本专题涉及光电子测量的标准有22条。
国际标准分类中，光电子测量涉及到分析化学、半导体分立器件、光纤通信、光电子学、激光设备、摄影技术。
在中国标准分类中，光电子测量涉及到基础标准与通用方法、化学、光电子器件综合、半导体光敏器件、照相机与照相器具。
国家质检总局，关于光电子测量的标准
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
国际标准化组织，关于光电子测量的标准
ISO 22581:2021 表面化学分析X射线光电子能谱测量扫描的近实时信息含碳化合物表面污染的识别和校正规则
ISO 14701:2018 表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 氧化硅厚度的测量
ISO 14701-2018 表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 氧化硅厚度的测量
ISO 16531-2013 表面化学分析.深度剖析.原子发射光谱(AES)和光电子能谱(XPS)中深度剖析用电流或电流密度的离子束校正和相关测量方法
ISO 14701:2011 表面化学分析——X射线光电子能谱；氧化硅厚度的测量
ISO 14701-2011 表面化学分析.X射线光电子能谱.二氧化硅厚度的测量
ISO 14524-1999 摄影 电子静物照相机 测量光电子转换功能(OECFs)方法
英国标准学会，关于光电子测量的标准
BS ISO 14701-2018 表面化学分析. X射线光电子能谱学. 二氧化硅厚度测量
BS ISO 16531-2013 表面化学分析.深度剖析.在光电子能谱(XPS)和原子发射光谱(AES)的深度剖析中离子束校准和电流或电流密度的相关测量用方法
BS ISO 16531-2013 表面化学分析.深度剖析.在光电子能谱(XPS)和原子发射光谱(AES)的深度剖析中离子束校准和电流或电流密度的相关测量用方法
BS ISO 14701-2011 表面化学分析.X射线光电子能谱学.二氧化硅厚度测量
BS ISO 14701-2011 表面化学分析.X射线光电子能谱学.二氧化硅厚度测量
BS ISO 14524-2000 摄影技术.电子静止图像摄影机.测量光电子转换功能方法
，关于光电子测量的标准
GOST R ISO 16243-2016 确保测量一致性的国家系统. 表面化学分析. X射线光电子能谱 (XPS) 的记录和报告数据
GOST R ISO 16243-2016 确保测量一致性的国家系统. 表面化学分析. X射线光电子能谱 (XPS) 的记录和报告数据
国际电工委员会，关于光电子测量的标准
IEC 60747-5-3-1997+AMD1-2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测量方法
IEC 60747-5-3:1997+AMD1:2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测量方法
IEC 60747-5-3-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法
IEC 60747-5-3:1997/AMD1:2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法
IEC 60747-5-3 AMD 1-2002 半导体分立器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法
行业标准-电子，关于光电子测量的标准
SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件.第2部分:测量方法
