本专题涉及半导体 温度的标准有95条。
国际标准分类中，半导体 温度涉及到半导体分立器件、航空航天用电气设备和系统、工业自动化系统、电子设备用机械构件、光电子学、激光设备、环境试验。
在中国标准分类中，半导体 温度涉及到半导体分立器件综合、半导体二极管、物质成份分析仪器与环境监测仪器、半导体分立器件、半导体发光器件、敏感元器件及传感器、半导体三极管、电力半导体器件、部件、电气系统与设备、半导体整流器件、电子设备机械结构件、半导体光敏器件。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体 温度的标准
GB/T 4937.11-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法
国家质检总局，关于半导体 温度的标准
GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分;信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范
国际电工委员会，关于半导体 温度的标准
IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
IEC 63275-1-2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
IEC 60747-5-14-2022 半导体器件第5-14部分:光电子器件发光二极管基于热反射法的表面温度试验方法
IEC 60747-5-14:2022 半导体器件第5-14部分:光电子器件发光二极管基于热反射法的表面温度试验方法
IEC 60747-14-11:2021 半导体器件.第14-11部分:半导体传感器.测量紫外线、照明和温度的基于表面声波的集成传感器的试验方法
IEC 62373-1-2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
IEC 60749-15:2020 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度
IEC 60749-15-2020 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度
IEC 60749-15:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度
IEC 60749-15-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度
IEC 60747-5-9-2019 半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法
IEC 60747-5-9:2019 半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法
IEC 60749-5:2017 半导体器件机械和气候试验方法第5部分:稳态温度湿度偏置寿命试验
IEC 60749-5-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验
IEC 60749-5-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验
IEC 60749-42:2014 半导体器件机械和气候试验方法第42部分:温度和湿度贮存
IEC 60749-42-2014 半导体器件. 机械和气候试验方法. 第42部分: 温度和湿度存储
IEC 60749-15:2010 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度
IEC 60749-15 Edition 2.0-2010 半导体器件.机械和气候试验方法.第15部分:透孔安装设备对焊接温度的抗性
IEC 60749-15-2010 半导体器件.机械和气候试验方法.第15部分:透孔安装设备对焊接温度的抗性
IEC 60747-14-5:2010 半导体器件 - 第14-5部分:半导体传感器 - Pn结半导体温度传感器
IEC 60747-14-5-2010 半导体器件.第14-5部分:半导体传感器.PN-结点半导体温度传感器
IEC 62373-2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
IEC/TR 62240-2005 航空电子设备的过程管理.在制造商规定温度范围之外的半导体器件的使用
IEC 60749-11 Corrigendum 2-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法
IEC 60749-25:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第25部分:温度循环
IEC 60749-25-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分:温度循环
IEC 60749-15-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第15部分:通孔安装设备的耐钎焊温度
IEC 60749-5:2003 半导体器件机械和气候试验方法第5部分:稳态温度湿度偏置寿命试验
IEC 60749-11 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法
IEC 60749-5-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验
IEC 60749-11:2002 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第11部分:温度快速变化 - 双流体浴法
IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分: 温度的急速变化.双液电镀槽法
IEC/PAS 62240 Edition 1.0-2001 制造商规定温度范围外的半导体器件的使用
IEC 60747-3-2-1986 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 第2节:电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半导体 温度的标准
JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南
JEDEC JEP140-2002 半导体珠状温度测试
，关于半导体 温度的标准
CSN 35 8760-1973 半导体．稳压二极管．电压温度系数测量
英国标准学会，关于半导体 温度的标准
BS EN 60749-5-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.稳态温度湿度偏差寿命试验
BS EN 60749-42-2014 半导体器件. 机械和气候试验方法. 温度和湿度存储
BS EN 60749-42-2014 半导体器件. 机械和气候试验方法. 温度和湿度存储
BS EN 60749-15-2010 半导体器件.机械和气候试验方法.穿孔安装设备的耐焊接温度性
BS IEC 60747-14-5-2010 半导体器件.半导体传感器.PN-结点半导体温度传感器
BS IEC 60747-14-5-2010 半导体器件.半导体传感器.PN-结点半导体温度传感器
BS EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
