本专题涉及质谱的母离子的标准有157条。
国际标准分类中，质谱的母离子涉及到金属材料试验、分析化学、半导体材料、土质、土壤学、食品试验和分析的一般方法、半导体分立器件、犯罪行为防范、橡胶和塑料制品、核能工程、光学和光学测量、微生物学。
在中国标准分类中，质谱的母离子涉及到半金属及半导体材料分析方法、基础标准与通用方法、元素半导体材料、半金属与半导体材料综合、电子光学与其他物理光学仪器、犯罪鉴定技术、、、塑料型材、化学助剂基础标准与通用方法、食品卫生、化学、卫生综合、土壤环境质量分析方法、基础标准与通用方法、保健食品、一般有机化工原料、基础标准与通用方法、基础学科综合、表面活性剂、轻金属及其合金分析方法、光学计量仪器。
国家质检总局，关于质谱的母离子的标准
GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 25186-2010 表面化学分析.二次离子质谱.由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法
GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于质谱的母离子的标准
GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
GB/T 40129-2021 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪质量标校准
GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
国际标准化组织，关于质谱的母离子的标准
ISO 17862-2022 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
ISO/TS 22933-2022 表面化学分析.二次离子质谱法.模拟离子质谱中质量分辨率的测量方法
ISO 17109-2022 表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法
ISO 18114:2021 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 离子注入参考物质的相对敏感性因子的测定
ISO 18114-2021 表面化学分析. 次级离子质谱法. 测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
ISO 22415-2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法
ISO 13084:2018 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 用于飞行时间二次离子质谱仪的质谱的校准
ISO 13084-2018 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 用于飞行时间二次离子质谱仪的质谱的校准
ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
ISO 17109:2015 表面化学分析 - 深度分析 - X射线光电子能谱法中的溅射速率测定方法 俄歇电子能谱和二次离子质谱法使用单层和多层薄膜的溅射深度分析
ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
ISO 17862-2013 表面化学分析.次级离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析器强度标的线性
ISO 17862:2013 表面化学分析——二次离子质谱法——单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
ISO 13084-2011 表面化学分析.二次离子质谱分析法.飞行时间二次离子质谱仪用质量标度的校准
ISO 13084:2011 表面化学分析——二次离子质谱法——飞行时间二次离子质谱仪质量刻度的标定
ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
ISO 12406:2010 表面化学分析——二次离子质谱法——硅中砷的深度剖面分析方法
ISO 14237:2010 表面化学分析——二次离子质谱法——用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
ISO 14237-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
ISO 23812:2009 表面化学分析——二次离子质谱法——使用多δ层标准物质的硅深度校准方法
ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
ISO 23830:2008 表面化学分析——二次离子质谱法——静态二次离子质谱中相对强度标度的重复性和稳定性
ISO 23830-2008 表面化学分析.次级离子质谱测定法.静态次级离子质谱测定法中相对强度数值范围的重复性和稳定性
ISO 22048:2004 表面化学分析——静态二次离子质谱信息格式
ISO 22048-2004 表面化学分析.静态次生离子质谱法的信息格式
ISO 20341:2003 表面化学分析——二次离子质谱法——利用多delta层标准物质估算深度分辨率参数的方法
ISO 20341-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
ISO 18114:2003 表面化学分析——二次离子质谱法——离子注入标准物质相对灵敏度因子的测定
ISO 18114-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
ISO 14237:2000 表面化学分析.二次离子质谱法.使用均匀掺杂材料测定硅中的硼原子浓度
ISO 14237-2000 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
ISO 178-1975 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
ISO 178-2019 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
美国材料与试验协会，关于质谱的母离子的标准
ASTM D7363-13A(2021)e1 在选定离子监测模式下用固相微萃取和气相色谱/质谱法测定沉积物孔隙水中母体和烷基多环芳烃的标准试验方法
ASTM E1504-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
ASTM E1635-06(2019) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程
ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
