本专题涉及单晶 材料 材料的标准有12条。
国际标准分类中，单晶 材料 材料涉及到物理学、化学、频率控制和选择用压电器件与介质器件、电子元器件综合、有色金属产品、半导体材料。
在中国标准分类中，单晶 材料 材料涉及到人工晶体、石英晶体、压电元件、、、铸造、化合物半导体材料、元素半导体材料。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于单晶 材料 材料的标准
GB/T 39123-2020 X射线和γ射线探测器用碲锌镉单晶材料规范
国家质检总局，关于单晶 材料 材料的标准
GB/T 9532-2012 压电单晶材料型号命名方法
GB/T 9532-1988 铌酸锂、钽酸锂、锗酸铋、硅酸铋压电单晶材料型号命名方法
中国团体标准，关于单晶 材料 材料的标准
T/ZZB 2407-2021 单晶正极材料用镍钴锰三元素复合氢氧化物
行业标准-建材，关于单晶 材料 材料的标准
JC/T 2025-2010 铌镁钛酸铅（PMNT）压电单晶材料
国家军用标准-国防科工委，关于单晶 材料 材料的标准
GJB 5512.3-2005 铸造高温合金和铸造金属间化合物高温材料母合金规范 第3部分：单晶铸件用铸造高温合金母合金
GJB 5512.3-2005(K) 铸造高温合金和铸造金属间化合物高温材料母合金规范 第3部分：单晶铸件用铸造高温合金母合金
行业标准-电子，关于单晶 材料 材料的标准
SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
SJ 3249.1-1989 半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法
德国标准化学会，关于单晶 材料 材料的标准
DIN 50454-2-1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
DIN 50454-3-1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
DIN 50439-1982 半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线
