本专题涉及硅的测量的标准有131条。
国际标准分类中，硅的测量涉及到金属材料试验、音频、视频和视听工程、半导体材料、长度和角度测量、分析化学、太阳能工程、绝缘流体、光纤通信、集成电路、微电子学、半导体分立器件、电子电信设备用机电元件、有色金属、燃料、金属矿、黑色金属、导体材料、无机化学、核能工程、无损检测、热力学和温度测量、光电子学、激光设备。
在中国标准分类中，硅的测量涉及到半金属及半导体材料分析方法、广播、电视发送与接收设备、元素半导体材料、基础标准与通用方法、半金属与半导体材料综合、基础标准与通用方法、物理电源、金属物理性能试验方法、半导体分立器件综合、金属无损检验方法、光通信设备、基础标准与通用方法、钢铁与铁合金分析方法、燃料油、重金属矿、电子技术专用材料、太阳能、重金属及其合金分析方法、微电路综合、光电子器件综合、水环境有毒害物质分析方法、轻金属及其合金、核材料、核燃料及其分析试验方法、铁矿、半金属、电容器、轻金属及其合金分析方法。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅的测量的标准
GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅的测量的标准
GB/T 34092-2017 地面数字电视硅调谐器技术要求和测量方法
国家质检总局，关于硅的测量的标准
GB/T 31854-2015 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法
GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 18210-2000 晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量
GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量经向变化测量方法
GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
国际电工委员会，关于硅的测量的标准
IEC TS 63202-4-2022 光伏电池.第4部分:晶体硅光伏电池的光和高温诱导退化的测量
IEC TS 63202-4:2022 光伏电池.第4部分:晶体硅光伏电池的光和高温诱导退化的测量
IEC 63202-1:2019 光伏电池第1部分:晶体硅光伏电池光致降解的测量
IEC 63202-1-2019 光伏电池第1部分:晶体硅光伏电池光致降解的测量
IEC 63011-3:2018 集成电路 - 三维集成电路 - 第3部分:通过硅通孔的模型和测量条件
IEC 63011-3-2018 集成电路 - 三维集成电路 - 第3部分:通过硅通孔的模型和测量条件
IEC 62047-25-2016 半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分:硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法
IEC 62047-25:2016 半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分:硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法
IEC 61829:1995 晶体硅光伏（PV）阵列 - 现场测量I-V特性
IEC 61829-1995 晶体硅光伏方阵 I-V特性现场测量
美国材料与试验协会，关于硅的测量的标准
ASTM E1614-94(2021) 工业用硅基光纤和电缆中电离辐射感应衰减测量程序的标准指南 遥远的 光纤光谱学 和宽带 系统
ASTM E1614-1994(2021) 远程光纤光谱和宽带系统用硅基光纤和光缆致电离辐射感应衰减测量程序的标准指南
ASTM D7757-2012 通过单色波长色散X射线荧光分光分度计测量汽油及相关产品中硅的标准试验方法
ASTM F980-2010 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南
ASTM F980-2010e1 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火的标准指南
ASTM F1845-2008 用高质量减少辉光放电质谱仪测量电子级铝铜、铝硅和铝铜硅中微量金属杂质的标准试验方法
ASTM E1614-94(2004) 远程光纤光谱和宽带系统用硅基光纤和电缆中电离辐射诱导衰减测量程序的标准指南
ASTM D4517-2004(2009) 用无焰原子吸收光谱法测量高纯度水中低量硅总量的标准试验方法
ASTM D4517-2004 用无焰原子吸收光谱法测量高纯度水中低量硅总量的标准试验方法
