本专题涉及单重四级杆的标准有24条。
国际标准分类中，单重四级杆涉及到燃料、机床装置、半导体分立器件、集成电路、微电子学、电线和电缆、航空航天制造用材料、废物、土方工程、挖掘、地基构造、地下工程、机械系统和通用件、电学、磁学、电和磁的测量、轮胎。
在中国标准分类中，单重四级杆涉及到操作件、半导体分立器件综合、半导体集成电路、电缆及其附件、稀有轻金属及其合金、航空与航天用金属铸锻材料、基础标准与通用方法、电子测量与仪器综合、轮胎。
国家质检总局，关于单重四级杆的标准
GB/T 32868-2016 纳米技术 单壁碳纳米管的热重表征方法
美国材料与试验协会，关于单重四级杆的标准
ASTM D8267-19a 用真空紫外吸收光谱检测（GC-VUV）气相色谱法测定航空涡轮燃料中总芳香族、单芳香族和重芳香族含量的标准试验方法
行业标准-机械，关于单重四级杆的标准
JB/T 7270.9-2014 单柄对重手柄
JB/T 7270.9-1994 单柄对重手柄
国际标准化组织，关于单重四级杆的标准
ISO/TS 11308:2011 纳米技术——单壁碳纳米管的热重分析表征
美国国防后勤局，关于单重四级杆的标准
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91607 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置和一般输入输出插脚的八比特万能转换或储存自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87662 REV B-2006 硅单块 单稳多谐振荡器,可重设置双可再触发的肖脱基数字微型电路
DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA QPL-13486-30-2006 特殊用途电缆:低张力重负荷.屏蔽和非屏蔽.单导体和多导体.一般规格
DLA SMD-5962-87626 REV B-2005 硅单块 带主重设置六进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90849-1991 硅单块 带重设置的双J-K触发器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87669-1987 硅单块 时钟发生器和重设置界面,数字微型电路
DLA SMD-5962-77045 REV E-1987 硅单片可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路
美国机动车工程师协会，关于单重四级杆的标准
SAE AMS 4915J-2003 8Al 1V 1Mo单重退火钛合金薄板材、带材和板材
法国标准化协会，关于单重四级杆的标准
NF X30-420-1999 废物.添加的或人工重造材料的永久生物形成的渗透性测定.封闭型单环或双环渗透计
(美国)军事条例和规范，关于单重四级杆的标准
ARMY A-A-1725-1981 重负荷轮胎气压的标准规格.一般事务.短期延期.单卡盘脚
，关于单重四级杆的标准
IRAM 11 041-1961 单节机动轨道车的真空制动装置．柔韧的短管以及重负荷运行连接
行业标准-电子，关于单重四级杆的标准
SJ 20287-1993 半导体集成电路JT54LS123型LS-TTL双可重触发单稳态触发器详细规范
