本专题涉及光电子器件芯的标准有139条。
国际标准分类中，光电子器件芯涉及到光电子学、激光设备、光纤通信、质量、半导体分立器件、机械安全、特殊工作条件下用电气设备、职业安全、工业卫生、电子显示器件、集成电路、微电子学。
在中国标准分类中，光电子器件芯涉及到半导体发光器件、激光器件、载波通信设备、光电子器件综合、半导体光敏器件、红外器件、半导体分立器件综合、安全控制技术、基础标准与通用方法、卫生、安全、劳动保护、电气设备与器具综合、半导体集成电路、光通信设备、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、电力半导体器件、部件、机床综合、敏感元器件及传感器。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于光电子器件芯的标准
GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
国家质检总局，关于光电子器件芯的标准
GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
GB/T 21194-2007 通信设备用的光电子器件的可靠性通用要求
GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分;光电子器件测试方法
GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分;光电子器件基本额定值和特性
GB/T 15651.2-2003/IEC 60747-5-2:1997 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性
GB/T 18904.5-2003 半导体器件 第12-5部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范
GB/T 18904.2-2002 半导体器件 第12-2部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范
GB/T 18904.4-2002 半导体器件 第12-4部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin-FET模块空白详细规范
GB/T 18904.3-2002 半导体器件 第12-3部分;光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范
GB/T 18904.1-2002 半导体器件 第12-1部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用)
GB 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于光电子器件芯的标准
GB/T 15651.4-2017 半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器
GB/T 33768-2017 通信用光电子器件可靠性试验方法
国际电工委员会，关于光电子器件芯的标准
IEC 60747-5-16-2023 半导体器件.第5-16部分:光电子器件.发光二极管.基于光电流光谱的GaN基发光二极管的平带电压的试验方法
IEC 60747-5-4:2022 半导体器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器
IEC 60747-5-4-2022 半导体器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器
IEC 60747-5-14:2022 半导体器件第5-14部分:光电子器件发光二极管基于热反射法的表面温度试验方法
IEC 60747-5-14-2022 半导体器件第5-14部分:光电子器件发光二极管基于热反射法的表面温度试验方法
IEC 60747-5-15:2022 半导体器件第5-15部分:光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法
IEC 60747-5-15-2022 半导体器件第5-15部分:光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法
IEC TR 60747-5-12-2021 半导体器件第5-12部分:光电子器件发光二极管LED效率的试验方法
IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件第5-12部分:光电子器件发光二极管LED效率的试验方法
IEC 60747-5-6-2021 RLV 半导体器件第5-6部分:光电子器件发光二极管
IEC 60747-5-6-2021 半导体器件 - 第5-6部分:光电子器件 - 发光二极管
IEC 60747-5-6:2021 RLV 半导体器件第5-6部分:光电子器件发光二极管
IEC 60747-5-5:2020 半导体器件第5-5部分:光电子器件光电耦合器
IEC 60747-5-5-2020 半导体器件第5-5部分:光电子器件光电耦合器
IEC 60747-5-9:2019 半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法
IEC 60747-5-10:2019 半导体器件第5-10部分:光电子器件发光二极管基于室温基准点的内部量子效率试验方法
IEC 60747-5-11-2019 半导体器件第5-11部分:光电子器件发光二极管发光二极管辐射电流和非辐射电流的试验方法
IEC 60747-5-9-2019 半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法
IEC 60747-5-10-2019 半导体器件第5-10部分:光电子器件发光二极管基于室温基准点的内部量子效率试验方法
IEC 60747-5-11:2019 半导体器件第5-11部分:光电子器件发光二极管发光二极管辐射电流和非辐射电流的试验方法
IEC 60747-5-8-2019 半导体器件第5-8部分:光电子器件发光二极管发光二极管光电效率试验方法
IEC 60747-5-8:2019 半导体器件第5-8部分:光电子器件发光二极管发光二极管光电效率试验方法
IEC 60747-5-6-2016 半导体器件 - 第5-6部分:光电子器件 - 发光二极管
IEC 62007-1-2015 用于光纤系统应用的半导体光电子器件 - 第1部分:基本等级和特性的规范模板
IEC 60747-5-5-2007/AMD1-2013 修改件1.半导体器件.分立器件.第5-5部分:光电子器件.光电耦合器
IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 修改件1.半导体器件.分立器件.第5-5部分:光电子器件.光电耦合器
