC 换流站无间隙金属氧化物电涌放电器
UNE-EN 60099-4:2016 电涌放电器 第4部分：交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
UNE-EN 60384-3-1:2006 电子设备用固定电容器-第3-1部分：空白详细规范：二氧化锰固体电解质表面贴装固定钽电解电容器-评估等级EZ
CO-ICONTEC，关于赝 电容 氧化物的标准
ICONTEC 3221-1991 电子类．矿物绝缘油氧化作用稳定性的测量方法
ZA-SANS，关于赝 电容 氧化物的标准
SANS 60099-4:2007 电涌放电器．第4部分：交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
NRS 039-2-1999 配电系统用电涌放电器．第2部分：配电级无间隙金属氧化物电涌放电器
环球油品公司（美国），关于赝 电容 氧化物的标准
UOP 291-2013 通过微波消解和电位滴定法测定氧化铝和硅铝催化剂中的总氯化物
UOP 291-2015 通过微波消解和电位滴定法测定氧化铝和硅铝催化剂中的总氯化物
澳大利亚标准协会，关于赝 电容 氧化物的标准
AS 1307.2:1996 电涌放电器.第2部分:交流系统用无火花隙金属氧化物电涌放电器
行业标准-水电，关于赝 电容 氧化物的标准
SD 177-1986 3～500 kV交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
SD 176-1986 3～500 kV交流电力系统金属氧化物避雷器技术条件
美国采暖、制冷与空调工程师协会，关于赝 电容 氧化物的标准
ASHRAE NY-08-016-2008 楼宇基于固体氧化物燃料电池的热电联产系统的火用分析
国际电信联盟，关于赝 电容 氧化物的标准
ITU-T K.77-2009 用于电信装置保护的金属氧化物电阻片的特性.5号研究组
