本专题涉及互补高性能金属氧化物半导体结构可擦可的标准有3条。
国际标准分类中,互补高性能金属氧化物半导体结构可擦可涉及到集成电路、微电子学。
在中国标准分类中,互补高性能金属氧化物半导体结构可擦可涉及到半导体集成电路。
美国国防后勤局,关于互补高性能金属氧化物半导体结构可擦可的标准
DLA SMD-5962-91697 REV E-2008 数字单硅片微电路,由互补高性能金属氧化物半导体结构组成,带单芯片8比特微控制器并配有32字节的可擦可编程只读存储器
DLA SMD-5962-91576 REV C-2006 硅单块 带8比特可擦与可编程只读存储的互补高性能金属氧化物半导体结构微控制器,数字微型电路
DLA SMD-5962-91697 REV D-2003 硅单块 带32K比特可擦除可编程只读存储器的8比特微控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构单芯片,数字微型电路





