本专题涉及输入 电压的标准有112条。
国际标准分类中，输入 电压涉及到电磁兼容性(EMC)、词汇、计量学和测量综合、半导体分立器件、集成电路、微电子学、电工器件、阀门、无线通信、光电子学、激光设备、电学、磁学、电和磁的测量、电子管、变压器、电抗器、电感器。
在中国标准分类中，输入 电压涉及到电磁兼容、、电能测量和负荷控制系统、半导体分立器件综合、半导体集成电路、低压配电电器、控制继电器、阀门、微电路综合、广播、电视发送与接收设备。
国家质检总局，关于输入 电压的标准
GB/T 17626.29-2006 电磁兼容 试验和测量技术 直流电源输入端口电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验
国际电工委员会，关于输入 电压的标准
IEC 61000-4-11-2020 RLV 电磁兼容性（EMC）.第4-11部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备的电压骤降、短时中断和电压变化抗扰度试验
IEC 61000-4-11:2020 电磁兼容性（EMC）.第4-11部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备的电压骤降、短时中断和电压变化抗扰度试验 勘误表
IEC 61000-4-11:2020 RLV 电磁兼容性（EMC）.第4-11部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备的电压骤降、短时中断和电压变化抗扰度试验
IEC 61000-4-11-2020 cor1:2020 电磁兼容性（EMC）.第4-11部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备的电压骤降、短时中断和电压变化抗扰度试验 勘误表
IEC 61000-4-34 AMD 1 Corrigendum 1:2009 电磁兼容性(EMC).第4-34部分:试验和测量技术.每相输入电流超过16A的设备用电压骤降、短时中断及电压变化抗扰度测试.修改件1.勘误表1
IEC 61000-4-14:1999+AMD1:2001+AMD2:2009 CSV 电磁兼容性（EMC）.第4-14部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备的电压波动抗扰度试验
IEC 61000-4-14-1999+AMD1-2001+AMD2-2009 CSV 电磁兼容性（EMC）.第4-14部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备的电压波动抗扰度试验
IEC 61000-4-14 Edition 1.2:2009 电磁兼容性(EMC).第4-14部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16 A的设备的电压波动抗扰性试验
IEC 61000-4-14-1999/AMD2-2009 修改件2.电磁兼容性（EMC）.第4-14部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备的电压波动抗扰度试验
IEC 61000-4-14:1999/AMD2:2009 修改件2.电磁兼容性（EMC）.第4-14部分:试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备的电压波动抗扰度试验
IEC 61000-4-14 AMD 2:2009 电磁兼容性(EMC).第4-14部分:试验和测量技术.每项输入电流不超过16 安设备的电压波动抗扰试验
IEC 61000-4-34-2005 电磁兼容性（emc） - 第4-34部分:测试和测量技术 - 电压骤降 短暂中断和电压变化对于输入电流大于每秒16 A的设备的抗扰度测试
IEC 61000-4-34:2005 电磁兼容性(EMC).第4-34部分:试验和测量技术.输入电流不超过每相16 A设备的电压暂降、短时中断及电压变化抗扰度试验
IEC 61000-4-29-2000 电磁兼容性（EMC）第4-29部分:试验和测量技术 - 直流电压暂降 短暂中断和电压变化输入电源端口抗扰度测试
IEC 61000-4-29:2000 电磁兼容性(EMC).第4-29部分:试验和测量技术.直流输入电力端口上的电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验
中国团体标准，关于输入 电压的标准
T/CPSS 1003-2019 交流输入电压暂降与短时中断的低压直流型补偿装置技术规范
日本工业标准调查会，关于输入 电压的标准
JIS C61000-4-34-2017 电磁兼容性(EMC).第4-34部分:测试和测量技术.输入电流超过每相16 A设备的电压降、短时中断及电压变化抗扰度试验
JIS C61000-4-34-2008 电磁兼容性(EMC).第4-34部分:测试和测量技术.输入电流超过每相16 A设备的电压降、短时中断及电压变化抗扰度试验
，关于输入 电压的标准
PN T01505-19-1987 场效应晶体管．测量方法．噪声系数F和等效输入噪声电压U
韩国标准，关于输入 电压的标准
KS C IEC 61000-3-12:2013 电磁兼容性(EMC).第3-12部分:公共低电压系统连接仪器所发生的谐波电流限值限值(每相输入电流16.A以上75.A以下)
德国标准化学会，关于输入 电压的标准
DIN EN 61000-4-14-2010 电磁兼容性(EMC).第4-14部分:试验和测量技术.单项输入电流不超过16A的设备的电压波动抗扰度试验(IEC 61000-4-14-1999+A1-2001+A2-2009).EN 61000-4-14-1999+A1-2004+A2-2009
DIN EN 61000-4-34-2010 电磁兼容性(EMC).第4-34部分:试验和测量技术.输入电流超过每相16 A设备的电压降、短时中断及电压变化抗扰度试验(IEC 61000-4-34-2005+A1-2009 + Cor. -2009).德文版本EN 61000-4-34-2007+A1-2009
DIN EN 61000-4-34-2008 电磁兼容性(EMC).第4-34部分:试验和测量技术.输入电流超过每相16 A设备的电压降、短时中断及电压变化抗扰度试验
DIN EN 61000-4-29-2001 电磁兼容性.第4-29部分:试验和测量技术.直流输入功率口抗扰试验 电压扰动、短时中断和电压振动
法国标准化协会，关于输入 电压的标准
NF C91-004-14/A2-2009 电磁兼容性(EMC).第4-14部分:测验与评量技术.每相输入电流不超过16 A的设备用电压起伏抗扰性试验
NF C91-004-34-2007 电磁兼容性(EMC).第4-34部分:测试和测量技术.装备输入电流超过16A/相位用电压降、短时中断和电压变化抗扰度试验
NF C91-004-29-2001 电磁兼容性(EMC).第4-29部分:试验和测量技术.直流输入电源端口抗扰性试验的电压磁倾角、瞬间干扰及电压变量
美国国防后勤局，关于输入 电压的标准
DLA SMD-5962-97510 REV C-2008 线性单硅片微电路,电压输入范围广,带二元运算放大器
DLA SMD-5962-97511 REV D-2008 微电路线性宽输入电压3单片两运算放大器
DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带配备有串联电阻器的16比特三态输出收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入及限定电压摆幅输出
DLA SMD-5962-92223 REV D-2008 TTL兼容输入和限定输出电压摆幅的单片快速CMOS带三态输出的八进制寄存/收发器的微电子电路
DLA SMD-5962-92225 REV C-2008 TTL兼容输入和限定输出电压摆幅的单片快速CMOS带三态输出的10位总线接口D寄存器的微电子电路
DLA SMD-5962-95761 REV A-2007 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出缓冲器或时钟驱动器,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 双极低电压四重2输入阳性与门缓冲器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92233 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有使能的八分之一解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96827 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,8-BIT诊断扫描寄存器,晶体管输入和有限输出电压摆动,硅单片电路数字微电路
DLA DSCC-DWG-86001 REV E-2003 1安培60 V最高直流电压,CMOS和TTL控制输入有单向单掷的模拟信号开关,密封的光隔离固态继电器
