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硅测试检测

本专题涉及硅 测试的标准有92条。

国际标准分类中,硅 测试涉及到金属材料试验、玻璃、半导体材料、太阳能工程、绝缘流体、辐射测量、建筑材料、电子元器件综合、橡胶和塑料工业的生产工艺、集成电路、微电子学、化工产品、燃料、电工器件、环境保护、金属矿、有色金属、光电子学、激光设备、电学、磁学、电和磁的测量、无线通信、半导体分立器件、粉末冶金、涂料配料、电池和蓄电池、整流器、转换器、稳压电源。

在中国标准分类中,硅 测试涉及到金属物理性能试验方法、半金属及半导体材料分析方法、特种玻璃、元素半导体材料、太阳能、半金属与半导体材料综合、半金属、金相检验方法、、、、、、、电力半导体器件、部件、环境保护设备、物理电源、电工绝缘材料及其制品、贵金属及其合金、半导体集成电路、半导体发光器件、混凝土、集料、灰浆、砂浆、广播、电视发送与接收设备、电子元件综合、半导体分立器件综合、基础标准与通用方法、颜料基础标准与通用方法、半导体二极管、半导体整流器件、电子技术专用材料、半导体三极管。


国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于硅 测试的标准

GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法

GB/T 38976-2020 硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法

GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T 37240-2018 晶体硅光伏组件盖板玻璃透光性能测试评价方法

