本专题涉及硅钛键的标准有25条。
国际标准分类中，硅钛键涉及到集成电路、微电子学、半导体材料、电线和电缆、半导体分立器件、电子电信设备用机电元件。
在中国标准分类中，硅钛键涉及到微电路综合、半金属、半导体分立器件综合、轻金属及其合金、半导体集成电路。
国家质检总局，关于硅钛键的标准
GB/T 32816-2016 硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术.微键合区剪切和拉压强度检测方法
GB/T 8646-1998 半导体键合铝-1%硅细丝
美国材料与试验协会，关于硅钛键的标准
ASTM F487-13(2018) 细铝标准规范&x2013；1 ；%半导体引线键合用硅线
ASTM F487-13 细铝标准规范&x2013；1 ；%半导体引线键合用硅线
德国标准化学会，关于硅钛键的标准
DIN EN 62047-25-2017 半导体器件. 微型机电装置. 第25部分: 硅基MEMS制造技术. 微键合区拉压和剪切强度的测量方法(IEC 62047-25-2016); 德文版本EN 62047-25-2016
英国标准学会，关于硅钛键的标准
BS EN 62047-25-2016 半导体器件. 微型机电装置. 硅基MEMS制造技术. 微键合区拉压和剪切强度的测量方法
BS EN 62047-25-2016 半导体器件. 微型机电装置. 硅基MEMS制造技术. 微键合区拉压和剪切强度的测量方法
工业和信息化部，关于硅钛键的标准
YS/T 543-2015 半导体键合用铝-1%硅细丝
行业标准-有色金属，关于硅钛键的标准
YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝
美国国防后勤局，关于硅钛键的标准
DLA SMD-5962-89950 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有同步复位清除键的双重负边缘触发型JK触发器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90582 REV A-2006 硅单片,装有复位键及微波计时器的升值/降值计数器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
DLA SMD-5962-89668 REV B-2006 硅单片,装有同步复位键的同步8位增值降值计数器,改进型肖特基TTL双极数字微型电路
DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的六位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89701 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的四重D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 硅单片装有复位键的六位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 硅单片,装有复位清除键的D型双重正边沿触发的触发器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
DLA SMD-5962-84128 REV C-2005 硅单片装有允许键的8输入数字选择器/多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89700 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的可再触发单稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 硅单片装有复位键的D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 硅单片装有复位键D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 硅单片装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 硅单片装有置位复位键的J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93176 REV A-1994 硅单片,装有复位键的低失真时钟驱动器,数字微型电路