ASTM C1845-16 使用高压离子色谱（HPIC）通过电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）同位素分析从铀原子分离镧系元素的标准实践
ASTM C1845-2016 在以电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS)进行的同位素分析中使用高压离子色谱法 (HPIC) 从铀矩阵中分离镧系元素的标准实施规程
ASTM D7363-13a 使用固相微萃取和气相色谱/质谱法在选定的离子监测模式下测定沉积物孔隙中的亲本和烷基多环芳烃的标准测试方法
ASTM D7363-13 使用固相微萃取和气相色谱/质谱法在选定的离子监测模式下测定沉积物孔隙中的亲本和烷基多环芳烃的标准测试方法
ASTM D7363-2013a 在选定的离子监控模式下用固相微萃取法和气相色谱/质谱法测定沉积物孔隙水中母体芳烃和烷基多环芳烃的标准试验方法
ASTM D7363-2013 在选定的离子监控模式下用固相微萃取法和气相色谱/质谱法测定沉积物孔隙水中母体芳烃和烷基多环芳烃的标准试验方法
ASTM E1880-2012 用次级离子质谱法 (SIMS) 进行组织低温截面分析的标准实施规程
ASTM E1881-2012 用次级离子质谱法 (SIMS) 对细胞培养分析的标准指南
ASTM D7363-11 使用固相微萃取和气相色谱/质谱法在选定的离子监测模式下测定沉积物孔隙中的亲本和烷基多环芳烃的标准测试方法
ASTM E1504-11 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
ASTM E1635-06(2011) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程
ASTM E1162-11 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
ASTM D7363-2011 采用固相微萃取和气相色谱/质谱.选择离子检测模式测定沉淀物间隙水中前体及烷基多环芳香烃的标准试验方法
ASTM E1504-2011 次级离子质谱分析法中报告质谱数据的标准操作规程
ASTM E1162-2011 报告次级离子质谱分析法(SIMS)中溅深深度文件数据的标准操作规程
ASTM E2426-2010 通过用次级离子质谱法测量同位素比率对脉冲计算系统死时间测定的标准实施规程
ASTM E2695-2009 用飞行时间二次离子质谱法说明质谱数据获取的标准指南
ASTM D7363-07 使用固相微萃取和气相色谱/质谱法在选定的离子监测模式下测定沉积物孔隙中的亲本和烷基多环芳烃的标准测试方法
ASTM D7363-2007 在选定的离子监控模式下用固相微萃取法和气相色谱/质谱法测定沉积物孔隙水中母体芳烃和烷基多环芳烃的标准试验方法
ASTM E1162-06 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
ASTM E1504-06 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
ASTM E1635-06 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程
ASTM E1635-2006(2011) 次级离子质谱法(SIMS)成像数据报告标准规程
ASTM E1504-2006 次级离子质谱法(SIMS)中质谱数据报告的标准实施规程
ASTM E1162-2006 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程
ASTM E1881-2006 用次级离子质谱法(SIMS)进行细胞培养分析的标准指南
ASTM E1880-2006 用次级离子质谱法(SIMS)进行组织低温截面分析的标准实施规程
ASTM E1438-2006 用次级离子质谱法(SIMS)测量深度掺杂分布界面宽度标准指南
ASTM E1635-2006 报告次级离子质谱法(SIMS)成像数据用标准实施规程
ASTM E1635-95(2000) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程
ASTM F1617-98 用二次离子质谱法测量硅和外延衬底上表面钠铝钾铁的标准试验方法
ASTM F1617-1998 用次级离子质谱测定法(SIMS)测定表面钠,铝,钾-硅和EPI衬底的标准试验方法
ASTM E1504-92(2001) 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
ASTM E1504-92(1996) 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
ASTM F1366-92(1997)e1 用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中氧浓度的标准试验方法
ASTM E1504-1992(2001) 次级离子质谱(SIMS)测定中质谱数据报告的标准规范
ASTM E1504-1992(1996) 次级离子质谱(SIMS)测定中质谱数据报告的标准规范
ASTM E1438-1991(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
ASTM E1438-1991(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
ASTM E1162-1987(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
ASTM E1162-1987(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
ASTM E1504-2011(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
公安部，关于质谱的母离子的标准
GA/T 1916-2021 法庭科学 生物检材中氟乙酸根离子检验 液相色谱-质谱法
GA/T 1628-2019 法庭科学 生物检材中草甘膦检验 离子色谱-质谱法
日本工业标准调查会，关于质谱的母离子的标准
JIS K0157-2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 渡越时间二次离子质谱仪的质量标度的校准
JIS K0158-2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 单离子计数动态二次离子质谱法中饱和强度的校正方法
JIS K7129-6-2016 塑料. 薄膜和薄板材. 水蒸汽传递率的测定. 第6部分: 大气压力离子质谱法
JIS K0153-2015 表面化学分析. 二次离子质谱法. 静态二次离子质谱法中相对强度范围的重复性和稳定性
JIS K0169-2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法
JIS K0169-2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法