国家质检总局,关于硅 测试的标准

GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法

GB/T 32277-2015 硅的仪器中子活化分析测试方法

GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

GB/T 6495.11-2016 光伏器件 第11部分:晶体硅太阳电池初始光致衰减测试方法

GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法

GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法

中国团体标准,关于硅 测试的标准

T/CPIA 0041-2022 晶体硅光伏电池热辅助光致衰减测试方法

T/CSTM 00461-2022 晶体硅光伏电池电极剥离强度测试方法

T/CSTM 00465-2022 晶体硅光伏电池湿热衰减测试方法

T/CSTM 00464-2022 晶体硅光伏组件室内热斑耐久性测试

T/CESA 1186-2022 电子封装用二氧化硅微粉表面硅羟基含量测试方法 酸碱滴定法

T/CEC 536-2021 晶体硅光伏组件加严序列测试方法

T/FSI 049-2020 气相二氧化硅表面硅羟基含量测试方法

T/CPIA 0020-2020 晶体硅光伏电池电致发光测试方法

T/CSPSTC 25-2019 硅基薄膜光伏组件光致衰减测试方法

T/CPIA 0009-2019 电致发光成像测试晶体硅光伏组件缺陷的方法

T/CSIQ 8012-2018 晶硅光伏组件测试方法和评分准则

国际电工委员会,关于硅 测试的标准

IEC 61215-1-1-2021 地面光伏(Pv)模块 - 设计鉴定和型式认证 - 第1-1部分:晶体硅光伏(Pv)模块测试的特殊要求

IEC 61215-1-1:2016 地面光伏(Pv)模块 - 设计鉴定和型式认证 - 第1-1部分:晶体硅光伏(Pv)模块测试的特殊要求

IEC 61215-1-1-2016 地面光伏(Pv)模块 - 设计鉴定和型式认证 - 第1-1部分:晶体硅光伏(Pv)模块测试的特殊要求

美国材料与试验协会,关于硅 测试的标准

ASTM E1249-15(2021) 使用Co-60源的硅电子器件的辐射硬度测试中最小化剂量误差的标准实践

ASTM D5282-05(2020) 建筑材料与用于电绝缘的硅树脂相容性的标准测试方法

ASTM E1250-15(2020) 电子元件应用评估硅电子器件辐射硬度测试中使用的钴-60型辐射器的低能伽马元件的标准测试方法

ASTM E1855-20 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法

ASTM D6130-11(2018) 通过电感耦合等离子体原子发射光谱测定发动机冷却液中的硅和其他元素的标准测试方法

ASTM D5184-12(2017) 通过灰化 融合 电感耦合等离子体原子发射光谱法和原子吸收光谱法测定燃料油中铝和硅的标准测试方法

ASTM E463-14a 通过硅钼酸盐可见分光光度法测定荧光体中二氧化硅的标准测试方法

ASTM E1250-10 电子元件应用评估硅电子器件辐射硬度测试中使用的钴-60型辐射器的低能伽马元件的标准测试方法

ASTM D5184-00 通过灰化 融合 电感耦合等离子体原子发射光谱法和原子吸收光谱法测定燃料油中铝和硅的标准测试方法

ASTM F374-00a 用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法

ASTM F1366-92(1997)e1 用次级离子质谱仪测量重掺杂硅基底中氧含量的测试方法

ASTM F1393-92(1997) 用带汞探针的铣床回授靠模工具机测量器测定硅中净载流子密度的测试方法

ASTM D1844-86(2003) 碱式硅铬酸铅的化学分析测试方法

国家能源局,关于硅 测试的标准

NB/T 42104.2-2016 地面用晶体硅光伏组件环境适应性测试要求 第2部分:干热气候条件

NB/T 42104.3-2016 地面用晶体硅光伏组件环境适应性测试要求 第3部分:湿热气候条件

NB/T 42104.1-2016 地面用晶体硅光伏组件环境适应性测试要求 第1部分:一般气候条件

NB/T 42104.4-2016 地面用晶体硅光伏组件环境适应性测试要求 第4部分:高原气候条件

工业和信息化部/国家能源局,关于硅 测试的标准

JB/T 12906-2016 硅铁矿热炉余热回收利用成套设备性能测试方法

工业和信息化部,关于硅 测试的标准

SJ/T 11572-2016 运输环境下晶体硅光伏组件机械振动测试方法

行业标准-有色金属,关于硅 测试的标准

YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法

,关于硅 测试的标准

MSZ 12590/4-1970 镁综合测试.硅含量测定

美国国防后勤局,关于硅 测试的标准

DLA SMD-5962-91725 REV A-2008 单片硅三相输出扫描测试装置带8D型锁存器双极CMOS数字微电路

DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的寄存的总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的18位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路

DLA SMD-5962-95614-1995 先进双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线无线电收发机扫描测试装置,三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

DLA SMD-5962-91746-1994 硅单块 倒转三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91726-1994 硅单块 三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

行业标准-兵工民品,关于硅 测试的标准

WJ 2100-2004 硅光电二极管、硅雪崩光电二极管测试方法

印度尼西亚标准,关于硅 测试的标准

SNI 06-6695-2002 碱石灰和硼硅玻璃. 化学分析的测试方法

日本工业标准调查会,关于硅 测试的标准

JIS A1145-2001 用化学方法测试集料碱硅反应性的试验方法

JIS A1146-2001 用灰浆棒法测试集料碱硅反应性的试验方法

JIS H0602-1995 用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法

JIS A1146 ERRATUM 1-2001 用灰浆棒法测试集料碱硅反应性的试验方法(勘误1)

行业标准-电子,关于硅 测试的标准

SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针.测试方法

SJ/T 2196-1982 地面用硅太阳电池电性能测试方法

SJ 2141-1982 硅稳流二极管击穿电压的测试方法

SJ 2140-1982 硅稳流二极管极限电压的测试方法

SJ 2139-1982 硅稳流二极管动态阻抗的测试方法

SJ 2142-1982 硅稳流二极管电流温度系数的测试方法

SJ 2137-1982 硅稳流二极管测试方法.总则

SJ 2138-1982 硅稳流二极管稳定电流的测试方法

SJ 1790-1981 5A以下硅单相桥式整流器.电流过载倍数的测试方法

SJ 1789-1981 5A以下硅单相桥式整流器.最高工作频率的测试方法

SJ 1788-1981 5A以下硅单相桥式整流器.工作结温的测试方法

SJ 1791-1981 5A以下硅单相桥式整流器.绝缘强度的测试方法

SJ 1785-1981 5A以下硅单相桥式整流器.测试方法总则

SJ 1786-1981 5A以下硅单相桥式整流器.正向压降的测试方法

SJ 1787-1981 5A以下硅单相桥式整流器.额定反向工作峰值电压及反向电流的测试方法

SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)

SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法

SJ 2148-1982 硅稳流三极管动态阻抗的测试方法

行业标准-航天,关于硅 测试的标准

QJ 2291-1992 太阳敏感器用硅光电池及其组合件测试规范

荣誉资质

旗下实验室已通过CMA、CNAS、ISO等多项资质认证,检测能力经权威部门评审认定,为检测数据的专业性与权威性提供坚实保障。

CMA检验检测机构资质认定证书
CMA检验检测机构资质认定证书
CNAS实验室认可证书
CNAS实验室认可证书
ISO管理体系认证证书
ISO管理体系认证证书
高新技术企业证书
高新技术企业证书

精密仪器设备

研究所配备电感耦合等离子体质谱仪、气相色谱-质谱联用仪、高效液相色谱仪、扫描电子显微镜等各类精密仪器设备1000+台(套),覆盖光谱、色谱、质谱、力学、环境可靠性等多个检测方向。所有仪器均依法检定校准、量值溯源可靠,为检测数据的准确性与可追溯性提供坚实的硬件保障。

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电感耦合等离子体质谱仪

电感耦合等离子体质谱仪 ICP-MS

面向环境、食品、材料等领域,实现痕量与超痕量元素同时分析,检出限低至ppt级。

气相色谱-质谱联用仪

气相色谱-质谱联用仪 GC-MS

用于挥发性及半挥发性有机物的定性定量分析,广泛应用于环境监测与化学品检测。

高效液相色谱仪

高效液相色谱仪 HPLC

实现复杂体系中有机化合物的高效分离与准确定量,服务多领域成分检测。

扫描电子显微镜

扫描电子显微镜 SEM

观察材料微观形貌与组织结构,配合能谱实现微区成分分析。

万能材料试验机

万能材料试验机 UTM

精确测定材料拉伸、压缩、弯曲等力学性能指标,支撑产品质量控制。

高低温交变试验箱

高低温交变试验箱 TEMP

模拟高低温交变环境,考核产品在极端温度条件下的适应性与可靠性。

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