本专题涉及半导体探测的标准有14条。
国际标准分类中，半导体探测涉及到集成电路、微电子学、半导体分立器件、声学和声学测量、辐射防护、辐射测量、电子元器件综合。
在中国标准分类中，半导体探测涉及到半导体集成电路、半导体分立器件综合、通用核仪器、基础标准与通用方法。
美国国防后勤局，关于半导体探测的标准
DLA SMD-5962-06239 REV A-2007 硅单片三态输出平行差探测电路/校正电路,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
韩国标准，关于半导体探测的标准
KS C IEC 60749-16-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第16部分:粒子冲击噪声探测(PIND)
KS C IEC 60749-16-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第16部分:粒子冲击噪声探测(PIND)
德国标准化学会，关于半导体探测的标准
DIN EN 60749-16-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第16部分:粒子碰撞噪声探测(PIND)
英国标准学会，关于半导体探测的标准
BS EN 60749-16-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.粒子冲击噪音探测(PIND)
欧洲电工标准化委员会，关于半导体探测的标准
EN 60749-16-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第16部分:粒子碰撞噪声探测(PIND)IEC 60749-16-2003
HD 404-1980 电离辐射半导体探测器用放大器和前置放大器的试验规程
国际电工委员会，关于半导体探测的标准
IEC 60749-16-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第16部分:粒子冲击噪声探测(PIND)
美国国家标准学会，关于半导体探测的标准
ANSI/IEEE 301-1988 电离辐射半导体探测器用放大器和前置放大器的试验程序
，关于半导体探测的标准
TS 3433-1979 致电离辐射半导体探测器用放大器和前置放大器的测试程序
行业标准-电子，关于半导体探测的标准
SJ/T 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