JIS K0168-2011 表面化学分析.静态二次离子质谱法用信息格式
JIS K0163-2010 表面化学分析.次级离子质谱法.离子注入标样中相对灵敏度系数的测定
JIS K0143-2000 表面化学分析.次级离子质谱法.利用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
中国团体标准，关于质谱的母离子的标准
T/DLAS 004-2021 富硒农产品中5种硒的测定 离子色谱-电感耦合等离子体质谱法
T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
行业标准-公共安全标准，关于质谱的母离子的标准
GA/T 1320-2016 法庭科学血液、尿液中氟离子气相色谱-质谱检验方法
GA/T 933-2011 生物样品中氟乙酸根离子的气相色谱和气相色谱-质谱联用检验方法
英国标准学会，关于质谱的母离子的标准
BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
BS ISO 15106-6-2015 塑料. 薄膜和薄板. 水蒸汽传递率的测定. 大气压力离子质谱法
BS ISO 17862-2013 表面化学分析.次级离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析器强度标的线性
BS ISO 17862-2013 表面化学分析.次级离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析器强度标的线性
BS ISO 13084-2011 表面化学分析.二次离子质谱.飞行时间二次离子质谱用质量标度的校准
BS ISO 13084-2011 表面化学分析.二次离子质谱.飞行时间二次离子质谱用质量标度的校准
BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
BS ISO 12406-2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
BS ISO 14237-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
BS ISO 14237-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
BS ISO 23812-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
BS ISO 23830-2008 表面化学分析.次级离子质谱法.静态次级离子质谱法中相对强度数值范围的重复性和稳定性
BS ISO 22048-2005 表面化学分析.静态次生离子质谱法的信息格式
BS ISO 20341-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
BS ISO 18114-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样的相对灵敏系数
行业标准-电子，关于质谱的母离子的标准
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
国家质量监督检验检疫总局，关于质谱的母离子的标准
SN/T 3850.1-2014 出口食品中多种糖醇类甜味剂的测定 第1部分：液相色谱串联质谱法和离子色谱法
行业标准-商品检验，关于质谱的母离子的标准
SN/T 3541-2013 出口食品中多种醚类除草剂残留量检测方法 气相色谱 -负化学离子源-质谱法
SN/T 2210-2008 保健食品中六价铬的测定.离子色谱-电感耦合等离子体质谱法
法国标准化协会，关于质谱的母离子的标准
NF X21-070-2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度.
NF X21-066-2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层参考物质对硅进行深度校准的方法
NF X21-064-2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.静态次级离子质谱测定法中相对强度数值范围的重复性和稳定性
，关于质谱的母离子的标准
KS D ISO 22048-2005(2020) 表面化学分析 - 静态二次离子质谱的信息格式
KS D ISO 20341-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法用多δ层标准物质估算深度分辨参数的方法
KS D ISO 18114-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法离子注入标准物质相对灵敏度因子的测定
韩国标准，关于质谱的母离子的标准
KS D ISO 22048-2005 表面化学分析.静态次生离子质谱法的信息格式
KS D ISO 20341-2005 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
KS D ISO 18114-2005 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
KS D ISO 18114-2005 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
KS D ISO 22048-2005 表面化学分析.静态次生离子质谱法的信息格式
KS D ISO 20341-2005 表面化学分析.次级离子质谱法.多δ层标准材料深度溶解参数的估算方法
KS D ISO 14237-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.使用非均一掺杂材料的硅中硼原子的浓度测定
KS D ISO 14237-2003 表面化学分析.次级离子质谱法.使用非均一掺杂材料的硅中硼原子的浓度测定
行业标准-农业，关于质谱的母离子的标准
DB 33/T 543-2005 水果、蔬菜中农药多残留测定方法气相色谱离子阱质谱联用法
澳大利亚标准协会，关于质谱的母离子的标准
AS ISO 17560-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
AS ISO 14237-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度
AS ISO 22048-2006 表面化学分析．静止次级离子质谱测量法用信息格式
AS ISO 22048-2006 表面化学分析．静止次级离子质谱测量法用信息格式
AS ISO 18114-2006 表面化学分析．次级离子质谱法．植入离子的参考材料的相对灵敏系数的测定
AS ISO 14237-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度
AS ISO 17560-2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