IEC 61496-2:2013 机械安全性.电敏保护设备.第2部分:使用有源光电子保护器件设备(AOPDs)的详细要求
IEC 60747-5-2:1997+AMD1:2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性
IEC 60747-5-3-1997+AMD1-2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测量方法
IEC 60747-5-3:1997+AMD1:2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测量方法
IEC 60747-5-2-1997+AMD1-2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性
IEC 62007-1-2008 用于光纤系统应用的半导体光电子器件 - 第1部分:基本等级和特性的规范模板
IEC 61496-3:2008 机械安全.电敏保护设备.第3部分:有源光电子保护器件对漫反射响应(AOPDDR)的特殊要求
IEC 61496-2:2006 机械的安全.电敏保护设备.第2部分:使用有源光电子保护器件的设备的特殊要求
IEC 60747-5-1-1997+AMD1-2001+AMD2-2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-1部分:光电子器件总则
IEC 60747-5-1:1997+AMD1:2001+AMD2:2002 CSV 分立半导体器件和集成电路第5-1部分:光电子器件总则
IEC 60747-5-1 Edition 1.2:2002 半导体分立器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则
IEC 60747-5-1-1997/AMD2-2002 修改件2.分立半导体器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则
IEC 60747-5-2:1997/AMD1:2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基本额定值和特性
IEC 60747-5-2-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基本额定值和特性
IEC 60747-5-3-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法
IEC 60747-5-1:1997/AMD2:2002 修改件2.分立半导体器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则
IEC 60747-5-3:1997/AMD1:2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法
IEC 60747-5-2 AMD 1:2002 半导体分立器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基础额定值及特性
IEC 60747-5-3 AMD 1:2002 半导体分立器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法
IEC 60747-5-1 AMD 2:2002 半导体分立器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则
IEC 60747-5-1-1997/AMD1-2001 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则
IEC 60747-5-1:1997/AMD1:2001 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则
IEC 60747-5-1 AMD 1:2001 半导体分立器件和集成电路 第5-1部分:光电子器件 总规范 修改1
IEC 60747-12-3:1998 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范
IEC 60747-5-2-1997 分立半导体器件和集成电路 - 第5-2部分:光电子器件 - 基本等级和特性
IEC 60747-5-2:1997 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性
IEC 60747-5-3:1997 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法
IEC 60747-5-1:1997 半导体分立器件和集成电路 第5-1部分:光电子器件 总规范
IEC 60747-12-4:1997 半导体器件 第12-4部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的PIN-FET模块空白详细规格
IEC 60747-12-6:1997 半导体器件 第12-6部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的雪崩光电二极管空白详细规范
IEC 60747-12-5:1997 半导体器件 第12-5部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的PIN光电二极管空白详细规范
IEC 60747-12-1:1995 半导体器件 第12部分:光电子器件 第2节:纤维光学系统和子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
IEC 60747-12-2:1995 半导体器件 第12部分:光电子器件 第2节:纤维光学系统和子系统带尾纤的激光二极管模块空白详细规范
IEC 60747-5:1992 半导体器件.分立器件和集成电路.第5部分:光电子器件
，关于光电子器件芯的标准
CSN 35 8804 Za-1989 修订a．8 / 1989 捷克国家标准35 8804 * / ST SEV 3992-83设备的半导体光电子器件．通用技术条件
CSN 35 8851-1987 半导体光电子器件．参数的术语；定义和字母符号
CSN 35 8804-1985 广泛使用的设备的半导体光电子器件．一般规范
日本工业标准调查会，关于光电子器件芯的标准
JIS B9704-2-2017 机械的安全.电敏保护设备.第2部分:使用有源光电子保护器件(AOPDs)设备的特殊要求
JIS B9704-2-2008 机械的安全.电敏保护设备.第2部分:使用有源光电子保护器件(AOPDs)设备的特殊要求
立陶宛标准局，关于光电子器件芯的标准
LST EN 62007-1-2015 用于光纤系统的半导体光电子器件. 第1部分: 基本特性和额定值的规范模板(IEC 62007-1-2015)
