本专题涉及硅的红外峰的标准有19条。
国际标准分类中，硅的红外峰涉及到半导体材料、金属材料试验、有色金属、绝缘流体、长度和角度测量、光电子学、激光设备。
在中国标准分类中，硅的红外峰涉及到元素半导体材料、半金属及半导体材料分析方法、轻金属及其合金分析方法、半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、半导体分立器件综合、、红外器件。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅的红外峰的标准
GB/T 40561-2021 光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
GB/T 40566-2021 流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
GB/T 38976-2020 硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法
GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
国家质检总局，关于硅的红外峰的标准
GB/T 32573-2016 硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
GB/T 14849.6-2014 工业硅化学分析方法 第6部分:碳含量的测定 红外吸收法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
中国团体标准，关于硅的红外峰的标准
T/HIS 002-2022 硅基红外气体传感器
工业和信息化部，关于硅的红外峰的标准
YS/T 1509.2-2021 硅碳复合负极材料化学分析方法 第2部分：碳含量的测定 高频加热红外吸收法
云南省地方标准，关于硅的红外峰的标准
DB53/T 749-2016 工业硅粉水分的测定 红外加热法
行业标准-电子，关于硅的红外峰的标准
SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
SJ 20830-2002 铂硅红外焦平面探测器杜瓦组件.通用规范
德国标准化学会，关于硅的红外峰的标准
DIN 50438-1-1995 半导体工艺材料检验.用红外吸收法测量硅的杂质含量.第1部分:氧