ASTM F576-00 用椭圆偏振法测量硅衬底上绝缘体厚度和折射率的标准试验方法
ASTM E247-2001(2005) 用重量测量法测定锰矿石,铁矿石和相关原料中硅含量的标准试验方法
ASTM E247-2001 用重量测量法测定锰矿石,铁矿石和相关原料中硅含量的标准试验方法
ASTM F1527-00 测量硅电阻率仪器校准和控制用硅标准参考材料和参考晶片的应用指南
ASTM F1392-2000 用带汞探针的容量-电压测量法测定硅晶片中净载流子密度分布的标准试验方法
ASTM F576-2000 用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的标准试验方法
ASTM E1614-94(1999) 远程光纤光谱和宽带系统用硅基光纤和电缆中电离辐射诱导衰减测量程序的标准指南
ASTM F1617-98 用二次离子质谱法测量硅和外延衬底上表面钠铝钾铁的标准试验方法
ASTM F1845-1997(2002) 用高质量减少辉光放电质谱仪测量电子级铝铜、铝硅和铝铜硅中微量金属杂质的标准试验方法
ASTM F1845-1997 用高质量减少辉光放电质谱仪测量电子级铝铜、铝硅和铝铜硅中微量金属杂质的标准试验方法
ASTM F1390-1997 自动非接触式扫描法测量硅晶片翅曲度的试验方法
ASTM F980M-96(2003) 硅半导体器件中子诱导位移损伤快速退火的测量标准指南[公制]
ASTM F980M-96 硅半导体器件中子诱导位移损伤快速退火的测量标准指南[公制]
ASTM F391-1996 通过测量稳态硅表面光致电压确定非本征半导体中少数载流子扩散长度的标准试验方法
ASTM F980M-1996 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
ASTM E247-1996 用重量测量法测定锰矿石,铁矿石和相关原料中硅含量的标准试验方法
ASTM F980M-1996(2003) 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
ASTM E1614-1994(2013) 远程光纤光谱和宽带系统用硅基光纤和光缆致电离辐射感应衰减测量程序的标准指南
ASTM E1614-1994(2004) 用于远距离光纤光谱测定和宽带系统的硅基光纤和光缆电离辐射感应衰减测量程序的标准导则
ASTM E1614-1994(1999) 远程光纤光谱和宽带系统用硅基光纤光缆中的电离辐射感应衰减测量程序的标准指南
ASTM F1366-92(1997)e1 用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中氧浓度的标准试验方法
ASTM F980-92 硅半导体器件中子诱发位移损伤的快速退火测量指南
ASTM F1153-92(1997) 用电容电压测量表征金属氧化物硅（MOS）结构的标准试验方法
ASTM F1366-1992(1997)e1 用次级离子质谱仪测量重掺杂硅基底中氧含量的测试方法
ASTM F1153-1992(1997) 用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
ASTM F672-1988(1995)e1 用分布电阻探头测量硅晶片垂直于表面的纵断面电阻率的标准试验方法
工业和信息化部，关于硅的测量的标准
SJ/T 11707-2018 硅通孔几何测量术语
德国标准化学会，关于硅的测量的标准
DIN EN 62047-25-2017 半导体器件. 微型机电装置. 第25部分: 硅基MEMS制造技术. 微键合区拉压和剪切强度的测量方法(IEC 62047-25-2016); 德文版本EN 62047-25-2016
DIN V VDE V 0126-18-6-2007 太阳能硅片.第6部分:光电器件用硅中代位碳原子和间隙氧含量的测量方法
DIN V VDE V 0126-18-4-2-2007 太阳能硅片.第4-2部分:硅电气特性的测量程序.实验室测量法测定少数载流子寿命
DIN EN 61829-1999 晶硅光电(PV)矩阵.I-V特性的现场测量
DIN 50438-1-1995 半导体工艺材料检验.用红外吸收法测量硅的杂质含量.第1部分:氧
DIN 50438-2-1982 半导体工艺材料的检验.第2部分:用红外线吸收法测量硅中杂质含量.碳
DIN 50437-1979 半导体无机材料的试验.用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
英国标准学会，关于硅的测量的标准
BS EN 62047-25-2016 半导体器件. 微型机电装置. 硅基MEMS制造技术. 微键合区拉压和剪切强度的测量方法
BS EN 62047-25-2016 半导体器件. 微型机电装置. 硅基MEMS制造技术. 微键合区拉压和剪切强度的测量方法