英国标准学会，关于光电子器件芯的标准
BS EN 62007-1-2015 光纤系统用半导体光电子器件.基本等级和特性的规范模板
BS EN 61496-2-2014 机械安全性.电敏防护设备.使用有源光电子保护器件设备(AOPDs)的详细要求
BS EN 61496-2-2013 机械安全性.电敏防护设备.使用有源光电子保护器件设备(AOPDs)的详细要求
BS EN 62007-1-2009 光纤系统用半导体光电子器件.基本等级和特性的规范模板
BS EN 61496-3-2001 机械安全性.电敏防护设备.防漫反射有源光电子保护器件专门要求
BS EN 120000-1996 电子元器件质量评定协调体系.光电子和液晶半导体器件总规范
BS 6493 Sec.1.5-1992 半导体器件.第1部分:分立器件.第5节:光电子器件推荐规范
德国标准化学会，关于光电子器件芯的标准
DIN EN 61496-2-2014 机械的安全性.电敏保护设备.第2部分:使用有源光电子保护器件(AOPDs)的设备用特殊要求
DIN CLC/TS 61496-2-2008 机械的安全性.电敏保护设备.第2部分:使用有源光电子保护器件(AOPDs)的设备用特殊要求
国家军用标准-总装备部，关于光电子器件芯的标准
GJB 8119-2013 半导体光电子器件通用规范
GJB 33/16-2011 半导体光电子器件.3DU32型半导体光敏晶体管详细规范
GJB 33/23-2011 半导体光电子器件.GH3201Z-4型光电耦合器详细规范
GJB 33/19-2011 半导体光电子器件.GH302-4型光电耦合器详细规范
GJB 33/15-2011 半导体光电子器件.BT401型半导体红外发射二极管详细规范
GJB 33/21-2011 半导体光电子器件.GD310A系列光电耦合器详细规范
GJB 33/18-2011 半导体光电子器件.GO417型双向半导体光电耦合模拟开关详细规范
GJB 33/22-2011 半导体光电子器件.GO103型光电耦合器详细规范
GJB 33/20-2011 半导体光电子器件.GH302型光电耦合器详细规范
GJB 33/17-2011 半导体光电子器件.GO11型半导体光电耦合器详细规范
行业标准-邮电通信，关于光电子器件芯的标准
YD/T 2001.2-2011 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法
YD/T 2342-2011 通信用光电子器件可靠性试验方法
YD/T 2001.1-2009 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分:基本特性和额定值
行业标准-电子，关于光电子器件芯的标准
SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件.第2部分:测量方法
SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
SJ 53930/1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范
SJ 20644.2-2001 半导体光电子器件 GD101型PIN光电二极管详细规范
SJ 20644.1-2001 半导体光电子器件 GD3550Y型PIN光电二极管详细规范
SJ 50033/143-1999 半导体光电子器件.GF1120型红色发光二极管详细规范
SJ 50033/142-1999 半导体光电子器件.GF4112型绿色发光二极管详细规范
SJ 50033/138-1998 半导体光电子器件.GF318型黄色发光二极管详细规范
SJ 50033/139-1998 半导体光电子器件.GF4111型绿色发光二极管详细规范
SJ 50033/136-1997 半导体光电子器件.GF116型红色发光二极管详细规范
SJ 50033/137-1997 半导体光电子器件.GF216型橙色发光二极管详细规范
SJ 50033/111-1996 半导体光电子器件GTI6型硅NPN光电晶体管详细规范
SJ 50033/113-1996 半导体光电子器件.GD3252Y型光电二极管详细规范
SJ 50033/109-1996 半导体光电子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管.详细规范
SJ 50033/112-1996 半导体光电子器件.GD3251Y型光电二极管详细规范
SJ 50033/114-1996 半导体光电子器件.GD3283Y型位敏探测器详细规范
SJ 50033/110-1996 半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范
SJ 50033/99-1995 半导体光电子器件.GF511型橙/绿双色发光二极管详细规范
SJ 50033/58-1995 半导体光电子器件GF413型绿色发光二极管详细规范
SJ 2247-1982 半导体光电子器件外形尺寸
SJ 50033/57-1995 半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范
SJ 50033/140-1999 半导体光电子器件 3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
欧洲标准化委员会，关于光电子器件芯的标准
CLC/TS 61496-3-2008 机械安全性.电敏保护设备.第3部分:防漫反射有源光电子保护器件的特殊要求(AOPDDR)
EN 60747-5-1-2001 半导体分立器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则.(包括修改件A1-2002 + A2-2002) (IEC 60747-5-1-1997 + A1-2001 + A2-2002)
欧洲电工标准化委员会，关于光电子器件芯的标准
CLC/TS 61496-2-2006 机械安全性.电感防护设备.第2部分:使用有源光电子保护器件的设备的特殊要求
韩国标准，关于光电子器件芯的标准
KS C IEC 60747-5:2004 半导体分立器件和集成电路第5部分:光电子器件
KS C IEC 60747-5-2:2004 半导体分立器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基本额定值及特性
KS C IEC 60747-5-3:2004 半导体分立器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测试方法
KS C IEC 60747-5-1:2004 半导体分立器件和集成电路第5-1部分:光电子器件总规范
KS C IEC 61496-3:2004 机械安全性.电敏防护设备.第3部分:对漫反射敏感的有源光电子保护器件的特殊要求
丹麦标准化协会，关于光电子器件芯的标准
DS/IEC 747-5:1986 半导体器件.分立器件.第5部分:光电子器件