DLA SMD-5962-97511 REV C-2002 宽输入电压双预算放大器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95667 REV A-2001 双重连续输入电压输出12-BIT增加的类似体到数字转换器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-88564 REV B-2001 硅单片高输出电压和电流四方2输入或驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-97529-1998 低电压互补金属氧化物半导体,八角母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-92270 REV D-1997 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有异步复位的4位可预设置二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92211 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,双重双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92240 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向明沟输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92230 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的八位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向八位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92246 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92229 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的九位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92282-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92281-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93025-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的八位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93019-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92273 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92272 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及正向三态输出的16位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92274 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92280 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的18位总线接口,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92260 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92264 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92283 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92278 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94744 REV B-1996 16-BIT闭锁无线电奇偶收发器,串联电阻器,晶体管输入和有线输出电压摆动互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-92236 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92276 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92263 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位锁存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92268 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的20位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92259 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92267 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的20位正向缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-93020-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93026-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92206-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92228-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的十位总线接口锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92232-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92243-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位反向双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92234-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有单片使能的8位恒等比较器,高速氧化物半导体数字微型电路
英国标准学会，关于输入 电压的标准
BS EN 61000-4-34-2007 电磁兼容性(EMC).测试和测量技术.每相输入电流大于16A的设备用电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验
BS EN 61000-4-34-2007+A1-2009 电磁兼容性(EMC).试验和测量技术.输入电流不超过每相16 A设备的电压暂降、短时中断及电压变化抗扰度试验
BS EN 61000-4-29-2001 电磁兼容性(EMC).试验和测量技术.直流输入电力端口的电压暂降,短时中断和电压变化.抗扰度试验.基础电磁兼容性(EMC)出版物
BS EN 61000-4-14-1999+A2-2009 电磁兼容性(EMC).试验和测量技术.每相输入电流不超过16A的设备用电压波动防护试验
欧洲电工标准化委员会，关于输入 电压的标准
EN 61000-4-34-2007 电磁兼容性.第4-34部分:试验和测量技术.输入电流超过每相16 A设备的电压降,短时中断及电压变化抗扰度试验
EN 61000-4-29-2000 电磁兼容性.第4-29部分:试验和测量技术.直流输入电力端口上的电压暂降,短时中断和电压变化抗扰度试验 IEC 61000-4-29-2000
加拿大标准协会，关于输入 电压的标准
CSA CEI 61000-4-34-06-CAN/CSA-2006 电磁兼容性(CEM).第4-34部分:每相位输入电流大于16A仪器的试验和测量技术—电压下降,瞬时中断,电压变化,抗干扰实验
CSA IEC 61000-4-34-06-CAN/CSA:2006 电磁兼容性(EMC).第4-34部分:测试与测量技术-每相输入电流大于16A设备的电压瞬时跌落,短时中断和电压渐变的抗扰性测试
美国国家标准学会，关于输入 电压的标准
ANSI/IEEE C37.92:2005 保护电压和电流传感器中继电器的模拟输入标准
美国电气电子工程师学会，关于输入 电压的标准
IEEE C 37.92:2005 电子电压和电流转换器的保护继电器的模拟输入
澳大利亚标准协会，关于输入 电压的标准
AS/NZS 61000.4.34-2007 电磁兼容性（EMC）．试验和测量技术．每相输入电流超过16A的设备的电压骤降，短时中断和电压变化的抗扰度试验（IEC 61000－4－34，第1.0版（2005） MOD）