BS EN 60749-25-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.温度循环
BS EN 60749-15-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.通孔安装设备的耐钎焊温度
BS EN 60749-5-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.稳态温度湿度偏差寿命试验
BS EN 60749-11-2002 半导体装置.机械和气候试验方法.温度速变.双流体浸泡法
PD IEC/PAS 62240-2001 制造商规定温度范围以外的半导体器件的使用
BS QC 750113-1994 电子元器件质量评估协调体系规范.空白详细规范:电流大于100A的环境温度额定和外壳温度限定反向闭锁三级半导体闸流晶体管
行业标准-电子，关于半导体 温度的标准
SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数
SJ 2658.13-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率温度系数的测试方法
德国标准化学会，关于半导体 温度的标准
DIN EN 60749-15-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第15部分-引脚插入式封装设备的耐钎焊温度(IEC 60749-15-2010);德文版本EN 60749-15-2010 + AC-2011
DIN EN 62373-2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
DIN EN 60749-25-2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分:温度循环
DIN EN 60749-5-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差寿命试验
DIN EN 60749-11-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分: 温度骤变.双液电镀槽法
法国标准化协会，关于半导体 温度的标准
NF C96-022-15-2011 半导体器件.机械和环境测试方法.第15部分:引脚插入式封装设备的耐钎焊温度.
NF C96-051-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
NF C96-022-25-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分:温度循环
NF C96-022-5-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差寿命试验
NF C96-022-11-2002 半导体装置.机械和气候试验方法.第11部分: 温度的急速变化.双液电镀槽法
NF C86-504-1988 半导体器件.电子器件质量评估协调体系.带光电晶体管输出的特定环境温度光电耦合器.空白详细规范
欧洲电工标准化委员会，关于半导体 温度的标准
EN 60749-15-2010 半导体器件.机械和气候试验方法.第15部分:通孔安装器件的耐钎焊温度
EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
EN 60749-25-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分:温度循环 IEC 60749-25-2003
EN 60749-5-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验 IEC 60749-5-2003
EN 60749-4-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验 IEC 60749-4-2002;部分替代 EN 60749:1999+A1-2000+A2-2001
EN 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-11-2002;部分替代 EN 60749:1999+A1-2000+A2-2001
美国国防后勤局，关于半导体 温度的标准
DLA MIL-PRF-19500/158 R-2008 半导体装置,硅二极管,参考电压,补偿温度,类型1N3154-1到1N3157-1和1N3154UR-1到1N3157UR-1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS,耐辐射(仅总剂量效应)JANTXVM,D,L,R,F,G,H和JANSM
DLA MIL-PRF-19500/159 N-2008 半导体装置,硅二极管,参考电压,补偿温度,1N821-1,1N823-1,1N825-1,1N827-1和1N829-1,1N821UR-1,1N823UR-1,1N825UR-1,1N827UR-1和1N829UR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC;耐辐射
DLA MIL-PRF-19500/452 H-2008 半导体装置,温度补偿低电平参考电压硅二极管,型号1N4565A-1 THROUGH 1N4584A-1和1N4565AUR-1到1N4584AUR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC,耐辐射(仅总剂量效应) TYPES JAN
韩国标准，关于半导体 温度的标准
KS C IEC 60747-3-2-2006 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管)和调节二极管.第2节:稳压二极管和基准电压二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)的空白详细规范
KS C IEC 60747-3-2-2006 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管)和调节二极管.第2节:稳压二极管和基准电压二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)的空白详细规范
KS C IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法
KS C IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法
美国国家标准学会，关于半导体 温度的标准
ANSI/EIA 4900-2002 超过制造商规定温度范围的半导体装置的使用
政府电子与信息技术协会（US-GEIA改名为US-TECHAMERICA)，关于半导体 温度的标准
GEIA SP4900-2002 生产商规定温度范围以外的半导体器件的使用
GEIA-4900-2001 生产商规定温度范围以外的半导体器件的使用
台湾地方标准，关于半导体 温度的标准
CNS 5070-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–温度循环试验
丹麦标准化协会，关于半导体 温度的标准
DS/IEC 747-3-2-1987 半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管和稳压二极管).第2节:稳压二极管和基准电压二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)的空白详细规范