BS EN 61829-1998 晶硅光电(PV)矩阵.I-V特性现场测量
BS 6200 SubSec.3.10.4-1985 铁、钢和其他黑色金属的抽样与分析法.第3部分:分析方法.第10节:铬的测定.第4小节:铁铬合金和铁硅铬合金:电位差计测量法
BS 3907-11-1970 镁和镁合金分析方法.第11部分:硅含量测定(光度测量法)
BS 3727-11-1965 电子管和电子阀用镍的分析方法.第11部分:0.001-0.020％硅含量测定(光度测量法)
BS 3727-10-1964 电子管和电子阀用镍的分析方法.第10部分:0.020-0.25％硅含量测定(光度测量法)
BS 1748-7-1960 铜合金分析方法.第7部分:铜合金中硅的测定方法(光度测量法)
，关于硅的测量的标准
NBN I-915-1968 绿色铬涂料．颜料中非溶解性硫酸钡和硫酸硅含量的测量
行业标准-电子，关于硅的测量的标准
SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
韩国标准，关于硅的测量的标准
KS D 1830-1-2012 硅锰合金的化学分析方法.第1部分:锰含量的测量
KS D 1830-1-2012 硅锰合金的化学分析方法.第1部分:锰含量的测量
KS D 2075-3-2012 铁硼的分析方法.第1部分:硅含量的测量方法
KS D 2075-3-2012 铁硼的分析方法.第1部分:硅含量的测量方法
KS E ISO 6607-2011 铝矿石.硅的总含量的测定.重量和分光光度测量综合法
KS E ISO 6607-2011 铝矿石.硅的总含量的测定.重量和分光光度测量综合法
KS B ISO TR 17055-2008 钢.硅含量测定.感应耦合等离子体原子发射光谱测量法
KS B ISO TR 17055-2008 钢.硅含量测定.感应耦合等离子体原子发射光谱测量法
KS C IEC 61829-2005 晶体硅光伏方阵.I.V特性现场测量
美国国防后勤局，关于硅的测量的标准
DLA SMD-5962-88630 REV F-2008 单片硅测量放大器的线性微电路技术规范
DLA SMD-5962-87657 REV C-2006 硅单块 带自动测量调整装置,带自动测量调整装置的射频或中频增强器,双极直线型微型电路
法国标准化协会，关于硅的测量的标准
NF A06-841-11-2006 锌及锌合金.化学分析.第11部分:锌合金中硅的测定.分光光度测量法
NF A03-301-2002 铸件.图像分析用平均截线的测量.硅含量5%-11%的铝铸件
NF C57-108-2000 晶体硅光电(PV)阵列.I-V 特性现场测量
NF C57-104-1995 晶体硅光电元器件 I-V 特性测量用温度和辐照度的修正程序
行业标准-核工业，关于硅的测量的标准
EJ/T 1141-2002 铀三硅二-铝燃料板包壳厚度测量.相敏涡流法
国际标准化组织，关于硅的测量的标准
ISO/TTA 4:2002 测量硅衬底上薄膜的导热率
ISO/TTA 4-2002 硅基质上薄膜导热性的测量
ISO/TR 17055-2002 钢.硅含量测定.感应耦合等离子体原子发射光谱测量法
欧洲电工标准化委员会，关于硅的测量的标准
EN 61829-1998 晶体硅光伏(PV)方阵现场测量IV特性 IEC 61829:1995
台湾地方标准，关于硅的测量的标准
CNS 13213-1993 对硅晶光电组件之电流电压特性测量值做温度与辐射校正之程序
行业标准-有色金属，关于硅的测量的标准
YS/T 14-1991 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
丹麦标准化协会，关于硅的测量的标准
DS/EN 24829-2-1991 钢和铸铁.总硅含量测定.分光光度测量法(还原硅酸钼). 第一部分:硅含量为0.01%和0.05之间
DS/EN 24829-1-1991 钢和铸铁.总硅含量测定.分光光度测量法(还原硅酸钼). 第一部分:硅含量为0.05%和1%之间
澳大利亚标准协会，关于硅的测量的标准
AS ISO 17560-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
AS ISO 14237-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度
AS 3719.2-1998 铝和铝合金．硅的测定．重力测量法
AS 3719.2-1998 铝和铝合金．硅的测定．重力测量法
AS ISO 14237-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度
AS ISO 17560-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
